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    MULTI-STEP ANNEAL METHOD
    2.
    发明申请
    MULTI-STEP ANNEAL METHOD 审中-公开
    多步骤方法

    公开(公告)号：US20070141822A1

    公开(公告)日：2007-06-21

    申请号：US11306051

    申请日：2005-12-15

    申请人： Jiann-Fu Chen ,  Meng-Hsiu Ho ,  Chun-Ting Hu ,  Chun-Hua Chang

    发明人： Jiann-Fu Chen ,  Meng-Hsiu Ho ,  Chun-Ting Hu ,  Chun-Hua Chang

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883

    摘要： A multi-step anneal method is provided. First, a substrate is provided. Then, a dielectric layer comprising a damascene structure is formed over the substrate, and a barrier/seed layer is formed over the damascene structure. Next, a metal layer is formed over the barrier layer, and performing a first anneal step in-situ to anneal the substrate at a first temperature range with a first environment. Thereafter, a metal chemical mechanical polish (CMP) step is performed to remove a portion of the metal layer until a portion of the barrier layer is exposed. Then, a second anneal step is performed to anneal the substrate at a second temperature range with a second environment.

    摘要翻译： 提供了多步退火方法。 首先，提供基板。 然后，在衬底上形成包括镶嵌结构的电介质层，并且在镶嵌结构之上形成阻挡层/晶种层。 接下来，在阻挡层上形成金属层，并且在第一环境下在第一温度范围内原位进行第一退火步骤。 此后，进行金属化学机械抛光（CMP）步骤以除去金属层的一部分直到暴露出阻挡层的一部分。 然后，进行第二退火步骤，以在第二温度范围内与第二环境退火衬底。

    Semiconductor structure having metal-insulator-metal capacitor structure
    5.
    发明授权
    Semiconductor structure having metal-insulator-metal capacitor structure 有权
    具有金属 - 绝缘体 - 金属电容器结构的半导体结构

    公开(公告)号：US08552485B2

    公开(公告)日：2013-10-08

    申请号：US13161076

    申请日：2011-06-15

    申请人： Chun Hua Chang ,  Sung-Hui Huang ,  Der-Chyang Yeh

    发明人： Chun Hua Chang ,  Sung-Hui Huang ,  Der-Chyang Yeh

    IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

    CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/642 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor structure includes a through-substrate-via (TSV) structure disposed in a substrate. A first etch stop layer is disposed over the TSV structure. A first dielectric layer is disposed in contact with the first etch stop layer. A first conductive structure is disposed through the first etch stop layer and the first dielectric layer. The first conductive structure is electrically coupled with the TSV structure. The TSV structure is substantially wider than the first conductive structure. A second etch stop layer is disposed in contact with the first dielectric layer. A metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure is disposed in contact with the second etch stop layer.

    摘要翻译： 半导体结构包括设置在基板中的贯通基板通孔（TSV）结构。 第一蚀刻停止层设置在TSV结构上。 第一介电层设置成与第一蚀刻停止层接触。 通过第一蚀刻停止层和第一介电层设置第一导电结构。 第一导电结构与TSV结构电耦合。 TSV结构基本上比第一导电结构宽。 第二蚀刻停止层设置成与第一介电层接触。 金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器结构设置成与第二蚀刻停止层接触。

    SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME
    6.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
    半导体结构及其形成方法

    公开(公告)号：US20120319239A1

    公开(公告)日：2012-12-20

    申请号：US13161076

    申请日：2011-06-15

    申请人： Chun Hua CHANG ,  Sung-Hui HUANG ,  Der-Chyang YEH

    发明人： Chun Hua CHANG ,  Sung-Hui HUANG ,  Der-Chyang YEH

    IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/642 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor structure includes a through-substrate-via (TSV) structure disposed in a substrate. A first etch stop layer is disposed over the TSV structure. A first dielectric layer is disposed in contact with the first etch stop layer. A first conductive structure is disposed through the first etch stop layer and the first dielectric layer. The first conductive structure is electrically coupled with the TSV structure. The TSV structure is substantially wider than the first conductive structure. A second etch stop layer is disposed in contact with the first dielectric layer. A metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure is disposed in contact with the second etch stop layer.

    摘要翻译： 半导体结构包括设置在基板中的贯通基板通孔（TSV）结构。 第一蚀刻停止层设置在TSV结构上。 第一介电层设置成与第一蚀刻停止层接触。 通过第一蚀刻停止层和第一介电层设置第一导电结构。 第一导电结构与TSV结构电耦合。 TSV结构基本上比第一导电结构宽。 第二蚀刻停止层设置成与第一介电层接触。 金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器结构设置成与第二蚀刻停止层接触。