公开(公告)号：US08786058B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13289576

申请日：2011-11-04

申请人： Kyu-Hee Han ,  Byung-Lyul Park ,  Byunghee Kim ,  Sanghoon Ahn ,  Sangdon Nam ,  Kyoung-Hee Kim

发明人： Kyu-Hee Han ,  Byung-Lyul Park ,  Byunghee Kim ,  Sanghoon Ahn ,  Sangdon Nam ,  Kyoung-Hee Kim

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a substrate having a via hole comprised of a first region having a first width and a second region having a second width greater than the first width, wherein at least a portion of the substrate is exposed in the via hole, and an insulating region having an air gap spaced apart from and surrounding the first region of the via hole.

摘要翻译： 提供半导体器件。 半导体器件包括具有通孔的衬底，该通孔由具有第一宽度的第一区域和具有大于第一宽度的第二宽度的第二区域组成，其中衬底的至少一部分暴露在通孔中， 绝缘区域具有与通孔的第一区域间隔开并围绕通孔的第一区域的气隙。

公开(公告)号：US20120112361A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13289576

申请日：2011-11-04

申请人： KYU-HEE HAN ,  Byung-Lyul Park ,  Byunghee Kim ,  Sanghoon Ahn ,  Sangdon Nam ,  Kyoung-Hee Kim

发明人： KYU-HEE HAN ,  Byung-Lyul Park ,  Byunghee Kim ,  Sanghoon Ahn ,  Sangdon Nam ,  Kyoung-Hee Kim

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a substrate having a via hole comprised of a first region having a first width and a second region having a second width greater than the first width, wherein at least a portion of the substrate is exposed in the via hole, and an insulating region having an air gap spaced apart from and surrounding the first region of the via hole.

摘要翻译： 提供半导体器件。 半导体器件包括具有通孔的衬底，该通孔由具有第一宽度的第一区域和具有大于第一宽度的第二宽度的第二区域组成，其中衬底的至少一部分暴露在通孔中， 绝缘区域具有与通孔的第一区域间隔开并围绕通孔的第一区域的气隙。