公开(公告)号：US5578244A

公开(公告)日：1996-11-26

申请号：US415858

申请日：1995-04-03

申请人： Takaaki Shimizu ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara ,  Tatsushi Kaneko ,  Mutsuo Nakashima ,  Hideshi Kurihara

发明人： Takaaki Shimizu ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara ,  Tatsushi Kaneko ,  Mutsuo Nakashima ,  Hideshi Kurihara

IPC分类号： C07F7/08 ,  C07F7/12 ,  C09K19/40 ,  C09K19/34 ,  C09K19/12 ,  G02F1/13

CPC分类号： C09K19/406 ,  C07F7/0818 ,  C07F7/0896 ,  C07F7/12

摘要： A silacyclohexane compound represented by the following general formula (I) ##STR1## wherein R denotes a linear-chain alkyl group with a carbon number of 1-10, a fluoroalkyl group with a carbon number of 1-10 in which a fluorine atom(s) is substituted for one or two hydrogen atoms, a branched-chain alkyl group with a carbon number of 3-8, an alkoxyalkyl group with a carbon number of 2-7, or an alkenyl group with a carbon number of 2-8. ##STR2## denotes a trans-1-sila-1,4-cyclohexylene or trans-4-sila-1,4-cyclohexylene group whose silicon at position 1 or position 4 has a substitutional group(s) of H, F, Cl or CH.sub.3. L.sub.1 and L.sub.2 independently denote H or F. L.sub.3 and L.sub.4 independently denote H, F or Cl. X denotes a H, CN, F, Cl, CF.sub.3, CF.sub.2 Cl, CHFCl, OCF.sub.3, OCF.sub.2 Cl, OCHFCl, OCHF.sub.2, or a linear-chain alkyl or alkoxy group with a carbon number of 1-10. i, j and k respectively denote 0 or 1, where (i+j+k) is 0 or 1. n denotes 0, 1 or 2.

摘要翻译： 由以下通式（I）表示的硅环己烷化合物其中R表示碳数为1-10的直链烷基，碳数为1-10的氟代烷基，其中a 氟原子取代一个或两个氢原子，碳数为3-8的支链烷基，碳数为2-7的烷氧基烷基或碳数为 2-8。 表示1位或4位的硅具有H，F，Cl取代基的反式-1-硅烷-1,4-亚环己基或反式-4-硅烷-1,4-亚环己基 或CH3。 L1和L2独立地表示H或F.L3和L4独立地表示H，F或Cl。 X表示H，CN，F，Cl，CF 3，CF 2 Cl，CHFCl，OCF 3，OCF 2 Cl，OCHFCl，OCHF 2或碳数为1-10的直链烷基或烷氧基。 i，j和k分别表示0或1，其中（i + j + k）为0或1.n表示0,1或2。

公开(公告)号：US5498737A

公开(公告)日：1996-03-12

申请号：US377961

申请日：1995-01-25

申请人： Tsutomu Ogihara ,  Takaaki Shimizu ,  Takeshi Kinsho ,  Tatsushi Kaneko ,  Ryuichi Saito ,  Hideshi Kurihara

发明人： Tsutomu Ogihara ,  Takaaki Shimizu ,  Takeshi Kinsho ,  Tatsushi Kaneko ,  Ryuichi Saito ,  Hideshi Kurihara

IPC分类号： C07F7/08 ,  C07F7/12 ,  C09K19/40

CPC分类号： C07F7/0818 ,  C07F7/0896 ,  C07F7/12 ,  C09K19/406

摘要： A silacyclohexane compound represented by the following general formula (1): ##STR1## wherein R denotes a linear-chain alkyl group with a carbon number of 1-10, a mono- or di-fluoroalkyl group with a carbon number of 1-10, a branched-chain alkyl group with a carbon number of 3-8, an alkoxyalkyl group with a carbon number of 2-7, or an alkenyl group with a carbon number of 2-8, and at least one of ##STR2## denotes a trans-1-sila-1,4-cyclohexylene or a trans-4-sila-1,4-cyclohexylene group whose silicon at position 1 or position 4 has a substitutional group(s) of H, F, Cl or CH.sub.3 and the other is a trans-1,4-cyclohexylene group, X denotes a CN, F, F, Cl, CF.sub.3, OCF.sub.3, OCHF.sub.2, OCHFCl, CF.sub.2 Cl, OCF.sub.2 Cl, R or OR group, Z.sub.1 denotes H, F or Cl, and Z.sub.2 denotes H or F.

摘要翻译： 由以下通式（1）表示的硅环己烷化合物：其中R表示碳原子数为1〜10的直链烷基，碳数为1的单或二氟烷基 1-10，碳数为3-8的支链烷基，碳数为2-7的烷氧基烷基或碳数为2-8的烯基，以及至少一个 “IMAGE”和“IMAGE”表示反式-1-硅烷-1,4-亚环己基或反式-4-硅烷-1,4-亚环己基，其位置1或位置4的硅的取代基为H ，F，Cl或CH 3，另一个是反式-1,4-亚环己基，X表示CN，F，F，Cl，CF 3，OCF 3，OCHF 2，OCHFCl，CF 2 Cl，OCF 2 Cl，R或OR基， H，F或Cl，Z2表示H或F.

公开(公告)号：US08247166B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12549792

申请日：2009-08-28

申请人： Katsuya Takemura ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Hatakeyama ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Katsuya Takemura ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Hatakeyama ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322

摘要： A double pattern is formed by coating a first positive resist composition onto a substrate, patternwise exposure to radiation, and development with alkaline developer to form a first resist pattern; applying heat and/or radiation to render the first resist pattern insoluble in a second solvent and in a second developer; coating a second resist composition on the first resist pattern, patternwise exposure to radiation, and development with second developer to form a second resist pattern. The resin in the first resist composition comprises recurring units of formula (1) wherein R1 is H, CH3 or CF3, m=1 or 2, n=0 or 1.

摘要翻译： 通过将第一正性抗蚀剂组合物涂布在基材上，图案地暴露于辐射并用碱性显影剂显影以形成第一抗蚀剂图案形成双重图案; 施加热和/或辐射以使第一抗蚀剂图案不溶于第二溶剂和第二显影剂; 在第一抗蚀剂图案上涂覆第二抗蚀剂组合物，图案地暴露于辐射，并用第二显影剂显影以形成第二抗蚀剂图案。 第一抗蚀剂组合物中的树脂包含式（1）的重复单元，其中R 1是H，CH 3或CF 3，m = 1或2，n = 0或1。

公开(公告)号：US07741015B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12029940

申请日：2008-02-12

申请人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Yoshio Kawai ,  Katsuya Takemura

发明人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Yoshio Kawai ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

摘要： A pattern is formed by applying a positive resist composition comprising a polymer comprising 7-oxanorbornane ring-bearing recurring units and acid labile group-bearing recurring units and an acid generator onto a substrate to form a resist film, heat treating and exposing the resist film to radiation, heat treating and developing the resist film with a developer, and causing the resist film to crosslink and cure with the aid of acid and/or heat. A second resist pattern is then formed in the space area of the first resist pattern. The double patterning process reduces the pitch between patterns to one half.

摘要翻译： 通过在基材上涂布含有包含含有7-氧代降冰片烷环的重复单元和含酸不稳定基团的重复单元的聚合物和酸产生剂的正性抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，对抗蚀剂膜进行热处理和曝光来形成图案 用显影剂进行辐射，热处理和显影抗蚀剂膜，并使抗蚀剂膜在酸和/或热的帮助下交联和固化。 然后在第一抗蚀剂图案的空间区域中形成第二抗蚀剂图案。 双重图案化工艺将图案之间的间距缩小到一半。

公开(公告)号：US08168367B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12457192

申请日：2009-06-03

申请人： Satoshi Watanabe ,  Akinobu Tanaka ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

发明人： Satoshi Watanabe ,  Akinobu Tanaka ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/028

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

摘要： The present invention relates to: a resist composition such as a chemically amplified resist composition for providing an excellent pattern profile even at a substrate-side boundary face of resist, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a patterning process utilizing the resist composition. The present invention provides a chemically amplified resist composition comprising one or more kinds of amine compounds or amine oxide compounds (except for those having a nitrogen atom of amine or amine oxide included in a ring structure of an aromatic ring) at least having a carboxyl group and having no hydrogen atoms covalently bonded to a nitrogen atom as a basic center.

摘要翻译： 本发明涉及：抗蚀剂组合物，例如化学放大抗蚀剂组合物，除了在微制造的光刻中具有更高分辨率之外，甚至在抗蚀剂的衬底侧边界面上也提供优异的图案图形，特别是在光刻 采用KrF激光，ArF激光，F2激光，超短紫外光，电子束，X射线等作为曝光源; 以及利用抗蚀剂组合物的图案化工艺。 本发明提供一种化学放大抗蚀剂组合物，其包含至少具有羧基的一种或多种胺化合物或氧化胺化合物（除了具有包含在芳环的环结构中的胺或胺氧化物的氮原子的那些） 并且不具有与氮原子共价键合的氢原子作为碱性中心。

公开(公告)号：US20110183262A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13013143

申请日：2011-01-25

申请人： Wataru Kusaki ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

发明人： Wataru Kusaki ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： A positive resist composition is provided comprising an acid generator, a resin component which generates resin-solubilizing groups under the action of acid so that the resin component becomes soluble in an alkaline developer, at least some resin-solubilizing groups being carboxyl groups, and a compound for activating or condensing a carboxyl group. When processed by the lithography, the resist composition forms a resist pattern having a very high resolution and good mask fidelity.

摘要翻译： 提供了一种正性抗蚀剂组合物，其包含酸产生剂，在酸的作用下产生树脂增溶基团的树脂组分，使得树脂组分变得可溶于碱性显影剂，至少一些树脂增溶基团为羧基， 用于活化或缩合羧基的化合物。 当通过光刻处理时，抗蚀剂组合物形成具有非常高的分辨率和良好的掩模保真度的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US07919226B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12222645

申请日：2008-08-13

申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuhiro Kobayashi

发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuhiro Kobayashi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30 ,  C07C309/06

CPC分类号： C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07D307/64 ,  C07D307/68 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Sulfonate salts have the formula:CF3—CH(OCOR)—CF2SO3−M+ wherein R is C1-C20 alkyl or C6-C14 aryl, and M+ is a lithium, sodium, potassium, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oximesulfonates and sulfonyloxyimides and other compounds derived from these sulfonate salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

摘要翻译： 磺酸盐具有式：CF 3 -CH（OCOR）-CF 2 SO 3 -M +，其中R是C 1 -C 20烷基或C 6 -C 14芳基，M +是锂，钠，钾，铵或四甲基铵离子。 鎓盐，肟磺酸盐和磺酰氧基酰亚胺以及衍生自这些磺酸盐的其它化合物是化学放大抗蚀剂组合物中有效的光致酸产生剂。

公开(公告)号：US20100297563A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12785930

申请日：2010-05-24

申请人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist modifying composition comprises a base resin comprising recurring units having formula (1) wherein A1 is alkylene, R1 is H or methyl, R2 is alkyl or bond together to form a nitrogen-containing heterocycle, and an alcohol-based solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包括含有式（1）的重复单元的基础树脂，其中A1是亚烷基，R1是H或甲基，R2是烷基或键合在一起形成含氮杂环，和醇类溶剂。

公开(公告)号：US20100151381A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12636546

申请日：2009-12-11

申请人： Seiichiro TACHIBANA ,  Kazumi Noda ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Takeshi Kinsho

发明人： Seiichiro TACHIBANA ,  Kazumi Noda ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08L31/02 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/091 ,  C09D133/16 ,  C08L2666/02

摘要： A composition comprising (A) a fluorinated polymer having k=0.01-0.4 and n=1.4-2.1 and (B) an aromatic ring-bearing polymer having k=0.3-1.2 is used to form an antireflective coating. The ARC-forming composition can be deposited by the same process as prior art ARCs. The resulting ARC is effective in preventing reflection of exposure light in photolithography and has an acceptable dry etching rate.

摘要翻译： 包含（A）具有k = 0.01-0.4和n = 1.4-2.1的氟化聚合物和（B）具有k = 0.3-1.2的含芳环的聚合物的组合物用于形成抗反射涂层。 ARC形成组合物可以通过与现有技术ARC相同的方法沉积。 所得到的ARC有效地防止曝光光在光刻中的反射并且具有可接受的干蚀刻速率。

公开(公告)号：US20090202943A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12370652

申请日：2009-02-13

申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Masaki Ohashi ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Masaki Ohashi ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03F7/00 ,  C08F228/02 ,  C08F24/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/143

摘要： A positive resist composition comprises a polymer comprising recurring units having a sulfonium salt incorporated therein as a base resin which becomes soluble in alkaline developer under the action of acid. The polymer generates a strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation so as to facilitate effective scission of acid labile groups in the resist composition.

摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包含含有其中掺入其中的锍盐作为基础树脂的重复单元的聚合物，其在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂。 聚合物在暴露于高能量辐射时产生强烈的磺酸，以促进抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的有效断裂。