公开(公告)号：US4697101A

公开(公告)日：1987-09-29

申请号：US645392

申请日：1984-08-29

申请人： Hiroshi Iwahashi ,  Masamichi Asano ,  Masaki Momodomi ,  Hidenobu Minagawa ,  Kazuto Suzuki ,  Akira Narita

发明人： Hiroshi Iwahashi ,  Masamichi Asano ,  Masaki Momodomi ,  Hidenobu Minagawa ,  Kazuto Suzuki ,  Akira Narita

IPC分类号： G11C16/12 ,  G11C16/30 ,  H03K19/096 ,  G06F7/38 ,  H03K17/16

CPC分类号： G11C16/30 ,  G11C16/12

摘要： A semiconductor integrated circuit which has a CMOS inverter formed of p- and n-channel MOSFETs, and a D-type n-channel MOSFET coupled at the gate to the output terminal of the CMOS inverter, having one end coupled to a high voltage terminal and the other end coupled to the drain of the p-channel MOSFET.

摘要翻译： 一种半导体集成电路，其具有由p-沟道MOSFET和n沟道MOSFET形成的CMOS反相器，以及在栅极处连接到CMOS反相器的输出端的D型n沟道MOSFET，其一端耦合到高电压端子 另一端耦合到p沟道MOSFET的漏极。

公开(公告)号：US4593203A

公开(公告)日：1986-06-03

申请号：US465034

申请日：1983-02-08

申请人： Hiroshi Iwahashi ,  Masamichi Asano

发明人： Hiroshi Iwahashi ,  Masamichi Asano

IPC分类号： H03K5/13 ,  G11C7/14 ,  G11C11/56 ,  G11C16/28 ,  H01H13/14 ,  H01H13/702 ,  H01H13/712 ,  H01L21/82 ,  H03K3/353 ,  H03K3/354 ,  H03K17/687 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/173 ,  H03K19/094 ,  H03K5/12 ,  H03K19/017 ,  H03K19/20

CPC分类号： H03K3/354 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/28 ,  G11C7/14 ,  H03K19/1733 ,  G11C7/06

摘要： The invention provides a semiconductor integrated circuit, characteristics of which can be adjusted in accordance with storage data in a nonvolatile memory element. The semiconductor integrated circuit has a main semiconductor circuit having MOS transistors, and an adjusting circuit connected to the main semiconductor circuit so as to change the circuit characteristics of the main semiconductor circuit as needed. The adjusting circuit has MOS transistors and a plurality of fuse elements. The adjusting circuit causes a given fuse element to selectively disconnect in accordance with an input signal and generates at least one adjusting signal to adjust the circuit characteristics of the main semiconductor circuit.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体集成电路，其特性可以根据非易失性存储元件中的存储数据进行调整。 半导体集成电路具有具有MOS晶体管的主半导体电路和连接到主半导体电路的调整电路，以便根据需要改变主半导体电路的电路特性。 调节电路具有MOS晶体管和多个熔丝元件。 调整电路使得给定的熔丝元件根据输入信号有选择地断开，并产生至少一个调整信号以调整主半导体电路的电路特性。

公开(公告)号：US4385337A

公开(公告)日：1983-05-24

申请号：US273183

申请日：1981-06-12

申请人： Masamichi Asano ,  Hiroshi Iwahashi ,  Ichiro Kobayashi

发明人： Masamichi Asano ,  Hiroshi Iwahashi ,  Ichiro Kobayashi

IPC分类号： H03F1/52 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H02H7/20 ,  H03F1/42 ,  H03K17/0812 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003 ,  H02H3/20

CPC分类号： H03K19/00315 ,  H01L27/0251 ,  H01L29/78 ,  H03K17/08122 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/0016

摘要： A protected MOS transistor circuit includes an input MOS transistor and a depletion mode MOS transistor having a drain-source current path connected between ground and the gate of the input MOS transistor of obviating rupture of the gate oxide of the input MOS transistor when power is off. The depletion mode MOS transistor's gate receives a control signal only when power is on which renders the depletion mode MOS transistor nonconductive when power is on. The depletion mode MOS transistor is conductive when power is off.

摘要翻译： 受保护的MOS晶体管电路包括输入MOS晶体管和耗尽型MOS晶体管，其漏极 - 源极电流路径连接在输入MOS晶体管的地与栅极之间，当电源关断时，输入MOS晶体管的栅极氧化物不会破裂 。 耗尽型MOS晶体管的栅极仅在电源接通时接收控制信号，当电源接通时，耗尽型MOS晶体管不导通。 耗尽型MOS晶体管在断电时导通。

公开(公告)号：US4365316A

公开(公告)日：1982-12-21

申请号：US124772

申请日：1980-02-26

申请人： Hiroshi Iwahashi ,  Masamichi Asano

发明人： Hiroshi Iwahashi ,  Masamichi Asano

IPC分类号： H03K19/0175 ,  G11C5/06 ,  G11C5/14 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  H03K17/693 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/173 ,  G11C11/40 ,  G11C7/00

CPC分类号： H03K19/1732 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C5/066 ,  G11C5/143 ,  G11C5/147

摘要： A multifunction terminal circuit having an optional circuit (12) a signal terminal (10) connected to the optional circuit; an unidirectional conductor means (14) connected to the signal terminal; and a circuit means (16) whose coupling node (A) is coupled with the signal terminal through the unidirectional conductor means.The circuit means determines a conduction state of the unidirectional conductor means in accordance with a potential difference between the signal terminal and the coupling node.

摘要翻译： 一种具有可选电路（12）的多功能终端电路，连接到所述可选电路的信号端子（10） 连接到信号端子的单向导体装置（14）; 以及其耦合节点（A）通过单向导体装置与信号端子耦合的电路装置（16）。 电路装置根据信号端子和耦合节点之间的电位差来确定单向导体装置的导通状态。