公开(公告)号：US20130122651A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13812227

申请日：2011-07-26

申请人： Satoru Fujii ,  Takumi Mikawa ,  Haruyuki Sorada

发明人： Satoru Fujii ,  Takumi Mikawa ,  Haruyuki Sorada

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： Each of the step of forming a first variable resistance layer (18a) and the step of forming a second variable resistance layer (18b) includes performing a cycle once or plural times, the cycle consisting of a first step of introducing a source gas composed of molecules containing atoms of a transition metal; a second step of removing the source gas after the first step; a third step of introducing a reactive gas to form a transition metal oxide after the second step; and a fourth step of removing the reactive gas after the third step. The step of forming the first variable resistance layer (18a) is performed in a state in which the substrate is kept at a temperature at which a self-decomposition reaction of the source gas does not occur. One or plural of conditions used for forming the second variable resistance layer (18b) is/are made different from the one or plural conditions used for forming the first variable resistance layer (18a), the conditions being the temperature of the substrate, an amount of the introduced source gas and an amount of the introduced reactive gas.

摘要翻译： 形成第一可变电阻层（18a）的步骤和形成第二可变电阻层（18b）的步骤包括执行一次或多次的循环，所述循环包括：引入由 含有过渡金属原子的分子; 在第一步骤之后除去源气体的第二步骤; 在第二步骤之后引入反应气体以形成过渡金属氧化物的第三步骤; 以及在第三步骤之后除去反应气体的第四步骤。 形成第一可变电阻层（18a）的步骤是在基板保持在不发生源气体的自分解反应的温度的状态下进行的。 使用于形成第二可变电阻层（18b）的一个或多个条件与用于形成第一可变电阻层（18a）的一个或多个条件不同，条件是基板的温度， 的引入源气体和一定量的引入的反应气体。

公开(公告)号：US08309946B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12935455

申请日：2009-07-22

申请人： Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Ryoko Miyanaga ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

发明人： Satoru Mitani ,  Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Ryoko Miyanaga ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： A resistance variable element of the present invention comprises a first electrode (103), a second electrode (107), and a resistance variable layer which is interposed between the first electrode (103) and the second electrode (107) to contact the first electrode (103) and the second electrode (107), the resistance variable layer being configured to change in response to electric signals with different polarities which are applied between the first electrode (103) and the second electrode (107), the resistance variable layer comprising an oxygen-deficient transition metal oxide layer, and the second electrode (107) comprising platinum having minute hillocks (108).

摘要翻译： 本发明的电阻可变元件包括第一电极（103），第二电极（107）和介于第一电极（103）和第二电极（107）之间的电阻变化层，以接触第一电极 （103）和第二电极（107），电阻变化层被配置为响应于施加在第一电极（103）和第二电极（107）之间的具有不同极性的电信号而改变，电阻变化层包括 氧缺乏的过渡金属氧化物层，以及包含具有分开的小丘（108）的铂的第二电极（107）。

公开(公告)号：US20120235111A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13483808

申请日：2012-05-30

申请人： Koichi OSANO ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka

发明人： Koichi OSANO ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  Y10S257/904 ,  Y10S257/924

摘要： A nonvolatile memory apparatus includes a first electrode, a second electrode, a variable resistance layer, a resistance value of the variable resistance layer reversibly varying between a plurality of resistance states based on an electric signal applied between the electrodes. The variable resistance layer includes at least a tantalum oxide, and is configured to satisfy 0

摘要翻译： 非易失性存储装置包括第一电极，第二电极，可变电阻层，基于施加在电极之间的电信号在多个电阻状态之间可逆地变化的可变电阻层的电阻值。 可变电阻层至少包括氧化钽，并且当氧化钽由TaOx表示时，其被构造为满足0

公开(公告)号：US20120112153A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13380159

申请日：2011-07-13

申请人： Takeki Ninomiya ,  Satoru Fujii ,  Yukio Hayakawa ,  Takumi Mikawa

发明人： Takeki Ninomiya ,  Satoru Fujii ,  Yukio Hayakawa ,  Takumi Mikawa

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： Provided is a nonvolatile memory device which requires a lower initializing voltage such that the nonvolatile memory device can be operated at a low voltage. The nonvolatile memory device (10) includes: a first electrode layer (105) formed above a semiconductor substrate (100); a first oxygen-deficient tantalum oxide layer (106x) formed on the first electrode layer (105) and having a composition represented by TaOx where 0.8≦x≦1.9; a second oxygen-deficient tantalum oxide layer (106y) formed on the first oxygen-deficient tantalum oxide layer (106x) and having a composition represented by TaOy where 2.1≦y; and a second electrode layer (107) formed on the second tantalum oxide layer (106y). The second tantalum oxide layer (106y) has a pillar structure including a plurality of pillars.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件，其需要较低的初始化电压，使得非易失性存储器件可以在低电压下操作。 非易失性存储器件（10）包括：形成在半导体衬底（100）上方的第一电极层（105）; 形成在第一电极层（105）上并具有由TaOx表示的组成的第一缺氧钽氧化物层（106x），其中0.8＆lt; 1; x＆nlE; 1.9; 在第一缺氧钽氧化物层（106x）上形成的第二氧缺陷氧化钽层（106y），其具有由TaOy表示的组成，其中2.1＆amp; 和形成在第二钽氧化物层（106y）上的第二电极层（107）。 第二钽氧化物层（106y）具有包括多个柱的柱结构。

公开(公告)号：US08018761B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12519476

申请日：2007-12-20

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Fujii

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Fujii

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/1625 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

摘要： A resistance variable element (10), a resistance variable memory apparatus, and a resistance variable apparatus, comprise a first electrode (2), a second electrode (4), and a resistance variable layer (3) which is disposed between the first electrode (2) and the second electrode (4) and is electrically connected to the first electrode (2) and to the second electrode (4), wherein the resistance variable layer (3) contains a material having a spinel structure which is expressed as a chemical formula of (NixFe1-x) Fe2O4, X being not smaller than 0.35 and not larger than 0.9, wherein the resistance variable element has a characteristic in which an electric resistance between the first electrode (2) and the second electrode (4) decreases by application of a first voltage pulse having a first voltage between the first electrode (2) and the second electrode (4) and increases by application of a second voltage pulse having a second voltage which is different in polarity from the first voltage between the first electrode (2) and the second electrode (4).

摘要翻译： 电阻可变元件（10），电阻可变存储装置和电阻变化装置包括第一电极（2），第二电极（4）和电阻变化层（3） （2）和第二电极（4），并且电连接到第一电极（2）和第二电极（4），其中电阻变化层（3）包含具有尖晶石结构的材料，其表示为 （NixFe1-x）Fe2O4的化学式，X不小于0.35且不大于0.9，其中电阻可变元件具有其中第一电极（2）和第二电极（4）之间的电阻降低的特性 通过施加在第一电极（2）和第二电极（4）之间具有第一电压的第一电压脉冲，并且通过施加具有与第一电压极性不同的第二电压的第二电压脉冲来增加 在第一电极（2）和第二电极（4）之间。

公开(公告)号：US20100232204A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12304075

申请日：2008-03-27

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Fujii

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Fujii

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01C7/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A resistance variable element comprises a first electrode (2), a second electrode (4), and a resistance variable layer (3) which is disposed between the first electrode and the second electrode, and electrically connected to the first electrode and the second electrode, wherein the resistance variable layer comprises material including TaOX (1.6≦X≦2.2), an electric resistance between the first electrode and the second electrode is lowered by application of a first voltage pulse having a first voltage between the first electrode and the second electrode, and the electric resistance between the first electrode and the second electrode is increased by application of a second voltage pulse having a second voltage of the same polarity as the first voltage, between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 电阻可变元件包括设置在第一电极和第二电极之间的第一电极（2），第二电极（4）和电阻变化层（3），并且电连接到第一电极和第二电极 ，其中所述电阻变化层包括包括TaOX（1.6＆amp; Xln; 2.2）的材料，通过在所述第一电极和所述第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲来降低所述第一电极和所述第二电极之间的电阻 电极，并且通过在第一电极和第二电极之间施加具有与第一电压相同极性的第二电压的第二电压脉冲来增加第一电极和第二电极之间的电阻。

公开(公告)号：US20100027320A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12519476

申请日：2007-12-20

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Kiochi Osano ,  Satoru Fujii

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Kiochi Osano ,  Satoru Fujii

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L47/00 ,  G11C8/08

CPC分类号： H01L45/1625 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

摘要： A resistance variable element (10), a resistance variable memory apparatus, and a resistance variable apparatus, comprise a first electrode (2), a second electrode (4), and a resistance variable layer (3) which is disposed between the first electrode (2) and the second electrode (4) and is electrically connected to the first electrode (2) and to the second electrode (4), wherein the resistance variable layer (3) contains a material having a spinel structure which is expressed as a chemical formula of (NixFe1-x) Fe2O4, X being not smaller than 0.35 and not larger than 0.9, wherein the resistance variable element has a characteristic in which an electric resistance between the first electrode (2) and the second electrode (4) decreases by application of a first voltage pulse having a first voltage between the first electrode (2) and the second electrode (4) and increases by application of a second voltage pulse having a second voltage which is different in polarity from the first voltage between the first electrode (2) and the second electrode (4).

摘要翻译： 电阻可变元件（10），电阻可变存储装置和电阻变化装置包括第一电极（2），第二电极（4）和电阻变化层（3） （2）和第二电极（4），并且电连接到第一电极（2）和第二电极（4），其中电阻变化层（3）包含具有尖晶石结构的材料，其表示为 （NixFe1-x）Fe2O4的化学式，X不小于0.35且不大于0.9，其中电阻可变元件具有其中第一电极（2）和第二电极（4）之间的电阻降低的特性 通过施加在第一电极（2）和第二电极（4）之间具有第一电压的第一电压脉冲，并且通过施加具有与第一电压极性不同的第二电压的第二电压脉冲来增加 在第一电极（2）和第二电极（4）之间。

公开(公告)号：US20100008127A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12518400

申请日：2007-12-20

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Kolchi Osano ,  Satoru Fujii

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Kolchi Osano ,  Satoru Fujii

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： A resistance variable element of the present invention and a resistance variable memory apparatus using the resistance variable element are a resistance variable element (10) including a first electrode, a second electrode, and a resistance variable layer (3) provided between the first electrode (2) and the second electrode (4) to be electrically connected to the first electrode (2) and the second electrode (4), wherein the resistance variable layer (3) contains a material having a spinel structure represented by a chemical formula of (ZnxFe1-x)Fe2O4, and the resistance variable element (10) has a feature that an electrical resistance between the first electrode (2) and the second electrode (4) increases by applying a first voltage pulse to between the first electrode (2) and the second electrode (4), and the electrical resistance between the first electrode (2) and the second electrode (4) decreases by applying a second voltage pulse whose polarity is the same as the first voltage pulse to between the first electrode (2) and the second electrode (4), and a resistance variable memory apparatus using the resistance variable element (10).

摘要翻译： 本发明的电阻可变元件和使用该电阻可变元件的电阻变化存储装置是包括第一电极，第二电极和电阻变化层（3）的电阻变化元件（10） 2）和与第一电极（2）和第二电极（4）电连接的第二电极（4），其中电阻变化层（3）包含具有由以下化学式表示的尖晶石结构的材料：（ Zn x Fe 1-x）Fe 2 O 4，并且电阻可变元件（10）具有通过在第一电极（2）和第二电极（2）之间施加第一电压脉冲来增加第一电极（2）和第二电极 和第二电极（4），并且第一电极（2）和第二电极（4）之间的电阻通过施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲而减小 （2）和第二电极（4）之间，以及使用该电阻变化元件（10）的电阻变化存储装置。

公开(公告)号：US20050218756A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11097924

申请日：2005-04-01

申请人： Satoru Fujii ,  Takeshi Kamada ,  Atsushi Tomozawa ,  Eiji Fujii

发明人： Satoru Fujii ,  Takeshi Kamada ,  Atsushi Tomozawa ,  Eiji Fujii

IPC分类号： B41J2/01 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  G01C19/56 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC分类号： B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  G01C19/5607 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

摘要： In a piezoelectric element, a cubic or tetragonal orientation control layer (15) is provided on a first electrode layer (14), and formed on the orientation control layer (15) is a piezoelectric layer (16) having a rhombohedral or tetragonal crystalline structure and made of lead zirconate titanate to which a Pb-containing complex perovskite compound expressed by the chemical formula Pb(AaBb)O3 has been added in an amount that is from 1 mol % to 50 mol %. The piezoelectric layer (16) is formed so that the crystal grains thereof become columnar grains which extend in the thickness direction of the piezoelectric layer (16) and in which the ratio of the average cross-sectional diameter to the length is from 1/50 to 1/14.

摘要翻译： 在压电元件中，在第一电极层（14）上设置立方或四方取向控制层（15），并且在取向控制层（15）上形成具有菱形或四边形晶体结构的压电层（16） 并由化学式Pb（A a B b B b）O 3表示的含Pb复合钙钛矿化合物的锆钛酸铅制成， 的添加量为1摩尔％〜50摩尔％。 形成压电体层16，使其晶粒成为在压电体层16的厚度方向上延伸的柱状晶粒，其平均截面直径与长度的比率为1/50 到1/14。

公开(公告)号：US06943990B1

公开(公告)日：2005-09-13

申请号：US09787480

申请日：1999-09-16

申请人： Kazuo Yokoyama ,  Shinichi Yamamoto ,  Yousuke Irie ,  Hideki Kuwajima ,  Kenichi Sakamoto ,  Kaoru Matsuoka ,  Isaku Kanno ,  Satoru Fujii

发明人： Kazuo Yokoyama ,  Shinichi Yamamoto ,  Yousuke Irie ,  Hideki Kuwajima ,  Kenichi Sakamoto ,  Kaoru Matsuoka ,  Isaku Kanno ,  Satoru Fujii

IPC分类号： G11B5/48 ,  G11B5/55 ,  G11B21/24

CPC分类号： G11B5/4853 ,  G11B5/484 ,  G11B5/5552

摘要： A head support mechanism includes a head and a slider for carrying the head, the head being caused to track by main driver, wherein the head support mechanism further includes sub-driving device including a thin film and causing the head to have a micro-movement; and the sub-driving device causes the head to have a micro-movement by utilizing flexural deformation of the thin film.

摘要翻译： 头部支撑机构包括用于承载头部的头部和滑块，头部被主要驱动器跟踪，其中头部支撑机构还包括具有薄膜的副驱动装置，并使头部具有微动作 ; 并且副驱动装置通过利用薄膜的弯曲变形使头部具有微移动。