公开(公告)号：US06639318B1

公开(公告)日：2003-10-28

申请号：US09647917

申请日：2000-10-13

申请人： Akira Mitsui ,  Atsushi Hayashi ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Hiromichi Nishimura ,  Yasuhiro Sanada ,  Makoto Noshiro ,  Kazuo Sunahara

发明人： Akira Mitsui ,  Atsushi Hayashi ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Hiromichi Nishimura ,  Yasuhiro Sanada ,  Makoto Noshiro ,  Kazuo Sunahara

IPC分类号： H01L2940

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention has an object to provide an integrated circuit device having a Cu wiring, using a barrier layer which facilitates planarization. The present invention relates to an integrated circuit device having a Cu wiring layer, a barrier layer therefor and a dielectric layer, wherein the barrier layer is represented by a compositional formula of TaOxNy (the range of x being 0

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用有助于平坦化的阻挡层的具有Cu布线的集成电路器件。 本发明涉及一种具有Cu布线层及其阻挡层和介电层的集成电路器件，其中阻挡层由组成式TaOxNy（x的范围为0

公开(公告)号：US5464674A

公开(公告)日：1995-11-07

申请号：US3417

申请日：1993-01-12

申请人： Ichiro Makino ,  Akira Mitsui ,  Mikio Takehara ,  Eiichi Ando ,  Junichi Ebisawa ,  Koichi Suzuki ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Toru Iseda ,  Susumu Suzuki

发明人： Ichiro Makino ,  Akira Mitsui ,  Mikio Takehara ,  Eiichi Ando ,  Junichi Ebisawa ,  Koichi Suzuki ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Toru Iseda ,  Susumu Suzuki

IPC分类号： B32B17/10 ,  C03C17/23 ,  C03C17/245 ,  C03C17/25 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G02B1/10 ,  G11B5/72 ,  G11B5/66 ,  C23C14/00 ,  C03C3/155

CPC分类号： C03C17/3605 ,  B32B17/10174 ,  C03C17/23 ,  C03C17/245 ,  C03C17/25 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3482 ,  C03C17/3488 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/3657 ,  C03C17/3681 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G11B5/72 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/229 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/242 ,  C03C2217/78 ,  C03C2218/11 ,  C03C2218/15 ,  C03C2218/154 ,  Y02T10/88 ,  Y10S428/90

摘要： A magnetic recording medium comprising a magnetic recording layer and at least one protective layer formed on the recording layer, wherein the outermost protective layer on the side exposed to air is made of an oxide film.

摘要翻译： 一种磁记录介质，包括磁记录层和形成在记录层上的至少一个保护层，其中暴露于空气的一侧的最外层保护层由氧化膜制成。

公开(公告)号：US5209835A

公开(公告)日：1993-05-11

申请号：US489954

申请日：1990-03-07

申请人： Ichiro Makino ,  Akira Mitsui ,  Mikio Takehara ,  Eiichi Ando ,  Junichi Ebisawa ,  Koichi Suzuki ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Toru Iseda ,  Susumu Suzuki

发明人： Ichiro Makino ,  Akira Mitsui ,  Mikio Takehara ,  Eiichi Ando ,  Junichi Ebisawa ,  Koichi Suzuki ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Toru Iseda ,  Susumu Suzuki

IPC分类号： B32B17/10 ,  C03C17/23 ,  C03C17/245 ,  C03C17/25 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G02B1/10 ,  G11B5/72

CPC分类号： C03C17/3605 ,  B32B17/10174 ,  C03C17/23 ,  C03C17/245 ,  C03C17/25 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3482 ,  C03C17/3488 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/3657 ,  C03C17/3681 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G11B5/72 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/229 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/242 ,  C03C2217/78 ,  C03C2218/11 ,  C03C2218/15 ,  C03C2218/154 ,  Y02T10/88 ,  Y10S428/90

摘要： A magnetic recording medium comprising a magnetic recording layer and at least one protective layer formed on the recording layer, wherein the outermost protective layer on the side exposed to air is made of an oxide film.

摘要翻译： 一种磁记录介质，包括磁记录层和形成在记录层上的至少一个保护层，其中暴露于空气的一侧的最外层保护层由氧化膜制成。

公开(公告)号：US5772862A

公开(公告)日：1998-06-30

申请号：US429845

申请日：1995-04-27

申请人： Eiichi Ando ,  Akira Mitsui ,  Junichi Ebisawa ,  Koichi Suzuki ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Takuji Oyama

发明人： Eiichi Ando ,  Akira Mitsui ,  Junichi Ebisawa ,  Koichi Suzuki ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Takuji Oyama

IPC分类号： B32B17/10 ,  B32B27/06 ,  C03C17/23 ,  C03C17/245 ,  C03C17/25 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C03C17/38 ,  C03C17/42 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  H01J37/34

CPC分类号： C03C17/3605 ,  B32B17/10174 ,  B32B27/06 ,  C03C17/23 ,  C03C17/245 ,  C03C17/25 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3482 ,  C03C17/3488 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/3657 ,  C03C17/3681 ,  C03C17/38 ,  C03C17/42 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G02B1/116 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3491 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/229 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/242 ,  C03C2217/732 ,  C03C2218/11 ,  C03C2218/15 ,  C03C2218/154 ,  G02F1/133502 ,  G02F2001/133337 ,  Y02T10/88

摘要： The present invention relates to a film comprising silicon dioxide as the main component, which contains Zr, etc., and a method for forming it by reactive DC sputtering. It makes it possible to form reflection preventive films, alkali barrier films and various multi-layered films such as multi-layered films for anti-iridescent glass, which contain said film comprising silicon dioxide as the main component, by a physical vapor deposition method without breaking a vacuum.

摘要翻译： 本发明涉及包含二氧化硅作为主要成分的含Zr等的薄膜及其用反应型DC溅射法形成的方法。 通过物理气相沉积法可以形成防反射膜，碱阻挡膜和各种多层膜，例如用于防虹彩玻璃的多层膜，其包含以二氧化硅为主要成分的所述膜，而没有 打破真空

公开(公告)号：US5605609A

公开(公告)日：1997-02-25

申请号：US323579

申请日：1994-10-17

申请人： Eiichi Ando ,  Akira Mitsui ,  Junichi Ebisawa ,  Koichi Suzuki ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Takuji Oyama

发明人： Eiichi Ando ,  Akira Mitsui ,  Junichi Ebisawa ,  Koichi Suzuki ,  Kiyoshi Matsumoto ,  Takuji Oyama

IPC分类号： B32B17/10 ,  B32B27/06 ,  C03C17/23 ,  C03C17/245 ,  C03C17/25 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C03C17/38 ,  C03C17/42 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  H01J37/34

CPC分类号： C03C17/3605 ,  B32B17/10174 ,  B32B27/06 ,  C03C17/23 ,  C03C17/245 ,  C03C17/25 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3482 ,  C03C17/3488 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/3657 ,  C03C17/3681 ,  C03C17/38 ,  C03C17/42 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G02B1/116 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3491 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/229 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/242 ,  C03C2217/732 ,  C03C2218/11 ,  C03C2218/15 ,  C03C2218/154 ,  G02F1/133502 ,  G02F2001/133337 ,  Y02T10/88

摘要： The present invention relates to a film comprising silicon dioxide as the main component, which contains Zr, etc., and a method for forming it by reactive DC sputtering. It makes it possible to form reflection preventive films, alkali barrier films and various multi-layered films such as multi-layered films for anti-iridescent glass, which contain said film comprising silicon dioxide as the main component, by a physical vapor deposition method without breaking a vacuum.

摘要翻译： 本发明涉及包含二氧化硅作为主要成分的含Zr等的薄膜及其用反应型DC溅射法形成的方法。 通过物理气相沉积法可以形成防反射膜，碱阻挡膜和各种多层膜，例如用于防虹彩玻璃的多层膜，其包含以二氧化硅为主要成分的所述膜，而没有 打破真空

公开(公告)号：US06193856B1

公开(公告)日：2001-02-27

申请号：US09011749

申请日：1998-03-12

申请人： Otojiro Kida ,  Akira Mitsui ,  Eri Suzuki ,  Hisashi Osaki ,  Atsushi Hayashi

发明人： Otojiro Kida ,  Akira Mitsui ,  Eri Suzuki ,  Hisashi Osaki ,  Atsushi Hayashi

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： C23C14/083 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C14/3414

摘要： A sputtering target comprising a substrate and a target material formed on the substrate, wherein the target material comprises a metal oxide of the chemical formula MOx as the main component, wherein MOx is a metal oxide which is deficient in oxygen as compared with the stoichiometric composition, and M is at least one metal selected from the group consisting of Ti, Nb, Ta, Mo, W, Zr and Hf, a process for its production, and a method for forming a film having a high refractive index.

摘要翻译： 1.一种溅射靶，包括在所述基板上形成的基板和靶材，其中所述靶材包含化学式MO x的金属氧化物为主要成分，其中MOx为与所述化学计量组成相比缺氧的金属氧化物 M是选自Ti，Nb，Ta，Mo，W，Zr和Hf中的至少一种金属，其制造方法以及具有高折射率的膜的形成方法。

公开(公告)号：US5736267A

公开(公告)日：1998-04-07

申请号：US515805

申请日：1995-08-16

申请人： Akira Mitsui ,  Kazuo Sato ,  Masami Miyazaki ,  Junichi Ebisawa ,  Yasuo Hayashi ,  Masao Higeta ,  Katsuaki Aikawa ,  Atsushi Hayashi

发明人： Akira Mitsui ,  Kazuo Sato ,  Masami Miyazaki ,  Junichi Ebisawa ,  Yasuo Hayashi ,  Masao Higeta ,  Katsuaki Aikawa ,  Atsushi Hayashi

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  B32B9/00

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  Y10S428/91 ,  Y10T428/31667

摘要： A transparent conductive film of a zinc oxide type containing gallium and silicon, which contains silicon in an amount of from 0.01 to 1.5 mol % in terms of SiO.sub.2.

公开(公告)号：US06440278B1

公开(公告)日：2002-08-27

申请号：US09964625

申请日：2001-09-28

申请人： Otojiro Kida ,  Akira Mitsui ,  Eri Suzuki ,  Hisashi Osaki ,  Atsushi Hayashi

发明人： Otojiro Kida ,  Akira Mitsui ,  Eri Suzuki ,  Hisashi Osaki ,  Atsushi Hayashi

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： C23C14/083 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C14/3414

摘要： A sputtering target comprising a substrate and a target material formed on the substrate, wherein the target material comprises a metal oxide of the chemical formula MOx as the main component, wherein MOx is a metal oxide which is deficient in oxygen as compared with the stoichiometric composition, and M is at least one metal selected from the group consisting of Ti, Nb, Ta, Mo, W, Zr and Hf, a process for its production, and a method for forming a film having a high refractive index.

摘要翻译： 1.一种溅射靶，包括在所述基板上形成的基板和靶材，其中所述靶材包含化学式MO x的金属氧化物为主要成分，其中MOx为与所述化学计量组成相比缺氧的金属氧化物 M是选自Ti，Nb，Ta，Mo，W，Zr和Hf中的至少一种金属，其制造方法以及具有高折射率的膜的形成方法。

公开(公告)号：US6146765A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US912361

申请日：1997-08-18

申请人： Akira Mitsui ,  Kazuo Sato ,  Masami Miyazaki ,  Junichi Ebisawa ,  Yasuo Hayashi ,  Masao Higeta ,  Katsuaki Aikawa ,  Atsushi Hayashi

发明人： Akira Mitsui ,  Kazuo Sato ,  Masami Miyazaki ,  Junichi Ebisawa ,  Yasuo Hayashi ,  Masao Higeta ,  Katsuaki Aikawa ,  Atsushi Hayashi

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  B32B15/04 ,  B32B17/06

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  Y10S428/91

摘要： A transparent conductive film of a zinc oxide type containing gallium and silicon, which contains silicon in an amount of from 0.01 to 1.5 mol % in terms of SiO.sub.2.

摘要翻译： 含有硅和硅的氧化锌类的透明导电膜，其含有SiO 2换算为0.01〜1.5摩尔％的硅。

公开(公告)号：US06334938B2

公开(公告)日：2002-01-01

申请号：US09729102

申请日：2000-12-05

申请人： Otojiro Kida ,  Akira Mitsui ,  Eri Suzuki ,  Hisashi Osaki ,  Atsushi Hayashi ,  Takuji Oyama ,  Kenichi Sasaki

发明人： Otojiro Kida ,  Akira Mitsui ,  Eri Suzuki ,  Hisashi Osaki ,  Atsushi Hayashi ,  Takuji Oyama ,  Kenichi Sasaki

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： C23C14/083 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C14/3414

摘要： A sputtering target comprising a substrate and a target material formed on the substrate, wherein the target material comprises a metal oxide of the chemical formula MOx as the main component, wherein MOx is a metal oxide which is deficient in oxygen as compared with the stoichiometric composition, and M is at least one metal selected from the group consisting of Ti, Nb, Ta, Mo, W, Zr and Hf, a process for its production, and a method for forming a film having a high refractive index.