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    Method of making interconnect structure
    1.
    发明授权
    Method of making interconnect structure 有权
    互连结构的制作方法

    公开(公告)号：US08946074B2

    公开(公告)日：2015-02-03

    申请号：US13285007

    申请日：2011-10-31

    申请人： Heinrich Koerner

    发明人： Heinrich Koerner

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/485

    CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of forming a semiconductor device, comprising: providing a Si-containing layer; forming a barrier layer over said Si-containing layer, said barrier layer comprising a compound including a metallic element; forming a metallic nucleation_seed layer over said barrier layer, said nucleation_seed layer including said metallic element; and forming a metallic interconnect layer over said nucleation_seed layer, wherein said barrier layer and said nucleation_seed layer are formed without exposing said semiconductor device to the ambient atmosphere.

    摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法，包括：提供含Si层; 在所述含Si层上形成阻挡层，所述阻挡层包括包含金属元素的化合物; 在所述阻挡层上形成金属成核层，所述成核层包括所述金属元素; 以及在所述成核层上形成金属互连层，其中形成所述阻挡层和所述成核层，而不将所述半导体器件暴露于环境气氛。

    On-Chip RF Shields with Backside Redistribution Lines
    4.
    发明申请
    On-Chip RF Shields with Backside Redistribution Lines 有权
    带背面再分配线的片上RF屏蔽

    公开(公告)号：US20100078776A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：US12242487

    申请日：2008-09-30

    申请人： Hans-Joachim Barth ,  Jens Pohl ,  Gottfried Beer ,  Heinrich Koerner

    发明人： Hans-Joachim Barth ,  Jens Pohl ,  Gottfried Beer ,  Heinrich Koerner

    IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/05552

    摘要： Structures of a system on chip and methods of forming a system on chip are disclosed. In one embodiment, a method of fabricating the system on chip includes forming a through substrate opening from a back surface of a substrate, the through substrate opening disposed between a first and a second region, the first region comprising devices for RF circuitry and the second region comprising devices for other circuitry. The method further includes forming patterns for redistribution lines on a photo resist layer, the photo resist layer disposed under the back surface, and filling the through substrate opening and the patterns for redistribution lines with a conductive material.

    摘要翻译： 公开了一种片上系统的结构以及片上系统的形成方法。 在一个实施例中，一种制造片上系统的方法包括从衬底的背面形成穿透衬底开口，穿过衬底开口设置在第一和第二区域之间，第一区域包括用于RF电路的装置，第二区域包括第二 区域包括用于其他电路的装置。 该方法还包括在光致抗蚀剂层上形成用于再分配线的图案，设置在背面下方的光致抗蚀剂层，以及用导电材料填充贯通基板开口和再分配线图案。

    METHOD OF MAKING INTERCONNECT STRUCTURE
    9.
    发明申请
    METHOD OF MAKING INTERCONNECT STRUCTURE 有权
    制造互连结构的方法

    公开(公告)号：US20120045893A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：US13285007

    申请日：2011-10-31

    申请人： Heinrich Koerner

    发明人： Heinrich Koerner

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： One or more embodiments relate to a method of forming a semiconductor device having a substrate, comprising: providing a Si-containing layer; forming a barrier layer over the Si-containing layer, the barrier layer comprising a compound including a metallic element; forming a metallic nucleation_seed layer over the Si-containing layer, the nucleation_seed layer including the metallic element; and forming a metallic interconnect layer over the nucleation_seed layer, wherein the barrier layer and the nucleation_seed layer are formed without exposing the semiconductor device substrate to the ambient atmosphere.

    摘要翻译： 一个或多个实施方案涉及形成具有基底的半导体器件的方法，包括：提供含Si层; 在所述含Si层上形成阻挡层，所述阻挡层包括包含金属元素的化合物; 在所述含Si层上形成金属成核层，所述成核层包括所述金属元素; 以及在成核层上形成金属互连层，其中形成阻挡层和成核层，而不将半导体器件衬底暴露于环境气氛。

    Interconnect structure
    10.
    发明授权
    Interconnect structure 有权
    互连结构

    公开(公告)号：US08049336B2

    公开(公告)日：2011-11-01

    申请号：US12241083

    申请日：2008-09-30

    申请人： Heinrich Koerner

    发明人： Heinrich Koerner

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： One or more embodiments relate to a semiconductor device, comprising: a Si-containing layer; a barrier layer disposed over the Si-containing layer, the barrier layer comprising a compound including a metallic element; a metallic nucleation_seed layer disposed over the barrier layer, the nucleation_seed layer including the metallic element; and a metallic interconnect layer disposed over the nucleation_seed layer, the interconnect layer comprising at least one element selected from the group consisting of Cu (copper), Au (gold), and Ag (silver).

    摘要翻译： 一个或多个实施例涉及半导体器件，包括：含Si层; 设置在所述含Si层上的阻挡层，所述阻挡层包括包含金属元素的化合物; 设置在所述阻挡层上的金属成核层，所述成核层包括所述金属元素; 以及设置在成核层上的金属互连层，所述互连层包括选自Cu（铜），Au（金）和Ag（银）中的至少一种元素。