公开(公告)号：US20070142017A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US10560398

申请日：2004-06-11

申请人： Takefumi Nishimuta ,  Hiroshi Miyagi ,  Tadahiro Ohmi ,  Shigetoshi Sugawa ,  Akinobu Teramoto

发明人： Takefumi Nishimuta ,  Hiroshi Miyagi ,  Tadahiro Ohmi ,  Shigetoshi Sugawa ,  Akinobu Teramoto

IPC分类号： H04B1/26 ,  H04B1/28

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D2200/0033 ,  H03D2200/0047

摘要： A mixer circuit is configured using a CMOS transistor (800), comprising a p-channel transistor (840A) and an n-channel transistor (840B) in which semiconductor substrates (810A, 810) with at least two crystal planes and a gate insulator (820A) formed on at least two of the crystal planes on the semiconductor substrate are comprised and the channel width of a channel formed in the semiconductor substrate along with the gate insulator is represented by summation of each of the channel widths of channels individually formed on said at least two crystal planes. Such a configuration allows reduction of 1/f noise, DC offset generated in output signals due to variation in electrical characteristics of a transistor element, and signal distortion based on the channel length modulation effect.

摘要翻译： 使用CMOS晶体管（800）构成混频器电路，其包括p沟道晶体管（840A）和n沟道晶体管（840B），其中具有至少两个晶体面的半导体衬底（810A，810）和 包括形成在半导体衬底上的至少两个晶面上的栅极绝缘体（820A），并且与栅极绝缘体一起形成在半导体衬底中的沟道的沟道宽度由每个沟道宽度的和 在所述至少两个晶面上分别形成的通道。 这样的配置允许减少由于晶体管元件的电特性的变化而在输出信号中产生的1 / f噪声，DC偏移以及基于沟道长度调制效应的信号失真。

公开(公告)号：US20070023780A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US10558760

申请日：2004-05-31

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L21/82385 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/785

摘要： A gate insulating film is formed using a plasma on a three-dimensional silicon substrate surface having a plurality of crystal orientations. The plasma gate insulating film experiences no increase in interface state in any crystal orientations as compared with tat in Si (100) crystal orientation and has a uniform thickness even at corner portions of the three-dimensional structure. By forming a high-quality gate insulating film using a plasma, there can be obtained a semiconductor device having good characteristics.

摘要翻译： 在具有多个晶体取向的三维硅衬底表面上使用等离子体形成栅极绝缘膜。 与Si（100）晶体取向相比，等离子体栅极绝缘膜在任何晶体取向上的界面态没有增加，即使在三维结构的角部也具有均匀的厚度。 通过使用等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，可以获得具有良好特性的半导体器件。

公开(公告)号：US20060264059A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US10568461

申请日：2004-08-12

申请人： Yasuo Kobayashi ,  Kohei Kawamura ,  Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Tatsuya Sugimoto ,  Toshiro Yamada ,  Kimiaki Tanaka

发明人： Yasuo Kobayashi ,  Kohei Kawamura ,  Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Tatsuya Sugimoto ,  Toshiro Yamada ,  Kimiaki Tanaka

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

摘要： The present invention relates to a semiconductor device comprising an insulation film consisting of a fluoridation carbon film that has been subjected to thermal history of 420° C. or lower. The feature of the present invention is that an amount of hydrogen atoms included in the fluoridation carbon film is 3 atomic % or less before the fluoridation carbon film is subjected to the thermal history.

摘要翻译： 本发明涉及一种半导体器件，其包括由经历420℃或更低的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜。 本发明的特征在于，在氟化碳膜经受热历史之前，包含在氟化碳膜中的氢原子数量为3原子％以下。

公开(公告)号：US20060051934A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10544491

申请日：2004-02-02

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76256

摘要： An insulating film is formed as a pore-wall protective film (103) on pore walls in a porous layer (102) by the use of a mixed gas plasma of a noble gas and an insulating film forming gas generated by microwave excitation. As a result, the pore-wall protective film can have film properties as a protective film.

摘要翻译： 通过使用惰性气体的混合气体等离子体和通过微波激发产生的形成绝缘膜的气体，在多孔层（102）的孔壁上形成绝缘膜作为孔壁保护膜（103）。 结果，孔壁保护膜可以具有作为保护膜的膜性质。

公开(公告)号：US09230799B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US13981048

申请日：2012-01-23

申请人： Akinobu Teramoto ,  Hiroshi Kambayashi ,  Hirokazu Ueda ,  Yuichiro Morozumi ,  Katsushige Harada ,  Kazuhide Hasebe ,  Tadahiro Ohmi

发明人： Akinobu Teramoto ,  Hiroshi Kambayashi ,  Hirokazu Ueda ,  Yuichiro Morozumi ,  Katsushige Harada ,  Kazuhide Hasebe ,  Tadahiro Ohmi

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L23/00 ,  H01L29/205 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor device including GaN (gallium nitride) that composes a semiconductor layer and includes forming a gate insulating film, in which at least one film selected from the group of a SiO2 film and an Al2O3 film is formed on a nitride layer containing GaN by using microwave plasma and the formed film is used as at least a part of the gate insulating film.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括构成半导体层并包括形成栅极绝缘膜的GaN（氮化镓），其中在氮化物层上形成选自SiO 2膜和Al 2 O 3膜中的至少一种膜 通过使用微波等离子体形成含GaN的GaN，并且将形成的膜用作栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：US08492879B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12681576

申请日：2008-10-06

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Tomoyuki Suwa ,  Rihito Kuroda ,  Hideo Kudo ,  Yoshinori Hayamizu

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Tomoyuki Suwa ,  Rihito Kuroda ,  Hideo Kudo ,  Yoshinori Hayamizu

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

摘要： On a surface of a semiconductor substrate, a plurality of terraces formed stepwise by an atomic step are formed in the substantially same direction. Using the semiconductor substrate, a MOS transistor is formed so that no step exists in a carrier traveling direction (source-drain direction).

摘要翻译： 在半导体基板的表面上，以大致相同的方向形成有以原子台阶逐步形成的多个台阶。 使用半导体衬底，形成MOS晶体管，使得在载流子行进方向（源 - 漏方向）上不存在台阶。

公开(公告)号：US08362567B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12309245

申请日：2007-07-12

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Rihito Kuroda

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Rihito Kuroda

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

摘要： In a semiconductor device, the degree of flatness of 0.3 nm or less in terms of a peak-to-valley (P-V) value is realized by rinsing a silicon surface with hydrogen-added ultrapure water in a light-screened state and in a nitrogen atmosphere and a contact resistance of 10−11 Ωcm2 or less is realized by setting a work function difference of 0.2 eV or less between an electrode and the silicon. Thus, the semiconductor device can operate on a frequency of 10 GHz or higher.

摘要翻译： 在半导体装置中，以峰 - 谷（PV）值为单位，平坦度为0.3nm以下的程度是通过在加有荧光的状态下加氢的超纯水冲洗硅表面而实现的 通过在电极和硅之间设定0.2eV以下的功函数差来实现10-11＆OHgr·cm 2以下的接触电阻。 因此，半导体器件可以在10GHz或更高的频率上工作。

公开(公告)号：US20120146102A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13372159

申请日：2012-02-13

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Rihito Kuroda

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Rihito Kuroda

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

摘要： An accumulation mode transistor has an impurity concentration of a semiconductor layer in a channel region at a value higher than 2×1017 cm−3 to achieve a large gate voltage swing.

摘要翻译： 累积模式晶体管的沟道区域中的半导体层的杂质浓度高于2×1017cm-3，以实现大的栅极电压摆动。

公开(公告)号：US08030182B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US11992230

申请日：2005-09-20

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Hiroshi Akahori

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Hiroshi Akahori

IPC分类号： H01L21/461 ,  B08B7/04

CPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： By hydrogen-terminating a semiconductor surface using a solution containing HF2− ions and an oxidant, the hydrogen termination can be quickly carried out. In this case, the semiconductor surface is silicon having a (111) surface, a (110) surface, or a (551) surface.

摘要翻译： 通过使用含有HF 2 - 离子和氧化剂的溶液氢终止半导体表面，可以快速进行氢终止。 在这种情况下，半导体表面是具有（111）表面，（110）表面或（551）表面的硅。

公开(公告)号：US20110062460A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12948913

申请日：2010-11-18

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Akihiro Morimoto

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Akihiro Morimoto

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H05B33/28 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5361 ,  H05B33/04

摘要： An organic EL light emitting element is provided with a conductive transparent electrode 3, a counter electrode 8 opposing the conductive transparent electrode 3, an organic EL light emitting layer 6 provided between the conductive transparent electrode 3 and the counter electrode 8, an insulating protection layer 9 provided to cover at least the organic EL light emitting layer 6, and a heat dissipating layer 11 which is brought into contact with the insulating protection layer 9. The conductive transparent electrode has an ITO film including at least one of Hf, V and Zr at least on the surface part on the side of the organic EL light emitting layer 6, and the insulating protection layer 9 includes a nitride film having a thickness of 100 nm or less.

摘要翻译： 有机EL发光元件设置有导电透明电极3，与导电透明电极3相对的对置电极8，设置在导电性透明电极3和对置电极8之间的有机EL发光层6，绝缘保护层 设置为至少覆盖有机EL发光层6，以及与绝缘保护层9接触的散热层11.导电性透明电极具有含有Hf，V，Zr中的至少一种的ITO膜 至少在有机EL发光层6侧的表面部分上，绝缘保护层9包括厚度为100nm以下的氮化物膜。