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    Method and apparatus for non-contact electrical probe
    1.
    发明申请
    Method and apparatus for non-contact electrical probe 失效
    非接触电探头的方法和装置

    公开(公告)号：US20060022696A1

    公开(公告)日：2006-02-02

    申请号：US10910060

    申请日：2004-08-02

    申请人： Michael Nystrom ,  Gloria Hofler

    发明人： Michael Nystrom ,  Gloria Hofler

    IPC分类号： G01R31/26

    CPC分类号： G01R31/302 ,  G01R1/072

    摘要： Methods and apparatus for non-contact electrical probes are described. In accordance with the invention, non-contact electrical probes use negative or positive corona discharge. Non-contact electrical probes are suited for testing of OLED flat panel displays.

    摘要翻译： 描述了非接触电探针的方法和装置。 根据本发明，非接触电探针使用负或正电晕放电。 非接触式电探头适用于OLED平板显示器的测试。

    Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power led chip
    2.
    发明授权
    Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power led chip 有权
    在大功率LED芯片上的反射可焊接触点中增加镜面反射率的扩散势垒

    公开(公告)号：US06593160B2

    公开(公告)日：2003-07-15

    申请号：US09778174

    申请日：2001-02-06

    申请人： Carrie Carter-Coman ,  Gloria Hofler ,  Fred A. Kish, Jr.

    发明人： Carrie Carter-Coman ,  Gloria Hofler ,  Fred A. Kish, Jr.

    IPC分类号： H01L2158

    CPC分类号： H01L33/405

    摘要： A solderable light-emitting diode (LED) chip and a method of fabricating an LED lamp embodying the LED chip utilize a diffusion barrier that appreciably blocks molecular migration between two different layers of the LED chip during high temperature processes. In the preferred embodiment, the two different layers of the LED chip are a back reflector and a solder layer. The prevention of intermixing of the materials in the back reflector and the solder layer impedes degradation of the back reflector with respect to its ability to reflect light emitted by the LED. The LED chip includes a high power AlInGaP LED or other type of LED, a back reflector, a diffusion barrier and a solder layer. Preferably, the back reflector is composed of silver (Ag) or Ag alloy and the solder layer is made of indium (In), lead (Pb), gold (Au), tin (Sn), or their alloy and eutectics. In a first embodiment, the diffusion layer is made of nickel (Ni) or nickel-vanadium (NiV). In a second embodiment of the invention, the diffusion barrier is made of titanium-tungsten-nitride (TiW:N). In addition to preventing the intermixing of the In of the solder layer with the Ag of the back reflector, the diffusion layer prevents degradation of the Ag reflective properties in the back reflector upon exposure to air. In an alternative embodiment, the diffusion layer is made of a non-conductive material.

    摘要翻译： 可焊接的发光二极管（LED）芯片和制造实施LED芯片的LED灯的方法利用在高温过程中可以明显阻挡LED芯片的两个不同层之间的分子迁移的扩散阻挡层。 在优选实施例中，LED芯片的两个不同层是后反射器和焊料层。 防止背反射器和焊料层中的材料的混合相对于其反射由LED发射的光的能力而妨碍背反射器的劣化。 LED芯片包括高功率AlInGaP LED或其他类型的LED，后反射器，扩散阻挡层和焊料层。 优选地，背反射器由银（Ag）或Ag合金构成，并且焊料层由铟（In），铅（Pb），金（Au），锡（Sn）或其合金和共晶体制成。 在第一实施例中，扩散层由镍（Ni）或镍 - 钒（NiV）制成。 在本发明的第二实施例中，扩散阻挡层由钛 - 氮化钨（TiW：N）制成。 除了防止焊料层的In与后反射体的Ag的混合之外，扩散层防止了暴露于空气中后反射器中的Ag反射特性的劣化。 在替代实施例中，扩散层由非导电材料制成。

    Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
    6.
    发明授权
    Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip 有权
    用于增加大功率LED芯片上可反射可焊接触点的镜面反射率的扩散屏障

    公开(公告)号：US06222207B1

    公开(公告)日：2001-04-24

    申请号：US09317647

    申请日：1999-05-24

    申请人： Carrie Carter-Coman ,  Gloria Hofler ,  Fred A. Kish, Jr.

    发明人： Carrie Carter-Coman ,  Gloria Hofler ,  Fred A. Kish, Jr.

    IPC分类号： H01L3300

    CPC分类号： H01L33/405

    摘要： A solderable light-emitting diode (LED) chip and a method of fabricating an LED lamp embodying the LED chip utilize a diffusion barrier that appreciably blocks molecular migration between two different layers of the LED chip during high temperature processes. In the preferred embodiment, the two different layers of the LED chip are a back reflector and a solder layer. The prevention of intermixing of the materials in the back reflector and the solder layer impedes degradation of the back reflector with respect to its ability to reflect light emitted by the LED. The LED chip includes a high power AlInGaP LED or other type of LED, a back reflector, a diffusion barrier and a solder layer. Preferably, the back reflector is composed of silver (Ag) or Ag alloy and the solder layer is made of indium (In), lead (Pb), gold (Au), tin (Sn), or their alloy and eutectics. In a first embodiment, the diffusion layer is made of nickel (Ni) or nickel-vanadium (NiV). In a second embodiment of the invention, the diffusion barrier is made of titanium-tungsten-nitride (TiW:N). In addition to preventing the intermixing of the In of the solder layer with the Ag of the back reflector, the diffusion layer prevents degradation of the Ag reflective properties in the back reflector upon exposure to air. In an alternative embodiment, the diffusion layer is made of a non-conductive material.

    摘要翻译： 可焊接的发光二极管（LED）芯片和制造实施LED芯片的LED灯的方法利用在高温过程中可以明显阻挡LED芯片的两个不同层之间的分子迁移的扩散阻挡层。 在优选实施例中，LED芯片的两个不同层是后反射器和焊料层。 防止背反射器和焊料层中的材料的混合相对于其反射由LED发射的光的能力而妨碍背反射器的劣化。 LED芯片包括高功率AlInGaP LED或其他类型的LED，后反射器，扩散阻挡层和焊料层。 优选地，背反射器由银（Ag）或Ag合金构成，并且焊料层由铟（In），铅（Pb），金（Au），锡（Sn）或其合金和共晶体制成。 在第一实施例中，扩散层由镍（Ni）或镍 - 钒（NiV）制成。 在本发明的第二实施例中，扩散阻挡层由钛 - 氮化钨（TiW：N）制成。 除了防止焊料层的In与后反射体的Ag的混合之外，扩散层防止了暴露于空气中后反射器中的Ag反射特性的劣化。 在替代实施例中，扩散层由非导电材料制成。

    Contactless area testing apparatus and method utilizing device switching
    8.
    发明申请
    Contactless area testing apparatus and method utilizing device switching 审中-公开
    非接触式区域测试装置和方法利用设备切换

    公开(公告)号：US20060279297A1

    公开(公告)日：2006-12-14

    申请号：US11150548

    申请日：2005-06-10

    申请人： Michael Nystrom ,  David Dutton ,  Gloria Hofler

    发明人： Michael Nystrom ,  David Dutton ,  Gloria Hofler

    IPC分类号： G01R31/02

    CPC分类号： G01R19/0061 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0842

    摘要： A probe is locatable adjacent a selected region of a device under test (DUT), the selected region having a plurality of contacts. A generator is capable of establishing a plume of a ionized gas between the probe and the selected region of the DUT, the plume having sufficient cross-sectional area and electrical conductivity to complete an electrical connection between the probe and the plurality of contacts.

    摘要翻译： 探针可邻近待测器件（DUT）的选定区域定位，所选择的区域具有多个触点。 发生器能够在探针和DUT的选定区域之间建立电离气体的羽流，羽流具有足够的横截面积和电导率，以完成探针与多个触点之间的电连接。

    Systems and methods for a contactless electrical probe
    9.
    发明申请
    Systems and methods for a contactless electrical probe 审中-公开
    非接触式电探头的系统和方法

    公开(公告)号：US20060139039A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：US11020337

    申请日：2004-12-23

    申请人： David Dutton ,  Gloria Hofler ,  Michael Nystrom

    发明人： David Dutton ,  Gloria Hofler ,  Michael Nystrom

    IPC分类号： G01R31/02

    CPC分类号： G01R1/072 ,  G01R31/305 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3208

    摘要： There is disclosed a contactless test probe using an ionized gas discharge for making electrical contact with the device under test (DUT). In one embodiment the ionized gas discharge is at or below atmospheric pressure thereby reducing the complexity of the control environment. In one embodiment, the atmospheric gas discharge, i.e. the electrical probing medium, is created and controlled by a micro-hollow cathode. In a further embodiment an extension gate is used to extend/retard the range of the high-density discharge.

    摘要翻译： 公开了一种使用电离气体放电与被测器件（DUT）进行电接触的非接触式测试探针。 在一个实施例中，电离气体放电处于或低于大气压，从而降低了控制环境的复杂性。 在一个实施例中，大气气体放电，即电探测介质，由微空心阴极产生和控制。 在另一实施例中，延伸门用于延伸/延迟高密度放电的范围。