公开(公告)号：US08962437B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13494400

申请日：2012-06-12

申请人： Beom-Yong Kim ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee ,  Jae-Hyoung Koo ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

发明人： Beom-Yong Kim ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee ,  Jae-Hyoung Koo ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes: forming a first silicon layer over a semiconductor substrate, where the first silicon layer is doped with a dopant; forming an undoped second silicon layer over the first silicon layer; forming an opening by etching the second silicon layer and the first silicon layer; forming a storage node in the opening; and removing the first silicon layer and the second silicon layer.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括：在半导体衬底上形成第一硅层，其中所述第一硅层掺杂有掺杂剂; 在所述第一硅层上形成未掺杂的第二硅层; 通过蚀刻第二硅层和第一硅层形成开口; 在开口中形成存储节点; 以及去除所述第一硅层和所述第二硅层。

公开(公告)号：US08673754B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13494288

申请日：2012-06-12

申请人： Seung-Mi Lee ,  Yun Hyuck Ji ,  Beom-Yong Kim ,  Bong-Seok Jeon

发明人： Seung-Mi Lee ,  Yun Hyuck Ji ,  Beom-Yong Kim ,  Bong-Seok Jeon

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes ion-implanting germanium into a monocrystalline silicon-containing substrate; forming a gate oxide layer over a surface of the monocrystalline silicon-containing substrate and forming, under the gate oxide layer, a germanium-rich region in which the germanium is concentrated, by performing a plasma oxidation process; and crystallizing the germanium-rich region by performing an annealing process.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括将锗离子注入到单晶硅的衬底中; 在所述单晶含硅衬底的表面上形成栅极氧化物层，并且在所述栅极氧化物层下，通过进行等离子体氧化处理，形成锗浓缩的锗富集区; 并通过进行退火处理使富锗的区域结晶。

公开(公告)号：US20140004679A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13617305

申请日：2012-09-14

申请人： Beom-Yong KIM ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

发明人： Beom-Yong KIM ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76864 ,  H01L28/60 ,  H01L28/92 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/94

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a metal layer over a substrate, forming a capping layer over the metal layer, and densifying the metal layer through a heat treatment.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成金属层，在金属层上形成覆盖层，并通过热处理使金属层致密化。

公开(公告)号：US08455339B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US12960790

申请日：2010-12-06

申请人： Yun-Hyuck Ji

发明人： Yun-Hyuck Ji

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66666

摘要： A method for fabricating a semiconductor device, including etching a substrate to form a trench, forming a junction region in the substrate under the trench, etching the bottom of the trench to a certain depth to form a side junction, and forming a bit line coupled to the side junction.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法，包括蚀刻衬底以形成沟槽，在沟槽下方的衬底中形成结区，将沟槽的底部蚀刻到一定深度以形成侧结，并且形成位线耦合 到边界。

公开(公告)号：US20050118786A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10889480

申请日：2004-07-12

申请人： Su Ho Kim ,  Yun Hyuck Ji

发明人： Su Ho Kim ,  Yun Hyuck Ji

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L29/80 ,  H01L31/112

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： Disclosed is a method for forming an isolation layer of a semiconductor device. The method includes the steps of providing a semiconductor substrate having a predetermined isolation region, sequentially forming a pad oxide layer and a pad nitride layer exposing the predetermined isolation region on the semiconductor substrate, forming a trench through etching the semiconductor substrate by a predetermined thickness using the pad nitride layer as a mask, forming a wall oxide layer at a side wall of the trench, sequentially forming a nitride layer and an oxide layer on a trench structure including the wall oxide layer, forming an Al2O3 layer on an entire surface of a resultant structure, planarizing the Al2O3 layer through polishing the Al2O3 layer, and forming the isolation layer by removing the pad nitride layer.

摘要翻译： 公开了一种形成半导体器件隔离层的方法。 该方法包括以下步骤：提供具有预定隔离区域的半导体衬底，顺序地形成衬垫氧化物层和暴露半导体衬底上的预定隔离区域的衬垫氮化物层，通过使用 衬垫氮化物层作为掩模，在沟槽的侧壁处形成壁氧化物层，在包括壁氧化物层的沟槽结构上依次形成氮化物层和氧化物层，形成Al 2 在所得结构的整个表面上形成O 3层，通过抛光Al 2 O 3层平坦化Al 2 O 3层，以及通过去除衬垫氮化物层形成隔离层。

公开(公告)号：US09159779B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13617305

申请日：2012-09-14

申请人： Beom-Yong Kim ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

发明人： Beom-Yong Kim ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L49/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76864 ,  H01L28/60 ,  H01L28/92 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/94

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a metal layer over a substrate, forming a capping layer over the metal layer, and densifying the metal layer through a heat treatment.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成金属层，在金属层上形成覆盖层，并通过热处理使金属层致密化。

公开(公告)号：US08889515B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13337443

申请日：2011-12-27

申请人： Yun-Hyuck Ji ,  Woo-Young Park

发明人： Yun-Hyuck Ji ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/70 ,  H01L27/088 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes a substrate including a first region and a second region, a gate dielectric layer formed on the substrate, and a metal electrode layer formed on the gate dielectric layer and including a compound of carbon and nitrogen, wherein a metal electrode formed from the metal electrode layer in the first region has a work function lower than a work function of a metal electrode formed from the metal electrode layer in the second region and a nitrogen concentration of the metal electrode of the first region is smaller than a nitrogen concentration of the metal electrode of the second region.

摘要翻译： 一种半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底;形成在衬底上的栅极电介质层;以及形成在栅极介电层上并包含碳和氮的化合物的金属电极层，其中由 第一区域中的金属电极层具有比在第二区域中由金属电极层形成的金属电极的功函数低的作用函数，并且第一区域的金属电极的氮浓度小于 第二区域的金属电极。

公开(公告)号：US08653611B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13027379

申请日：2011-02-15

申请人： Yun-Hyuck Ji ,  Tae-Yoon Kim ,  Seung-Mi Lee ,  Woo-Young Park

发明人： Yun-Hyuck Ji ,  Tae-Yoon Kim ,  Seung-Mi Lee ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L29/51

CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A semiconductor device includes a gate insulation layer formed over a substrate and having a high dielectric constant, a gate electrode formed over the gate insulation layer and a work function control layer formed between the substrate and the gate insulation layer and inducing a work function shift of the gate electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上并具有高介电常数的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的栅极电极和形成在衬底和栅极绝缘层之间的功函数控制层，并且引起功函数偏移 栅电极。

公开(公告)号：US08232166B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12614543

申请日：2009-11-09

申请人： Seung-Mi Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Tae-Kyun Kim ,  Jin-Yul Lee

发明人： Seung-Mi Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Tae-Kyun Kim ,  Jin-Yul Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes a substrate with a recess pattern, a gate electrode filling the recess pattern, a threshold voltage adjusting layer formed in the substrate under the recess pattern, a source/drain region formed in the substrate on both sides of the gate electrode and a gate insulation layer, with the recess pattern being disposed between the gate electrode and the substrate, wherein the thickness of the gate insulation layer formed in a region adjacent to the source/drain region is greater than the thickness of the gate insulation layer formed in a region adjacent to the threshold voltage adjusting layer.

摘要翻译： 半导体器件包括具有凹陷图案的衬底，填充凹陷图案的栅电极，在凹槽图案下形成在衬底中的阈值电压调节层，形成在栅电极两侧的衬底中的源/漏区，以及 栅极绝缘层，其中凹部图案设置在栅电极和衬底之间，其中形成在与源极/漏极区相邻的区域中的栅极绝缘层的厚度大于形成在栅极绝缘层中的栅极绝缘层的厚度 与阈值电压调整层相邻的区域。

公开(公告)号：US20120009748A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12960790

申请日：2010-12-06

申请人： Yun-Hyuck JI

发明人： Yun-Hyuck JI

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66666

摘要： A method for fabricating a semiconductor device, including etching a substrate to form a trench, forming a junction region in the substrate under the trench, etching the bottom of the trench to a certain depth to form a side junction, and forming a bit line coupled to the side junction.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法，包括蚀刻衬底以形成沟槽，在沟槽下方的衬底中形成结区，将沟槽的底部蚀刻到一定深度以形成侧结，并且形成位线耦合 到边界。