公开(公告)号：US20110008920A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12805821

申请日：2010-08-20

申请人： Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim ,  Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho

发明人： Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim ,  Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/02327

摘要： A microlens, an image sensor including the microlens, a method of forming the microlens and a method of manufacturing the image sensor are provided. The microlens includes a polysilicon pattern, having a cylindrical shape, formed on a substrate, and a round-type shell portion enclosing the polysilicon pattern. The microlens may further include a filler material filling an interior of the shell portion, or a second shell portion covering the first shell portion. The method of forming a microlens includes forming a silicon pattern on a semiconductor substrate having a lower structure, forming a capping film on the semiconductor substrate over the silicon pattern, annealing the silicon pattern and the capping film altering the silicon pattern to a polysilicon pattern having a cylindrical shape and the capping film to a shell portion for a round-type microlens, and filling an interior of the shell portion with a lens material through an opening between the semiconductor substrate and an edge of the shell portion. The image sensor includes a microlens formed by a similar method and a photodiode having a cylindrical shape.

摘要翻译： 提供微透镜，包括微透镜的图像传感器，形成微透镜的方法和制造图像传感器的方法。 微透镜包括形成在基板上的具有圆柱形状的多晶硅图案和包围多晶硅图案的圆形外壳部分。 微透镜还可以包括填充壳体部分的内部的填充材料或覆盖第一壳体部分的第二壳体部分。 形成微透镜的方法包括在具有较低结构的半导体衬底上形成硅图案，在硅图案上的半导体衬底上形成覆盖膜，使硅图案和覆盖膜退火，将硅图案改变为具有 圆筒形，并且封盖膜用于圆形微透镜的外壳部分，并且通过半导体基板和外壳部分的边缘之间的开口用透镜材料填充外壳部分的内部。 图像传感器包括通过类似方法形成的微透镜和具有圆柱形状的光电二极管。

公开(公告)号：US20100159637A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12654839

申请日：2010-01-06

申请人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

IPC分类号： H01L21/06 ,  C07F7/10

CPC分类号： C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45531 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： An antimony precursor including antimony, nitrogen and silicon, a phase-change memory device using the same, and a method of making the phase-change memory device. The phase-change memory device may have a phase-change film of a Ge2—Sb2—Te5 material including nitrogen and silicon.

摘要翻译： 包括锑，氮和硅的锑前体，使用该锑前体的相变存储器件以及制造该相变存储器件的方法。 相变存储器件可以具有包括氮和硅的Ge2-Sb2-Te5材料的相变膜。

公开(公告)号：US07629207B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11692716

申请日：2007-03-28

申请人： Hyuck Lim ,  Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Young-kwan Cha

发明人： Hyuck Lim ,  Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Young-kwan Cha

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78678 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： A method of manufacturing a bottom gate thin film transistor (“TFT”) in which a polycrystalline channel region having a large grain size is formed relatively simply and easily. The method of manufacturing a bottom gate thin film transistor includes forming a bottom gate electrode on a substrate, forming a gate insulating layer on the substrate to cover the bottom gate electrode, forming an amorphous semiconductor layer, an N-type semiconductor layer and an electrode layer on the gate insulating layer sequentially, etching an electrode region and an N-type semiconductor layer region formed on the bottom gate electrode sequentially to expose an amorphous semiconductor layer region, melting the amorphous semiconductor layer region using a laser annealing method, and crystallizing the melted amorphous semiconductor layer region to form a laterally grown polycrystalline channel region.

摘要翻译： 相对简单且容易地形成具有大晶粒尺寸的多晶沟道区的底栅薄膜晶体管（“TFT”）的制造方法。 制造底栅极薄膜晶体管的方法包括在衬底上形成底栅电极，在衬底上形成栅极绝缘层以覆盖底栅电极，形成非晶半导体层，N型半导体层和电极 依次在栅极绝缘层上蚀刻形成在底栅电极上的电极区域和N型半导体层区域，以暴露非晶半导体层区域，使用激光退火法熔化非晶半导体层区域，并使 熔融的非晶半导体层区域以形成横向生长的多晶沟道区域。

公开(公告)号：US20090298268A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12457586

申请日：2009-06-16

申请人： Jang-yeon Kwon ,  Min-koo Han ,  Se-young Cho ,  Kyung-bae Park ,  Do-young Kim ,  Min-cheol Lee ,  Sang-myeon Han ,  Takashi Noguchi ,  Young-soo Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Jang-yeon Kwon ,  Min-koo Han ,  Se-young Cho ,  Kyung-bae Park ,  Do-young Kim ,  Min-cheol Lee ,  Sang-myeon Han ,  Takashi Noguchi ,  Young-soo Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： A method of fabricating a poly-Si thin film and a method of fabricating a poly-Si TFT using the same are provided. The poly-Si thin film is formed at a low temperature using ICP-CVD. After the ICP-CVD, ELA is performed while increasing energy by predetermined steps. A poly-Si active layer and a Si02 gate insulating layer are deposited at a temperature of about 150° C. using ICP-CVD. The poly-Si has a large grain size of about 3000 A or more. An interface trap density of the Si02 can be as high as lo∥/cm2. A transistor having good electrical characteristics can be fabricated at a low temperature and thus can be formed on a heat tolerant plastic substrate.

摘要翻译： 提供一种制造多晶硅薄膜的方法和使用其制造多晶硅TFT的方法。 使用ICP-CVD在低温下形成多晶硅薄膜。 在ICP-CVD之后，在通过预定步骤增加能量的同时执行ELA。 使用ICP-CVD在约150℃的温度下沉积多晶硅有源层和SiO 2栅极绝缘层。 多晶硅具有约3000A以上的大晶粒尺寸。 SiO 2的界面陷阱密度可以高达lo // / cm2。 具有良好电特性的晶体管可以在低温下制造，因此可以形成在耐热塑料基板上。

公开(公告)号：US20090146142A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12076608

申请日：2008-03-20

申请人： Kyoung-kook Kim ,  Joo-sung Kim ,  Young-soo Park

发明人： Kyoung-kook Kim ,  Joo-sung Kim ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/08 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/34

摘要： Provided are a light-emitting device including a plurality of nanorods each of which comprises an active layer formed between an n-type region and a p-type region, and a method of manufacturing the same. The light-emitting device comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the substrate; a basal layer formed on the first electrode layer; a plurality of nanorods formed vertically on the basal layer, each of which comprises a bottom part doped with first type, a top part doped with second type opposite to the first type, and an active layer between the bottom part and the top part, an insulating region formed between the nanorods, and a second electrode layer formed on the nanorods and the insulating region.

摘要翻译： 提供了包括多个纳米棒的发光器件及其制造方法，每个纳米棒包括形成在n型区域和p型区域之间的有源层。 发光装置包括：基板; 形成在所述基板上的第一电极层; 形成在所述第一电极层上的基底层; 在基底层上垂直形成的多个纳米棒，每个纳米棒包括掺杂有第一类型的底部部分，掺杂有与第一类型相反的第二类型的顶部部分，以及在底部部分和顶部部分之间的有源层， 形成在纳米棒之间的绝缘区域和形成在纳米棒和绝缘区域上的第二电极层。

公开(公告)号：US20090057663A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12076486

申请日：2008-03-19

申请人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

发明人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/78696

摘要： An oxide thin film transistor and a method of manufacturing the oxide TFT are provided. The oxide thin film transistor (TFT) including: a gate; a channel formed to correspond to the gate, and a capping layer having a higher work function than the channel; a gate insulator disposed between the gate and the channel; and a source and drain respectively contacting either side of the capping layer and the channel and partially on a top surface of the capping layer.

摘要翻译： 提供氧化物薄膜晶体管和制造氧化物TFT的方法。 所述氧化物薄膜晶体管（TFT）包括：栅极; 形成为对应于所述栅极的沟道，以及具有比所述沟道更高功函数的覆盖层; 设置在栅极和沟道之间的栅极绝缘体; 以及源极和漏极，分别接触封盖层的两侧和通道之间，部分地接合覆盖层的顶表面。

公开(公告)号：US20090008638A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12078706

申请日：2008-04-03

申请人： Dong-hun Kang ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Jae-cheol Lee

发明人： Dong-hun Kang ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Jae-cheol Lee

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Example embodiments relate to an oxide semiconductor including zinc oxide (ZnO), a thin film transistor including a channel formed of the oxide semiconductor and a method of manufacturing the thin film transistor. The oxide semiconductor may include a GaxInyZnz oxide and at least one material selected from the group consisting of a 4A group element, a 4A group oxide, a rare earth element and combinations thereof.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括氧化锌（ZnO），包括由氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管的氧化物半导体和制造薄膜晶体管的方法。 氧化物半导体可以包括GaxInyZnz氧化物和选自由4A族元素，4A族氧化物，稀土元素及其组合组成的组中的至少一种材料。

公开(公告)号：US20090003062A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US12068409

申请日：2008-02-06

申请人： Jae-chul Park ,  Jae-woong Hyun ,  Young-soo Park ,  Sun-il Kim

发明人： Jae-chul Park ,  Jae-woong Hyun ,  Young-soo Park ,  Sun-il Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： A nonvolatile semiconductor device according to example embodiments may include a plurality of memory cells on a semiconductor substrate and at least one selection transistor on the semiconductor substrate, wherein the at least one selection transistor may be disposed at a different level from the plurality of memory cells. The at least one selection transistor may be connected to a data line and/or a power source line via a first contact and/or a third contact, respectively. The at least one selection transistor may be connected to the plurality of memory cells via a second contact and/or a fourth contact. The active layer of the at least one selection transistor may contain an oxide. Accordingly, the nonvolatile semiconductor device according to example embodiments may include a selection transistor having a reduced size.

摘要翻译： 根据示例性实施例的非易失性半导体器件可以包括半导体衬底上的多个存储单元和半导体衬底上的至少一个选择晶体管，其中所述至少一个选择晶体管可以设置在与所述多个存储单元不同的电平 。 所述至少一个选择晶体管可以分别经由第一触点和/或第三触点连接到数据线和/或电源线。 所述至少一个选择晶体管可以经由第二触点和/或第四触点连接到所述多个存储单元。 所述至少一个选择晶体管的有源层可以含有氧化物。 因此，根据示例性实施例的非易失性半导体器件可以包括具有减小的尺寸的选择晶体管。

公开(公告)号：US20080315193A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12149409

申请日：2008-05-01

申请人： Chang-jung Kim ,  Young-soo Park ,  Eun-ha Lee ,  Jae-chul Park

发明人： Chang-jung Kim ,  Young-soo Park ,  Eun-ha Lee ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/34 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08

CPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is a zinc (Zn) oxide-based thin film transistor that may include a gate, a gate insulating layer on the gate, a channel including zinc oxide and may be on a portion of the gate insulating layer, and a source and drain contacting respective sides of the channel. The zinc (Zn) oxide-based thin film transistor may further include a recession in the channel between the source and the drain, and a zinc oxide-based etchant may be used to form the recession.

摘要翻译： 提供一种锌（Zn）氧化物基薄膜晶体管，其可以包括栅极，栅极上的栅极绝缘层，包含氧化锌的沟道，并且可以在栅极绝缘层的一部分上，以及源极和漏极接触 渠道的各边。 锌（Zn）氧化物基薄膜晶体管还可以包括在源极和漏极之间的沟道中的凹陷，并且可以使用氧化锌基蚀刻剂来形成凹陷。

公开(公告)号：US20080164479A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US12000242

申请日：2007-12-11

申请人： Wenxu Xianyu ,  Jung-hyun Lee ,  Hyung-Jin Bae ,  Young-soo Park

发明人： Wenxu Xianyu ,  Jung-hyun Lee ,  Hyung-Jin Bae ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/28537 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor device including polysilicon (poly-Si) and method of manufacturing the same are provided. The semiconductor device includes a TaNx material layer and a poly-Si layer formed on the TaNx material layer. The semiconductor device including poly-Si may be manufactured by forming a TaNx material layer and forming a poly-Si layer by depositing silicon formed on the TaNx material layer and annealing silicon.

摘要翻译： 提供了包括多晶硅（poly-Si）的半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括形成在TaN xS材料层上的TaN 材料层和多晶硅层。 包括多晶硅的半导体器件可以通过形成TaN xS材料层并通过沉积形成在TaN材料层上的硅和退火形成多晶硅层来制造 硅。