公开(公告)号：US20070196773A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11706243

申请日：2007-02-15

申请人： Scott Weigel ,  Peng Zang ,  Thomas Braymer ,  Gene Parris

发明人： Scott Weigel ,  Peng Zang ,  Thomas Braymer ,  Gene Parris

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： The present invention provides a top coat composition comprising a silicon-containing polymer prepared by hydrolysis and condensation of at least one silica source; a solvent; optionally a catalyst; and optionally water, wherein the silicon-containing polymer depolymerizes upon exposure to an aqueous base-containing solution.

摘要翻译： 本发明提供一种面漆组合物，其包含通过至少一种二氧化硅源的水解和缩合制备的含硅聚合物; 溶剂; 任选的催化剂; 和任选的水，其中所述含硅聚合物在暴露于含水碱溶液时解聚。

公开(公告)号：US20060249818A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11484075

申请日：2006-07-11

申请人： Brian Peterson ,  John Kirner ,  Scott Weigel ,  James MacDougall ,  Lisa Deis ,  Thomas Braymer ,  Keith Campbell ,  Martin Devenney ,  C. Ramberg ,  Konstantinos Chondroudis ,  Keith Cendak

发明人： Brian Peterson ,  John Kirner ,  Scott Weigel ,  James MacDougall ,  Lisa Deis ,  Thomas Braymer ,  Keith Campbell ,  Martin Devenney ,  C. Ramberg ,  Konstantinos Chondroudis ,  Keith Cendak

IPC分类号： H01B1/12 ,  H01B1/00

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

摘要： Low dielectric materials and films comprising same have been identified for improved performance when used as performance materials, for example, in interlevel dielectrics integrated circuits as well as methods for making same. In one aspect of the present invention, the performance of the dielectric material may be improved by controlling the weight percentage of ethylene oxide groups in the at least one porogen.

公开(公告)号：US20080012074A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11773570

申请日：2007-07-05

申请人： Thomas Braymer ,  Christine Kretz ,  Thomas Markley ,  Scott Weigel

发明人： Thomas Braymer ,  Christine Kretz ,  Thomas Markley ,  Scott Weigel

IPC分类号： H01L27/12 ,  C09D183/06

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0525

摘要： Traditionally, sol-gel silicates have been reported as being high temperature processable at 400 C to give reasonably dense films that showed good leakage current densities (

摘要翻译： 传统上，已经报道了溶胶 - 凝胶硅酸盐在400℃下是高温可加工的，以产生相当致密的膜，其表现出良好的漏电流密度（<5×10 -8 -8 A / cm 2 / >）。 最近我们已经发现，我们能够从135℃至250℃固化的溶胶 - 凝胶硅酸盐前体的特定组合制备薄膜，并提供良好的漏电流密度值（9×10 -9 -9） A / cm 2至1×10 -10 A / cm 2），尽管处理温度降低。 这些是在较低温度下固化的硅酸盐的一些例子，其中泄漏电流密度足够低以用作柔性或轻质薄膜晶体管的低温处理或可加工或可印刷的栅极电介质。 这些制剂也可用于薄膜晶体管和其它电子器件的不锈钢箔的平面化。

公开(公告)号：US20070299176A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11341334

申请日：2006-01-27

申请人： Thomas Markley ,  Scott Weigel ,  Christine Kretz ,  Thomas Braymer ,  James Mac Dougall ,  Cecilia Petit

发明人： Thomas Markley ,  Scott Weigel ,  Christine Kretz ,  Thomas Braymer ,  James Mac Dougall ,  Cecilia Petit

IPC分类号： B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B60C1/00 ,  C08L83/04

CPC分类号： C09D183/04 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

摘要： A photodefinable, organosilicate material having a dielectric constant (κ) of 3.5 or below and a method for making and using same, for example, in an electronic device, is described herein. In one aspect, there is provided a composition for preparing a photodefinable material comprising: a silica source capable of being sol-gel processed and having a molar ratio of carbon to silicon within the silica source contained therein of at least 0.5 or greater; a photoactive compound; optionally a solvent; and water provided the composition contains 0.1% by weight or less of an added acid where the acid has a molecular weight of 500 or less.

摘要翻译： 本文描述了具有3.5或更低介电常数（κ）的可光缩合的有机硅酸盐材料及其制造和使用方法，例如在电子设备中。 一方面，提供了一种用于制备可光限定材料的组合物，其包含：能够进行溶胶 - 凝胶加工并且其中含有的二氧化硅源中的碳与硅的摩尔比至少为0.5以上的二氧化硅源; 光敏化合物; 任选的溶剂; 和水，只要该组合物含有0.1重量％以下的酸，其中酸的分子量为500以下。

公开(公告)号：US20060249713A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11484049

申请日：2006-07-11

申请人： Brian Peterson ,  John Kirner ,  Scott Weigel ,  James MacDougall ,  Thomas Deis ,  Lisa Deis ,  Thomas Braymer ,  Keith Campbell ,  Martin Devenney ,  C. Ramberg ,  Konstantinos Chondroudis ,  Keith Cendak

发明人： Brian Peterson ,  John Kirner ,  Scott Weigel ,  James MacDougall ,  Thomas Deis ,  Lisa Deis ,  Thomas Braymer ,  Keith Campbell ,  Martin Devenney ,  C. Ramberg ,  Konstantinos Chondroudis ,  Keith Cendak

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

摘要： Low dielectric materials and films comprising same have been identified for improved performance when used as performance materials, for example, in interlevel dielectrics integrated circuits as well as methods for making same. In one aspect of the present invention, the performance of the dielectric material may be improved by controlling the weight percentage of ethylene oxide groups in the at least one porogen.

公开(公告)号：US20050196974A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11060371

申请日：2005-02-18

申请人： Scott Weigel ,  Shrikant Khot ,  James MacDougall ,  Thomas Braymer ,  John Kirner ,  Brian Peterson

发明人： Scott Weigel ,  Shrikant Khot ,  James MacDougall ,  Thomas Braymer ,  John Kirner ,  Brian Peterson

IPC分类号： C08L83/04 ,  C01B33/16 ,  C09D5/25 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C09D201/00 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

摘要： Silica-based materials and films having a dielectric constant of 3.7 or below and compositions and methods for making and using same are disclosed herein. In one aspect, there is provided a composition for preparing a silica-based material comprising an at least one silica source, a solvent, an at least one porogen, optionally a catalyst, and optionally a flow additive wherein the solvent boils at a temperature ranging from 90° C. to 170° C. and is selected from the group of compounds represented by the following formulas: HO—CHR8—CHR9—CH2—CHR10R11 where R8, R9, R10 and R11 can independently be an alkyl group ranging from 1 to 4 carbon atoms or a hydrogen atom; and R12—CO—R13 where R12 is a hydrocarbon group having from 3 to 6 carbon atoms; R13 is a hydrocarbon group having from 1 to 3 carbon atoms; and mixtures thereof.

摘要翻译： 本文公开了具有3.7或更低介电常数的二氧化硅基材料和膜及其制备和使用方法。 在一个方面，提供了一种用于制备二氧化硅基材料的组合物，其包含至少一种二氧化硅源，溶剂，至少一种致孔剂，任选的催化剂和任选的流动添加剂，其中溶剂在温度范围内沸腾 从90℃至170℃，并且选自由下式表示的化合物组：HO-CHR 8 -CHR 9 -CH 2 其中R 8，R 9，R 10，R 10，R 10，R 10， R 11和R 11可以独立地为1至4个碳原子的烷基或氢原子; 和R 12 -CO-R 13其中R 12是具有3至6个碳原子的烃基; R 13是具有1至3个碳原子的烃基; 及其混合物。