公开(公告)号：US08961909B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13823525

申请日：2011-10-12

申请人： Manfred Lehr ,  Josef Dachs ,  Franz Egner ,  Rolf Bank ,  Bernd Stürmer ,  Volkmar Frick ,  Michael Specht

发明人： Manfred Lehr ,  Josef Dachs ,  Franz Egner ,  Rolf Bank ,  Bernd Stürmer ,  Volkmar Frick ,  Michael Specht

IPC分类号： B01J8/06 ,  C10G2/00 ,  C10L3/08 ,  F28F13/08

CPC分类号： B01J8/067 ,  B01J8/065 ,  B01J2208/0023 ,  B01J2208/00238 ,  B01J2208/0053 ,  C10G2/32 ,  C10G2/341 ,  C10L3/08 ,  F28F13/08

摘要： A tube bundle reactor for carrying out catalytic gas phase reactions, particularly methanation reactions, has a bundle of catalyst-filled reaction tubes through which reaction gas flows and around which heat carrier flows during operation. In the region of the catalyst filling, the reaction tubes run through at least two heat carrier zones which are separated from one another, the first of which heat carrier zones extends over the starting region of the catalyst filling. The reaction tubes each have a first reaction tube portion with a first hydraulic diameter of the catalyst filling and, downstream thereof in flow direction of the reaction gas, at least a second reaction tube portion with a second hydraulic diameter of the catalyst filling that is greater than the first hydraulic diameter of the catalyst filling.

摘要翻译： 用于进行催化气相反应，特别是甲烷化反应的管束反应器具有一束催化剂填充的反应管，反应气体在其中流动并在运行期间使热载体流过。 在催化剂填充的区域中，反应管穿过至少两个彼此分离的热载体区，其中第一个热载体区在催化剂填充物的起始区域上延伸。 反应管各自具有第一反应管部分，其具有催化剂填充物的第一水力直径，并且在反应气体的流动方向上在其下游，至少第二反应管部分具有催化剂填充物的第二水力直径更大 比第一液压直径的催化剂填充。

公开(公告)号：US20120191663A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13440186

申请日：2012-04-05

申请人： Aharon BLITZER ,  Aviram Katz ,  David Barta ,  Michael Specht ,  Yaron Dar

发明人： Aharon BLITZER ,  Aviram Katz ,  David Barta ,  Michael Specht ,  Yaron Dar

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06F11/1458 ,  G06F11/1456 ,  G06F11/1471

摘要： Described are techniques for processing recovery points. One or more storage objects for which data protection processing is performed are determined. The data protection processing includes copying data for each of said one or more storage objects to one or more data protection storage devices. One or more recovery points corresponding to each of said one or more storage objects are determined. For each of the one or more recovery points corresponding to each of the one or more storage objects, performing processing including determining whether said each recovery point is at least one of recoverable in accordance with recoverable criteria and restartable in accordance with restartable criteria.

摘要翻译： 描述的是处理恢复点的技术。 确定执行数据保护处理的一个或多个存储对象。 数据保护处理包括将用于所述一个或多个存储对象中的每一个的数据复制到一个或多个数据保护存储设备。 确定对应于所述一个或多个存储对象中的每一个的一个或多个恢复点。 对于与一个或多个存储对象中的每一个相对应的一个或多个恢复点中的每个恢复点，执行处理，包括确定所述每个恢复点是否是根据可恢复标准可恢复的至少一个，并且根据可重新启动的标准可重新启动。

公开(公告)号：US08185505B1

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12286374

申请日：2008-09-29

申请人： Aharon Blitzer ,  Aviram Katz ,  David Barta ,  Michael Specht ,  Yaron Dar

发明人： Aharon Blitzer ,  Aviram Katz ,  David Barta ,  Michael Specht ,  Yaron Dar

IPC分类号： G06F17/00 ,  G06F7/00

CPC分类号： G06F11/1458 ,  G06F11/1456 ,  G06F11/1471

摘要： Described are techniques for processing recovery points. One or more storage objects for which data protection processing is performed are determined. The data protection processing includes copying data for each of said one or more storage objects to one or more data protection storage devices. One or more recovery points corresponding to each of said one or more storage objects are determined. For each of the one or more recovery points corresponding to each of the one or more storage objects, performing processing including determining whether said each recovery point is at least one of recoverable in accordance with recoverable criteria and restartable in accordance with restartable criteria.

摘要翻译： 描述的是处理恢复点的技术。 确定执行数据保护处理的一个或多个存储对象。 数据保护处理包括将用于所述一个或多个存储对象中的每一个的数据复制到一个或多个数据保护存储设备。 确定对应于所述一个或多个存储对象中的每一个的一个或多个恢复点。 对于与一个或多个存储对象中的每一个相对应的一个或多个恢复点中的每个恢复点，执行处理，包括确定所述每个恢复点是否是根据可恢复标准可恢复的至少一个，并且根据可重新启动的标准可重新启动。

公开(公告)号：US20120091730A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13263940

申请日：2010-04-09

申请人： Bernd Stuermer ,  Volkmar Frick ,  Michael Specht ,  Michael Sterner ,  Berthold Hahn ,  Ulrich Zuberbuehler

发明人： Bernd Stuermer ,  Volkmar Frick ,  Michael Specht ,  Michael Sterner ,  Berthold Hahn ,  Ulrich Zuberbuehler

IPC分类号： F03B13/00

CPC分类号： C25B1/04 ,  C10L3/08 ,  C12M21/04 ,  C12M43/00 ,  C12M43/08 ,  C25B15/08 ,  Y02E50/343 ,  Y02E60/324 ,  Y02E60/366 ,  Y02P20/129 ,  Y02P20/133 ,  Y02P20/134

摘要： An energy supply system is provided with an electricity generating device for regeneratively generating electrical energy that can be fed into an electricity supply grid. The energy supply system includes an electricity generating device for regeneratively generating electrical energy which can be fed into an electricity supply grid, a hydrogen generating device for generating hydrogen using electrical energy from the regenerative electricity generating device, a methanation device for converting hydrogen generated by the hydrogen generating device and a supplied carbon oxide gas into a gas containing methane, and a gas providing device for providing a supplementary gas or a replacement gas in a variably specifiable supplementary/replacement gas quality suitable for feeding into a gas supply grid with the use of the gas containing methane from the methanation device and/or the hydrogen from the hydrogen generating device. A method of operating the system is also provided.

摘要翻译： 能量供给系统具有用于再生发电的发电装置，该电能可供给到供电电网。 能量供给系统包括用于再生发电的发电装置，其可以供给到供电电网;氢发生装置，其使用来自再生发电装置的电能产生氢;甲烷化装置，用于将由 氢气生成装置和供给的碳氧化物气体组装成含有甲烷的气体，以及气体提供装置，用于以可变形式指定的补充/替换气体质量提供补充气体或替代气体，该气体适合于通过使用 含有来自甲烷化装置的甲烷的气体和/或来自氢生成装置的氢气。 还提供了一种操作该系统的方法。

公开(公告)号：US20090309152A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12137388

申请日：2008-06-11

申请人： Roman Knoefler ,  Michael Specht ,  Franz Hofmann ,  Florian Beug ,  Dirk Manger ,  Stephan Riedel

发明人： Roman Knoefler ,  Michael Specht ,  Franz Hofmann ,  Florian Beug ,  Dirk Manger ,  Stephan Riedel

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： In an embodiment, an integrated circuit having a memory cell arrangement is provided. The memory cell arrangement may include a substrate, a fin structure disposed above the substrate, and a memory cell contacting region. The fin structure may include a memory cell region having a plurality of memory cell structures being disposed above one another, each memory cell structure having an active region of a respective memory cell. Furthermore, the memory cell contacting region may be configured to electrically contact each of the memory cell structures, wherein the memory cell contacting region may include a plurality of contact regions, which are at least partially displaced with respect to each other in a direction parallel to the main processing surface of the substrate.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了具有存储单元布置的集成电路。 存储单元布置可以包括基板，设置在基板上方的散热片结构和存储单元接触区域。 鳍结构可以包括具有多个存储单元结构的存储单元区域，每个存储单元结构具有相应存储单元的有源区域。 此外，存储器单元接触区域可以被配置为电接触每个存储单元结构，其中存储单元接触区域可以包括多个接触区域，这些接触区域在平行于存储器单元结构的方向上相对于彼此至少部分地位移 基材的主要加工表面。

公开(公告)号：US20090072274A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11855695

申请日：2007-09-14

申请人： Roman Knoefler ,  Michael Specht ,  Josef Willer

发明人： Roman Knoefler ,  Michael Specht ,  Josef Willer

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573

摘要： An integrated circuit including a first gate stack and a second gate stack and a method of manufacturing is disclosed. One embodiment provides non-volatile memory cells including a first gate stack and a gate dielectric on a first surface section of a main surface of a semiconductor substrate, and a second gate stack including a memory layer stack on a second surface section. A first pattern is transferred into the first gate stack and a second pattern into the second gate stack.

摘要翻译： 公开了一种包括第一栅极堆叠和第二栅极堆叠的集成电路及其制造方法。 一个实施例提供包括在半导体衬底的主表面的第一表面部分上的第一栅极堆叠和栅极电介质的非易失性存储器单元，以及包括在第二表面部分上的存储层堆叠的第二栅极堆叠。 将第一图案转移到第一栅极堆叠中，将第二图案转移到第二栅极堆叠中。

公开(公告)号：US20070018218A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11455907

申请日：2006-06-19

申请人： Johannes Kretz ,  Franz Kreupl ,  Michael Specht ,  Gernot Steinlesberger

发明人： Johannes Kretz ,  Franz Kreupl ,  Michael Specht ,  Gernot Steinlesberger

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/7923 ,  H01L21/845 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785

摘要： The invention relates to a bridge field-effect transistor storage cell comprising first and second source/drain areas and a channel area arranged therebetween, which are formed in a semiconductor bridge. The inventive storage cell also comprises a charge-coupled layer that is disposed at least partially on the semiconductor bridge and a metal conductive gate area on at least one part of the charge-coupled layer that is arranged in such a way that electric charge carriers are selectively introducible or removable by applying a predetermined electric voltage to the bridge field-effect transistor storage cell.

摘要翻译： 本发明涉及一种桥式场效应晶体管存储单元，其包括形成在半导体桥中的第一和第二源极/漏极区域和布置在其间的沟道区域。 本发明的存储单元还包括至少部分地设置在半导体电桥上的电荷耦合层和电荷耦合层的至少一部分上的金属导电栅极区域，其中电荷载体为 通过向桥式场效应晶体管存储单元施加预定的电压来选择性地引入或去除。

公开(公告)号：US07157767B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US10486184

申请日：2002-09-02

申请人： Michael Specht ,  Franz Hofmann

发明人： Michael Specht ,  Franz Hofmann

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/513 ,  G11C16/0416 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883

摘要： A semiconductor memory element has a substrate, in which a source region and a drain region are formed, a floating gate electrically insulated from the substrate, and a tunnel barrier arrangement, via which charging or discharging of the floating gate can be performed. It is possible to alter the conductivity of a channel between source and drain regions by charging or discharging the floating gate. A source line is electrically conductively connected to the source region and controls the charge transmission of the tunnel barrier arrangement.

摘要翻译： 半导体存储元件具有形成源极区域和漏极区域的基板，与基板电绝缘的浮动栅极以及可以进行浮置栅极的充电或放电的隧道势垒装置。 通过对浮动栅极进行充电或放电，可以改变源区和漏区之间的沟道的导电性。 源极线导电地连接到源极区域并控制隧道势垒装置的电荷传输。

公开(公告)号：US20060001058A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US11157496

申请日：2005-06-20

申请人： Lars Dreeskornfeld ,  Jessica Hartwich ,  Franz Hofmann ,  Johannes Kretz ,  Michael Specht

发明人： Lars Dreeskornfeld ,  Jessica Hartwich ,  Franz Hofmann ,  Johannes Kretz ,  Michael Specht

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42384 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/792

摘要： A fin field effect transistor memory cell having a first and a second source/drain region, a gate region, a semiconductor fin having a channel region between the first and the second source/drain region, a charge storage layer configured as a trapping layer arranged at least partly on the gate region, and a word line region on at least one part of the charge storage layer. The charge storage layer is set up such that electrical charge carriers can be selectively introduced into the charge storage layer or be removed therefrom by applying predetermined electrical potentials to the fin field effect transistor memory cell.

摘要翻译： 具有第一和第二源极/漏极区域的栅极场效应晶体管存储单元，栅极区域，具有在第一和第二源极/漏极区域之间的沟道区域的半导体鳍片，被配置为俘获层的电荷存储层， 至少部分地在栅极区域上，以及电荷存储层的至少一部分上的字线区域。 电荷存储层被设置成使得电荷载流子可以选择性地引入电荷存储层中，或者通过向鳍式场效应晶体管存储单元施加预定的电位而将其移除。

公开(公告)号：US20050224888A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US11116139

申请日：2005-04-27

申请人： Andrew Graham ,  Franz Hofmann ,  Wolfgang Honlein ,  Johannes Kretz ,  Franz Kreupl ,  Erhard Landgraf ,  Richard Luyken ,  Wolfgang Roesner ,  Thomas Schulz ,  Michael Specht

发明人： Andrew Graham ,  Franz Hofmann ,  Wolfgang Honlein ,  Johannes Kretz ,  Franz Kreupl ,  Erhard Landgraf ,  Richard Luyken ,  Wolfgang Roesner ,  Thomas Schulz ,  Michael Specht

IPC分类号： G11C13/02 ,  H01L29/78 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L29/76

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/17 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0512

摘要： Integrated circuit array having field effect transistors (FETs) formed next to and/or above one another. The array has a substrate, a planarized first wiring plane with interconnects and first source/drain regions of the FETs, a planarized first insulator layer on the first wiring plane, a planarized gate region layer, which has patterned gate regions made of electrically conductive material and insulator material introduced therebetween, on the first insulated layer, a planarized second insulator layer on the gate region layer, holes formed through the second insulator layer, the gate regions, and the first insulator layer, a vertical nanoelement serving as a channel region in each of the holes, a second wiring plane with interconnects and second source/drain regions of the FETs, each nanoelement being arranged between the first and second wiring planes, and a gate insulating layer between the respective vertical nanoelement and the electrically conductive material of the gate regions.

摘要翻译： 集成电路阵列具有形成在彼此之上和/或彼此之上的场效应晶体管（FET）。 阵列具有衬底，具有互连的平坦化的第一布线面和FET的第一源极/漏极区，在第一布线平面上的平坦化的第一绝缘体层，平坦化的栅极区域层，其具有由导电材料制成的图案化栅极区域 和介于其间的绝缘体材料，在所述第一绝缘层上，在所述栅极区域层上的平坦化的第二绝缘体层，穿过所述第二绝缘体层，所述栅极区域和所述第一绝缘体层形成的空穴，用作所述沟道区域中的沟道区域的垂直纳米元件 每个孔，具有互连的第二布线面和FET的第二源极/漏极区，每个纳米元件布置在第一和第二布线平面之间，并且在相应的垂直纳米元件和导电材料之间的栅极绝缘层 门区域。