公开(公告)号：US5231294A

公开(公告)日：1993-07-27

申请号：US679991

申请日：1991-03-29

申请人： Teruaki Takeuchi ,  Masaaki Futamoto ,  Yukio Honda ,  Kazumasa Takagi ,  Yoshiyuki Hirayama

发明人： Teruaki Takeuchi ,  Masaaki Futamoto ,  Yukio Honda ,  Kazumasa Takagi ,  Yoshiyuki Hirayama

IPC分类号： G11B5/66 ,  H01F10/28 ,  H01F10/32

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11B5/66 ,  H01F10/28 ,  H01F10/324 ,  Y10T428/12465

摘要： A ferromagnetic thin film of manganese and aluminum having varied atomic concentrations of manganese and aluminum in the direction perpendicular to the film plane, preferably the Mn atomic concentration being preferably in a range of 45 to 65% by atom, has a spontaneous magnetization equivalent to that of the bulk of manganese-aluminum alloy and also a high magnetic anisotropy.In addition, a magnetic recording medium comprises a substrate and a magnetic film formed on the substrate, the magnetic film being a thin film in a stacked structure of thin layers of manganese and thin layers of aluminum, laid open upon one another alternatingly in the film thickness direction.Finally, a manganese-silicon magnetic multi-layer film comprises thin layers of manganese and thin layers of silicon laid upon one another alternatingly.

摘要翻译： 锰和铝的铁磁薄膜在垂直于膜平面的方向上具有不同的锰和铝原子浓度，优选Mn原子浓度优选在45至65原子％的范围内，具有等同于其的自发磁化强度 的大量锰 - 铝合金，也具有高磁各向异性。 此外，磁记录介质包括基板和形成在基板上的磁性膜，该磁性膜是薄膜层叠结构的薄膜和薄层的铝层，在薄膜中交替地相互铺设 厚度方向。 最后，锰 - 硅磁性多层膜交替地包含彼此相互沉积的锰和薄层的薄层。

公开(公告)号：US5165981A

公开(公告)日：1992-11-24

申请号：US746093

申请日：1991-08-12

申请人： Akira Yamakawa ,  Tadashi Igarashi

发明人： Akira Yamakawa ,  Tadashi Igarashi

IPC分类号： G11B5/31 ,  H01F10/28 ,  H01F41/20

CPC分类号： H01F10/28 ,  G11B5/31 ,  H01F41/20 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/265

摘要： A ceramic substrate which comprises a ceramic base material having porosity of not more than 5% and surface roughness R.sub.max of not larger than 0.1 .mu.m, and an amorphous aluminum oxide film having thickness of 1 to 50 .mu.m formed on a surface of said ceramic base material, has high reliability and can be easily surface finished with high accuracy and can be used to form a thin film magnetic circuit.

摘要翻译： 一种陶瓷基板，其特征在于，具有孔隙率为5％以下，表面粗糙度Rmax为0.1μm以下的陶瓷基材，以及形成在所述陶瓷的表面上的厚度为1〜50μm的无定形氧化铝膜 基材，具有高可靠性，可以高精度地进行表面精加工，可用于形成薄膜磁路。

公开(公告)号：US4226681A

公开(公告)日：1980-10-07

申请号：US916540

申请日：1978-06-19

申请人： Ryuji Shirahata ,  Tatsuji Kitamoto

发明人： Ryuji Shirahata ,  Tatsuji Kitamoto

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/64 ,  G11B5/73 ,  G11B5/738 ,  G11B5/85 ,  H01F10/28 ,  H01F41/14 ,  H01F41/20 ,  C25D5/00

CPC分类号： H01F41/14 ,  G11B5/85 ,  H01F10/28

摘要： This invention relates to a process for the production of a magnetic recording medium, which comprises heating a substrate or subbing layer containing copper as a main component at a temperature of about 100.degree. to 350.degree. C. and, at the same time, vapor depositing in vacuum a ferromagnetic metal containing cobalt as a main component on the substrate or subbing layer to thus form a magnetic recording layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造磁记录介质的方法，该方法包括在约100℃至350℃的温度下加热含有铜作为主要成分的基底或底层，同时，蒸气沉积 在真空中含有钴作为主要成分的铁磁性金属在衬底或底层上，从而形成磁记录层。

公开(公告)号：US4177297A

公开(公告)日：1979-12-04

申请号：US765157

申请日：1977-02-04

申请人： Richard M. Josephs

发明人： Richard M. Josephs

IPC分类号： G11C19/08 ,  H01F10/24 ,  H01F10/28 ,  H01F41/14 ,  H01F41/28 ,  H01F10/02

CPC分类号： H01F10/24 ,  G11C19/0808 ,  H01F10/28 ,  H01F41/14 ,  H01F41/28

摘要： The disclosure teaches how binary information may be stabilized in magnetic bubble lattice devices. In bubble lattice devices, information storage is determined by the state of the domain wall structure of the bubble. Fabrication means are disclosed for stabilizing two different types of bubbles found in such films.

摘要翻译： 该公开内容教导了二氧化碳信息如何在磁性气泡点阵器件中稳定。 在气泡晶格装置中，信息存储由气泡的畴壁结构的状态决定。 公开了用于稳定在这种膜中发现的两种不同类型的气泡的制造装置。

公开(公告)号：US4169189A

公开(公告)日：1979-09-25

申请号：US810089

申请日：1977-06-27

申请人： William T. Stacy ,  Antonius B. Voermans ,  Hans Logmans

发明人： William T. Stacy ,  Antonius B. Voermans ,  Hans Logmans

IPC分类号： C30B29/28 ,  H01F10/24 ,  H01F10/28 ,  H01F10/02

CPC分类号： H01F10/24 ,  H01F10/28 ,  Y10S428/90

摘要： A magnetic structure for the propagation of magnetic bubbles at elevated velocity. A magnetic bubble layer is grown on a [110] face of a substrate, the lattice misfit being between -6.times.10.sup.-3 and -2.times.10.sup.-3, and the magnetic layer having a composition on the basis of europium-iron garnet and a damping parameter .ltoreq.3.times.10.sup.-7 Oe.sup.2 sec/rad.

摘要翻译： 用于在升高的速度下传播磁性气泡的磁结构。 磁性气泡层生长在基底的[110]面上，晶格失配在-6×10 -3和-2×10 -3之间，磁性层的组成基于铕 - 铁石榴石和阻尼参数

公开(公告)号：US3525635A

公开(公告)日：1970-08-25

申请号：US3525635D

申请日：1965-07-01

申请人： MINNESOTA MINING & MFG

发明人： HALLER WILLIS DALE

IPC分类号： H01F10/10 ,  H01F10/28 ,  H01F10/06

CPC分类号： H01F10/28 ,  H01F10/10 ,  Y10S428/928 ,  Y10S428/936 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/12111 ,  Y10T428/12542 ,  Y10T428/12556 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31692

公开(公告)号：US3480922A

公开(公告)日：1969-11-25

申请号：US3480922D

申请日：1965-05-05

申请人： IBM

发明人： FLUR BARRY L ,  DAVIDSE PIETER D ,  MAISSEL LEON I

IPC分类号： G11C11/14 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  G11B5/738 ,  H01F10/26 ,  H01F10/28 ,  H01F10/30 ,  G11B5/62

CPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  G11B5/738 ,  H01F10/28 ,  H01F10/30

公开(公告)号：US3373413A

公开(公告)日：1968-03-12

申请号：US32021063

申请日：1963-10-30

申请人： IBM

发明人： TRESEDER ROBERT C

IPC分类号： G11B5/64 ,  G11B5/82 ,  G11B17/32 ,  H01F10/28

CPC分类号： G11B17/32 ,  G11B5/64 ,  G11B5/82 ,  G11B5/825 ,  H01F10/28 ,  Y10T29/49867

公开(公告)号：US20170229643A1

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：US15424515

申请日：2017-02-03

申请人： NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE

发明人： Jiamin CHEN ,  Yuya SAKURABA ,  Jun LIU ,  Hiroaki SUKEGAWA ,  Kazuhiro HONO

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/30 ,  H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/28

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/28 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： To provide a key monocrystalline magnetoresistance element necessary for accomplishing mass production and cost reduction for applying a monocrystalline giant magnetoresistance element using a Heusler alloy to practical devices. A monocrystalline magnetoresistance element of the present invention includes a silicon substrate 11, a base layer 12 having a B2 structure laminated on the silicon substrate 11, a first non-magnetic layer 13 laminated on the base layer 12 having a B2 structure, and a giant magnetoresistance effect layer 17 having at least one laminate layer including a lower ferromagnetic layer 14, an upper ferromagnetic layer 16, and a second non-magnetic layer 15 disposed between the lower ferromagnetic layer 14 and the upper ferromagnetic layer 16.

公开(公告)号：US07285338B2

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US10343480

申请日：2001-07-30

申请人： Osamu Yamashita ,  Ken Makita

发明人： Osamu Yamashita ,  Ken Makita

IPC分类号： B32B7/02 ,  B32B15/01 ,  B32B15/04

CPC分类号： H01F10/3222 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/00 ,  C23C14/16 ,  H01F10/007 ,  H01F10/126 ,  H01F10/28 ,  H01F10/3227 ,  H01F41/302 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/12937 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/32 ,  Y10T428/325

摘要： An anisotropic thin-film rare-earth permanent magnet endowed with high magnetic characteristics by rendering a vapor-phase-grown thin film anisotropic in the layering direction. The atomic laminate units are formed by laminating a monoatomic layer of a rare earth element on a substrate of a non-magnetic material having, a flat smoothness and then by laminating an atomic laminate of a transition metal element having a plurality of monoatomic layers of a transition metal element, so that the atomic laminate units of a characteristic construction are laminated in a plurality of layers. As a result, each atomic laminate of the transition metal element has an easy magnetizable axis in the laminate direction of the monoatomic layers and which are sandwiched between a monoatomic layer of a rare-earth element so that an inverse magnetic domain is suppressed to establish a strong coercive force. Moreover, the content of the transition metal element to the rare-earth metal is raised to improve the residual magnetic flux density drastically.

摘要翻译： 通过在层叠方向上使气相生长的薄膜各向异性，赋予具有高磁特性的各向异性薄膜稀土永磁体。 原子层压单元是通过在具有平滑光滑性的非磁性材料的基材上层叠稀土元素的单原子层，然后层叠具有多个单原子层的过渡金属元素的原子层叠体而形成的 过渡金属元素，使得特征构造的原子层压单元层叠成多层。 结果，过渡金属元素的每个原子层叠体在单原子层的层叠方向上具有易磁化轴，并且夹在稀土元素的单原子层之间，从而抑制反磁畴以建立 强矫治力。 此外，过渡金属元素向稀土金属的含量升高，从而提高残留磁通密度。