公开(公告)号：US08994179B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US12201888

申请日：2008-08-29

申请人： Dirk Meinhold ,  Heinrich Koerner ,  Wolfgang Dickenscheid

发明人： Dirk Meinhold ,  Heinrich Koerner ,  Wolfgang Dickenscheid

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a semiconductor device that includes: a conductive layer including a sidewall; a conductive capping layer disposed over the conductive layer and laterally extending beyond the sidewall of the conductive layer by a lateral overhang; and a conductive via in electrical contact with the conductive capping layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种半导体器件，其包括：包括侧壁的导电层; 导电覆盖层，其设置在所述导电层上并且横向延伸超过所述导电层的所述侧壁的横向突出端; 以及与导电覆盖层电接触的导电通孔。

公开(公告)号：US08063469B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12242556

申请日：2008-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Heinrich Koerner ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Heinrich Koerner ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

摘要： Structure and method for fabricating a system on chip with an on-chip RF shield including interconnect metallization is described. In one embodiment, the system on chip includes an RF circuitry disposed on a first portion of a top surface of a substrate, and a semiconductor circuitry disposed on a second portion of the top surface of the substrate. An interconnect RF barrier is disposed between the RF circuitry and the semiconductor circuitry, the interconnect RF barrier coupled to a ground potential node.

摘要翻译： 描述了使用包括互连金属化的片上RF屏蔽来制造片上系统的结构和方法。 在一个实施例中，片上系统包括设置在衬底的顶表面的第一部分上的RF电路和设置在衬底顶表面的第二部分上的半导体电路。 互连RF屏障设置在RF电路和半导体电路之间，互连RF屏障耦合到地电势节点。

公开(公告)号：US20100078779A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242698

申请日：2008-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Andre Hanke ,  Snezana Jenei ,  Oliver Nagy ,  Jiro Morinaga ,  Bernd Adler ,  Heinrich Koerner

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Andre Hanke ,  Snezana Jenei ,  Oliver Nagy ,  Jiro Morinaga ,  Bernd Adler ,  Heinrich Koerner

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/71

CPC分类号： H01L21/71 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： Structures of a system on a chip are disclosed. In one embodiment, the system on a chip (SoC) includes an RF component disposed on a first part of a substrate, a semiconductor component disposed on a second part of the substrate, the semiconductor component and the RF component sharing a common boundary, and a conductive cage disposed enclosing the RF component. The conductive cage shields the semiconductor component from electromagnetic radiation originating from the RF circuit.

摘要翻译： 公开了一种芯片上的系统的结构。 在一个实施例中，芯片上的系统（SoC）包括设置在基板的第一部分上的RF部件，设置在基板的第二部分上的半导体部件，共享公共边界的半导体部件和RF部件，以及 布置成围绕RF部件的导电笼。 导电笼罩半导体元件不受来自RF电路的电磁辐射。

公开(公告)号：US20100078777A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242556

申请日：2008-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Heinrich Koerner ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Heinrich Koerner ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

摘要： Structure and method for fabricating a system on chip with an on-chip RF shield including interconnect metallization is described. In one embodiment, the system on chip includes an RF circuitry disposed on a first portion of a top surface of a substrate, and a semiconductor circuitry disposed on a second portion of the top surface of the substrate. An interconnect RF barrier is disposed between the RF circuitry and the semiconductor circuitry, the interconnect RF barrier coupled to a ground potential node.

摘要翻译： 描述了使用包括互连金属化的片上RF屏蔽来制造片上系统的结构和方法。 在一个实施例中，片上系统包括设置在衬底的顶表面的第一部分上的RF电路和设置在衬底顶表面的第二部分上的半导体电路。 互连RF屏障设置在RF电路和半导体电路之间，互连RF屏障耦合到地电势节点。

公开(公告)号：US20070105366A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11589349

申请日：2006-10-30

申请人： Oliver Aubel ,  Wolfgang Hasse ,  Martina Hommel ,  Heinrich Koerner

发明人： Oliver Aubel ,  Wolfgang Hasse ,  Martina Hommel ,  Heinrich Koerner

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76864 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： An explanation is given of, inter alia, methods in which the barrier material is removed at a via bottom or at a via top area by long-term heat treatment. Concurrently or alternatively, interconnects are coated with barrier material in a simple and uncomplicated manner by means of the long-term heat treatment.

摘要翻译： 特别地说明了通过长期热处理在通孔底部或通孔顶部区域去除阻挡材料的方法。 同时或替代地，互连通过长期热处理以简单且不复杂的方式涂覆有阻挡材料。

公开(公告)号：US20070071053A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11525113

申请日：2006-09-21

申请人： Martina Hommel ,  Heinrich Koerner ,  Markus Schwerd ,  Martin Seck

发明人： Martina Hommel ,  Heinrich Koerner ,  Markus Schwerd ,  Martin Seck

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/13

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/60 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit arrangement is disclosed. In one embodiment, the integrated circuit arrangement includes at least three conductive structures levels and elongated interconnects.

摘要翻译： 公开了一种集成电路装置。 在一个实施例中，集成电路装置包括至少三个导电结构层和细长互连。

公开(公告)号：US08946074B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13285007

申请日：2011-10-31

申请人： Heinrich Koerner

发明人： Heinrich Koerner

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a semiconductor device, comprising: providing a Si-containing layer; forming a barrier layer over said Si-containing layer, said barrier layer comprising a compound including a metallic element; forming a metallic nucleation_seed layer over said barrier layer, said nucleation_seed layer including said metallic element; and forming a metallic interconnect layer over said nucleation_seed layer, wherein said barrier layer and said nucleation_seed layer are formed without exposing said semiconductor device to the ambient atmosphere.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法，包括：提供含Si层; 在所述含Si层上形成阻挡层，所述阻挡层包括包含金属元素的化合物; 在所述阻挡层上形成金属成核层，所述成核层包括所述金属元素; 以及在所述成核层上形成金属互连层，其中形成所述阻挡层和所述成核层，而不将所述半导体器件暴露于环境气氛。

公开(公告)号：US08536683B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13037446

申请日：2011-03-01

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Andre Hanke ,  Snezana Jenei ,  Oliver Nagy ,  Jiro Morinaga ,  Bernd Adler ,  Heinrich Koerner

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Andre Hanke ,  Snezana Jenei ,  Oliver Nagy ,  Jiro Morinaga ,  Bernd Adler ,  Heinrich Koerner

IPC分类号： H01L21/71

CPC分类号： H01L21/71 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： Structures of a system on a chip are disclosed. In one embodiment, the system on a chip (SoC) includes an RF component disposed on a first part of a substrate, a semiconductor component disposed on a second part of the substrate, the semiconductor component and the RF component sharing a common boundary, and a conductive cage disposed enclosing the RF component. The conductive cage shields the semiconductor component from electromagnetic radiation originating from the RF circuit.

摘要翻译： 公开了一种芯片上的系统的结构。 在一个实施例中，芯片上的系统（SoC）包括设置在基板的第一部分上的RF部件，设置在基板的第二部分上的半导体部件，共享公共边界的半导体部件和RF部件，以及 布置成围绕RF部件的导电笼。 导电笼罩半导体元件不受来自RF电路的电磁辐射。

公开(公告)号：US08258628B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US11523957

申请日：2006-09-20

申请人： Martina Hommel ,  Heinrich Koerner ,  Markus Schwerd ,  Martin Seck

发明人： Martina Hommel ,  Heinrich Koerner ,  Markus Schwerd ,  Martin Seck

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit arrangement includes a substrate with a multiplicity of integrated semiconductor components arranged therein, the substrate having a wiring interconnect near to the substrate, a middle wiring interconnect and a wiring interconnect remote from the substrate, which are arranged in this order at increasing distance from the substrate.

摘要翻译： 集成电路装置包括其中布置有多个集成半导体元件的衬底，该衬底具有靠近衬底的布线互连，中间布线互连和远离衬底的布线互连，其以增加的距离以该顺序布置 从底物。

公开(公告)号：US20100078776A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242487

申请日：2008-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Jens Pohl ,  Gottfried Beer ,  Heinrich Koerner

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Jens Pohl ,  Gottfried Beer ,  Heinrich Koerner

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/05552

摘要： Structures of a system on chip and methods of forming a system on chip are disclosed. In one embodiment, a method of fabricating the system on chip includes forming a through substrate opening from a back surface of a substrate, the through substrate opening disposed between a first and a second region, the first region comprising devices for RF circuitry and the second region comprising devices for other circuitry. The method further includes forming patterns for redistribution lines on a photo resist layer, the photo resist layer disposed under the back surface, and filling the through substrate opening and the patterns for redistribution lines with a conductive material.

摘要翻译： 公开了一种片上系统的结构以及片上系统的形成方法。 在一个实施例中，一种制造片上系统的方法包括从衬底的背面形成穿透衬底开口，穿过衬底开口设置在第一和第二区域之间，第一区域包括用于RF电路的装置，第二区域包括第二 区域包括用于其他电路的装置。 该方法还包括在光致抗蚀剂层上形成用于再分配线的图案，设置在背面下方的光致抗蚀剂层，以及用导电材料填充贯通基板开口和再分配线图案。