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    Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging
    1.
    发明授权
    Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging 有权
    基于两个衍射成像的目标获取和覆盖计量

    公开(公告)号：US07528953B2

    公开(公告)日：2009-05-05

    申请号：US11363755

    申请日：2006-02-27

    申请人： Aviv Frommer ,  Vladimir Levinski ,  Mark D. Smith ,  Jeffrey Byers ,  Chris A. Mack ,  Michael E. Adel

    发明人： Aviv Frommer ,  Vladimir Levinski ,  Mark D. Smith ,  Jeffrey Byers ,  Chris A. Mack ,  Michael E. Adel

    IPC分类号： G01B11/00 ,  G06K9/00

    CPC分类号： G03F9/7049 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7088

    摘要： In one embodiment, a system includes a beam generator for directing at least one incident beam having a wavelength λ towards a periodic target having structures with a specific pitch p. A plurality of output beams are scattered from the periodic target in response to the at least one incident beam. The system further includes an imaging lens system for passing only a first and a second output beam from the target. The imaging system is adapted such that the angular separation between the captured beams, λ, and the pitch are selected to cause the first and second output beams to form a sinusoidal image. The system also includes a sensor for imaging the sinusoidal image or images, and a controller for causing the beam generator to direct the at least one incident beam towards the periodic target or targets, and for analyzing the sinusoidal image or images.

    摘要翻译： 在一个实施例中，系统包括用于将具有波长λ的至少一个入射光束朝向具有特定间距p的结构的周期性目标的光束发生器。 响应于至少一个入射光束，多个输出光束从周期性靶标散射。 该系统还包括用于仅从目标通过第一和第二输出光束的成像透镜系统。 成像系统被适配成使得捕获的光束λ和间距之间的角度间隔被选择为使得第一和第二输出光束形成正弦图像。 该系统还包括用于对正弦图像或图像进行成像的传感器，以及控制器，用于使光束发生器将至少一个入射光束引向周期性目标或目标，并用于分析正弦图像或图像。

    Photolithography exposure tool and method for in situ photoresist measurments and exposure control
    3.
    发明授权
    Photolithography exposure tool and method for in situ photoresist measurments and exposure control 失效
    用于原位光刻胶测量和曝光控制的光刻曝光工具和方法

    公开(公告)号：US5363171A

    公开(公告)日：1994-11-08

    申请号：US98914

    申请日：1993-07-29

    申请人： Chris A. Mack

    发明人： Chris A. Mack

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03B27/74 ,  G03B27/42 ,  G03B27/80

    CPC分类号： G03F7/70558 ,  G03F7/7085

    摘要： An apparatus and method is provided for measuring photoresist parameters in situ is disclosed. Transmission and reflectivity detectors are used in a lithographic exposure tool to obtain in situ absorption parameters and reflectivity data. The absorption parameters and reflectivity data are used in a feedback control system that controls the exposure dose used in the lithographic tool.

    摘要翻译： 公开了一种用于原位测量光刻胶参数的装置和方法。 传输和反射率检测器用于光刻曝光工具以获得原位吸收参数和反射率数据。 吸收参数和反射率数据用于控制光刻工具中使用的曝光剂量的反馈控制系统。

    Systems and methods for mitigating variances on a patterned wafer using a prediction model
    4.
    发明授权
    Systems and methods for mitigating variances on a patterned wafer using a prediction model 有权
    使用预测模型减轻图案化晶片上的方差的系统和方法

    公开(公告)号：US07297453B2

    公开(公告)日：2007-11-20

    申请号：US11394900

    申请日：2006-03-31

    申请人： Sterling G. Watson ,  Ady Levy ,  Chris A. Mack ,  Stanley E. Stokowski ,  Zain K. Saidin

    发明人： Sterling G. Watson ,  Ady Levy ,  Chris A. Mack ,  Stanley E. Stokowski ,  Zain K. Saidin

    IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F1/84 ,  G03F1/36 ,  Y10S430/146

    摘要： Disclosed are systems and methods for mitigating variances (e.g., critical dimension variances) on a patterned wafer are provided. In general, variances of a patterned wafer are predicted using one or more reticle fabrication and/or wafer processing models. The predicted variances are used to modify selected transparent portions of the reticle that is to be used to produce the patterned wafer. In a specific implementation, an optical beam, such as a femto-second laser, is applied to the reticle at a plurality of embedded positions, and the optical beam is configured to form specific volumes of altered optical properties within the transparent material of the reticle at the specified positions. These reticle volumes that are created at specific positions of the reticle result in varying amounts of light transmission or dose through the reticle at such specific positions so as to mitigate the identified variances on a wafer that is patterned using the modified reticle.

    摘要翻译： 公开了用于减轻图案化晶片上的方差（例如，临界尺寸方差）的系统和方法。 通常，使用一个或多个掩模版制造和/或晶片处理模型预测图案化晶片的变化。 预测的方差用于修改用于产生图案化晶片的掩模版的所选透明部分。 在具体实现中，诸如毫微微秒激光器的光束在多个嵌入位置被施加到掩模版，并且光束被配置为在掩模版的透明材料内形成改变的光学特性的特定体积 在指定位置。 在掩模版的特定位置处产生的这些掩模版体积在这样的特定位置处导致通过掩模版的光透射或剂量的变化量，以便减轻使用修改的掩模版图案化的晶片上识别的方差。

    Measuring phase errors on phase shift masks
    10.
    发明授权
    Measuring phase errors on phase shift masks 失效
    在相移掩模上测量相位误差

    公开(公告)号：US07368208B1

    公开(公告)日：2008-05-06

    申请号：US11440562

    申请日：2006-05-24

    申请人： Michael Adel ,  Mark Ghinovker ,  Chris A. Mack

    发明人： Michael Adel ,  Mark Ghinovker ,  Chris A. Mack

    IPC分类号： G03F9/00 ,  G03C5/00 ,  H01L23/544

    CPC分类号： G03F1/30 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70675

    摘要： Methods and apparatus for producing a semiconductor. A production reticle having a pattern that includes circuit features, phase shift target structures and overlay target structures is provided. The pattern is transferred multiple times across a test wafer surface for various focus levels to form a focus matrix. The pattern shift of the phase shift target structures is measured using an overlay metrology tool. The phase difference is calculated for each phase shift target structure, based on the pattern shift and the phase shift target structure focus level to qualify the phase difference of the production reticle. The pattern is transferred onto a production wafer when the phase difference meets desired limits. The pattern shift of the overlay target structures transferred to the production wafer is measured using an overlay metrology tool. The pattern placement error of the overlay target structures is calculated and the pattern placement error is qualified.

    摘要翻译： 用于制造半导体的方法和装置。 提供具有包括电路特征，相移目标结构和覆盖目标结构的图案的制作掩模版。 该图案在测试晶片表面上被多次转移以用于各种聚焦水平以形成焦点矩阵。 使用覆盖计量工具测量相移目标结构的图案偏移。 基于图案偏移和相移目标结构焦点水平来计算每个相移目标结构的相位差，以限制制作掩模版的相位差。 当相位差达到预期限度时，将图案转移到生产晶片上。 使用覆盖计量工具测量转移到生产晶片的覆盖目标结构的图案偏移。 计算覆盖目标结构的图案放置误差，并对图案放置错误进行限定。