公开(公告)号：US08389337B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12655588

申请日：2009-12-31

申请人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan

发明人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan

IPC分类号： H01L23/60

CPC分类号： H05K1/112 ,  G06F1/183 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include attaching a patch structure to an interposer by thermal compression bonding, forming an underfill around an array of interconnect structures disposed on a top surface of the interposer, curing the underfill, and then attaching a die to the patch structure.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过热压粘合将贴片结构附接到插入件，在布置在插入件的顶表面上的互连结构的阵列周围形成底部填充物，固化底部填充物，然后将裸片附接到贴片结构。

公开(公告)号：US08381393B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12655406

申请日：2009-12-30

申请人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan ,  Sridhar Narasimhan

发明人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan ,  Sridhar Narasimhan

IPC分类号： H01K3/10

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49124 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include attaching a patch to an interposer, forming at least one interconnect structure above and on a top surface of the interposer; and attaching a flex connector to the at least one interconnect structure.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括将贴片附接到插入器，在插入器的顶表面上方和顶部表面上形成至少一个互连结构; 以及将柔性连接器附接到所述至少一个互连结构。

公开(公告)号：US20130141859A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13753863

申请日：2013-01-30

申请人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan

发明人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan

IPC分类号： H05K1/11 ,  G06F1/18

CPC分类号： H05K1/112 ,  G06F1/183 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include attaching a patch structure to an interposer by thermal compression bonding, forming an underfill around an array of interconnect structures disposed on a top surface of the interposer, curing the underfill, and then attaching a die to the patch structure.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过热压粘合将贴片结构附接到插入件，在布置在插入件的顶表面上的互连结构的阵列周围形成底部填充物，固化底部填充物，然后将裸片附接到贴片结构。

公开(公告)号：US09999129B2

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：US12590650

申请日：2009-11-12

申请人： John S. Guzek ,  Mihir K. Roy ,  Brent M. Roberts

发明人： John S. Guzek ,  Mihir K. Roy ,  Brent M. Roberts

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/498 ,  H01L23/64 ,  H05K1/16 ,  H01L23/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11

CPC分类号： H05K1/165 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0254 ,  H05K1/0262 ,  H05K1/116 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09527 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2203/1572 ,  H01L2924/00

摘要： A microelectronic device comprises a first substrate (110) having a first electrically conductive path (111) therein and a second substrate (120) above the first substrate and having a second electrically conductive path (121) therein, wherein the first electrically conductive path and the second electrically conductive path are electrically connected to each other and form a portion of a current loop (131) of an inductor (130).

公开(公告)号：US08440506B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13546549

申请日：2012-07-11

申请人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Sriniyasan ,  Sridhar Narasimhan

发明人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Sriniyasan ,  Sridhar Narasimhan

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  Y10T29/49133

摘要： A microelectronic package includes first substrate (120) having first surface area (125) and second substrate (130) having second surface area (135). The first substrate includes first set of interconnects (126) having first pitch (127) at first surface (121) and second set of interconnects (128) having second pitch (129) at second surface (222). The second substrate is coupled to the first substrate using the second set of interconnects and includes third set of interconnects (236) having third pitch (237) and internal electrically conductive layers (233, 234) connected to each other with microvia (240). The first pitch is smaller than the second pitch, the second pitch is smaller than the third pitch, and the first surface area is smaller than the second surface area.

摘要翻译： 微电子封装包括具有第一表面区域（125）的第一衬底（120）和具有第二表面区域（135）的第二衬底（130）。 第一衬底包括在第一表面处具有第一间距（127）的第一组互连（126）和在第二表面（222）处具有第二间距（129）的第二组互连（128）。 第二衬底使用第二组互连件耦合到第一衬底，并且包括具有第三间距（237）的第三组互连（236）和用微孔（240）彼此连接的内部导电层（233,234）。 第一间距小于第二间距，第二间距小于第三间距，第一表面积小于第二表面积。

公开(公告)号：US20110156276A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12655588

申请日：2009-12-31

申请人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srninivasan

发明人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srninivasan

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K1/112 ,  G06F1/183 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include attaching a patch structure to an interposer by thermal compression bonding, forming an underfill around an array of interconnect structures disposed on a top surface of the interposer, curing the underfill, and then attaching a die to the patch structure.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过热压粘合将贴片结构附接到插入件，在布置在插入件的顶表面上的互连结构的阵列周围形成底部填充物，固化底部填充物，然后将裸片附接到贴片结构。

公开(公告)号：US08659171B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13753863

申请日：2013-01-30

申请人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan

发明人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H05K1/112 ,  G06F1/183 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include attaching a patch structure to an interposer by thermal compression bonding, forming an underfill around an array of interconnect structures disposed on a top surface of the interposer, curing the underfill, and then attaching a die to the patch structure.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过热压粘合将贴片结构附接到插入件，在布置在插入件的顶表面上的互连结构的阵列周围形成底部填充物，固化底部填充物，然后将裸片附接到贴片结构。

公开(公告)号：US08278752B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12646854

申请日：2009-12-23

申请人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan ,  Sridhar Narasimhan

发明人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Srinivasan ,  Sridhar Narasimhan

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  Y10T29/49133

摘要： A microelectronic package includes first substrate (120) having first surface area (125) and second substrate (130) having second surface area (135). The first substrate includes first set of interconnects (126) having first pitch (127) at first surface (121) and second set of interconnects (128) having second pitch (129) at second surface (222). The second substrate is coupled to the first substrate using the second set of interconnects and includes third set of interconnects (236) having third pitch (237) and internal electrically conductive layers (233, 234) connected to each other with microvia (240). The first pitch is smaller than the second pitch, the second pitch is smaller than the third pitch, and the first surface area is smaller than the second surface area.

摘要翻译： 微电子封装包括具有第一表面区域（125）的第一衬底（120）和具有第二表面区域（135）的第二衬底（130）。 第一衬底包括在第一表面处具有第一间距（127）的第一组互连（126）和在第二表面（222）处具有第二间距（129）的第二组互连（128）。 第二衬底使用第二组互连件耦合到第一衬底，并且包括具有第三间距（237）的第三组互连（236）和用微孔（240）彼此连接的内部导电层（233,234）。 第一间距小于第二间距，第二间距小于第三间距，第一表面积小于第二表面积。

公开(公告)号：US20110108947A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12590650

申请日：2009-11-12

申请人： John S. Guzek ,  Mihir K. Roy ,  Brent M. Roberts

发明人： John S. Guzek ,  Mihir K. Roy ,  Brent M. Roberts

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H05K1/165 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0254 ,  H05K1/0262 ,  H05K1/116 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09527 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2203/1572 ,  H01L2924/00

摘要： A microelectronic device comprises a first substrate (110) having a first electrically conductive path (111) therein and a second substrate (120) above the first substrate and having a second electrically conductive path (121) therein, wherein the first electrically conductive path and the second electrically conductive path are electrically connected to each other and form a portion of a current loop (131) of an inductor (130).

摘要翻译： 微电子器件包括其中具有第一导电路径（111）的第一衬底（110）和在第一衬底上方的第二衬底（120），并且其中具有第二导电路径（121），其中第一导电路径和 第二导电路径彼此电连接并形成电感器（130）的电流回路（131）的一部分。

公开(公告)号：US20120279059A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13546549

申请日：2012-07-11

申请人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Sriniyasan ,  Sridhar Narasimhan

发明人： Brent M. Roberts ,  Mihir K. Roy ,  Sriram Sriniyasan ,  Sridhar Narasimhan

IPC分类号： H05K3/30

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  Y10T29/49133

摘要： A microelectronic package includes first substrate (120) having first surface area (125) and second substrate (130) having second surface area (135). The first substrate includes first set of interconnects (126) having first pitch (127) at first surface (121) and second set of interconnects (128) having second pitch (129) at second surface (222). The second substrate is coupled to the first substrate using the second set of interconnects and includes third set of interconnects (236) having third pitch (237) and internal electrically conductive layers (233, 234) connected to each other with microvia (240). The first pitch is smaller than the second pitch, the second pitch is smaller than the third pitch, and the first surface area is smaller than the second surface area.

摘要翻译： 微电子封装包括具有第一表面区域（125）的第一衬底（120）和具有第二表面区域（135）的第二衬底（130）。 第一衬底包括在第一表面处具有第一间距（127）的第一组互连（126）和在第二表面（222）处具有第二间距（129）的第二组互连（128）。 第二衬底使用第二组互连件耦合到第一衬底，并且包括具有第三间距（237）的第三组互连（236）和用微孔（240）彼此连接的内部导电层（233,234）。 第一间距小于第二间距，第二间距小于第三间距，第一表面积小于第二表面积。