公开(公告)号：US08889566B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13668657

申请日：2012-11-05

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Amit Chatterjee ,  Abhijit Basu Mallick ,  Nitin K. Ingle ,  Brian Underwood ,  Kiran V. Thadani ,  Xiaolin Chen ,  Abhishek Dube ,  Jingmei Liang

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219

摘要： A method of forming a dielectric layer is described. The method deposits a silicon-containing film by chemical vapor deposition using a local plasma. The silicon-containing film is flowable during deposition at low substrate temperature. A silicon precursor (e.g. a silylamine, higher order silane or halogenated silane) is delivered to the substrate processing region and excited in a local plasma. A second plasma vapor or gas is combined with the silicon precursor in the substrate processing region and may include ammonia, nitrogen (N2), argon, hydrogen (H2) and/or oxygen (O2). The equipment configurations disclosed herein in combination with these vapor/gas combinations have been found to result in flowable deposition at substrate temperatures below or about 200° C. when a local plasma is excited using relatively low power.

摘要翻译： 描述形成电介质层的方法。 该方法通过使用局部等离子体的化学气相沉积法沉积含硅膜。 含硅膜在低基板温度下沉积时是可流动的。 将硅前体（例如甲硅烷基胺，高级硅烷或卤代硅烷）输送到衬底处理区域并在局部等离子体中激发。 第二等离子体蒸气或气体与硅衬底加工区域中的硅前体结合，并且可包括氨，氮（N 2），氩，氢（H 2）和/或氧（O 2）。 已经发现本文公开的与这些蒸汽/气体组合组合的设备结构在基板温度低于或约200℃时导致可流动的沉积，当使用较低功率激发局部等离子体时。

公开(公告)号：US20130177847A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13633252

申请日：2012-10-02

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Amit Chatterjee ,  Abhijit Basu Mallick ,  Nitin K. Ingle

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0044 ,  G03F7/20

摘要： Methods and corresponding photoresists are described for fine linewidth lithography using x-rays, e-beams, visible spectrum optical lithography, ultra-violet optical lithography or extreme ultra-violet lithography. The methods include the formation of a photoresist film including a dopant having an atomic mass greater than or equal to twenty two. The dopant may be introduced daring the formation of the photoresist. The photoresist includes the dopant to increase the absorption of radiation during lithography. The photoresist may be silicon-, germanium or carbon-based photoresists.

摘要翻译： 描述了使用X射线，电子束，可见光谱光刻，紫外线光刻或极紫外光刻的细线宽光刻法的方法和相应的光致抗蚀剂。 所述方法包括形成包含原子质量大于或等于二十二的掺杂剂的光致抗蚀剂膜。 可以引入掺杂剂来大量形成光致抗蚀剂。 光致抗蚀剂包括掺杂剂以增加光刻期间的辐射吸收。 光致抗蚀剂可以是硅，锗或碳基光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US20150147879A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US14483578

申请日：2014-09-11

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Amit Chatterjee ,  Geetika Bajaj ,  Pramit Manna ,  He Ren ,  Tapash Chakraborty ,  Srinivas D. Nemani ,  Mehul Naik ,  Robert Jan visser ,  Abhijit Basu Mallick

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of depositing thin, low dielectric constant layers that are effective diffusion barriers on metal interconnects of semiconductor circuits are described. A self-assembled monolayer (SAM) of molecules each having a head moiety and a tail moiety are deposited on the metal. The SAM molecules self-align, wherein the head moiety is formulated to selectively bond to the metal layer leaving the tail moiety disposed at a distal end of the molecule. A dielectric layer is subsequently deposited on the SAM, chemically bonding to the tail moiety of the SAM molecules.

摘要翻译： 描述了在半导体电路的金属互连上沉积有效扩散阻挡层的薄的低介电常数层的方法。 每个具有头部和尾部的分子的自组装单层（SAM）沉积在金属上。 SAM分子自对准，其中头部部分被配制成选择性地键合到金属层，离开设置在分子远端的尾部。 随后在SAM上沉积介电层，化学键合到SAM分子的尾部。

公开(公告)号：US09257330B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14483578

申请日：2014-09-11

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Amit Chatterjee ,  Geetika Bajaj ,  Pramit Manna ,  He Ren ,  Tapash Chakraborty ,  Srinivas D. Nemani ,  Mehul Naik ,  Robert Jan visser ,  Abhijit Basu Mallick

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of depositing thin, low dielectric constant layers that are effective diffusion barriers on metal interconnects of semiconductor circuits are described. A self-assembled monolayer (SAM) of molecules each having a head moiety and a tail moiety are deposited on the metal. The SAM molecules self-align, wherein the head moiety is formulated to selectively bond to the metal layer leaving the tail moiety disposed at a distal end of the molecule. A dielectric layer is subsequently deposited on the SAM, chemically bonding to the tail moiety of the SAM molecules.

摘要翻译： 描述了在半导体电路的金属互连上沉积有效扩散阻挡层的薄的低介电常数层的方法。 每个具有头部和尾部的分子的自组装单层（SAM）沉积在金属上。 SAM分子自对准，其中头部部分被配制成选择性地键合到金属层，离开设置在分子远端的尾部。 随后在SAM上沉积介电层，化学键合到SAM分子的尾部。

公开(公告)号：US20140073144A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US13668657

申请日：2012-11-05

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Amit Chatterjee ,  Abhijit Basu Mallick ,  Nitin K. Ingle ,  Brian Underwood ,  Kiran V. Thadani ,  Xiaolin Chen ,  Abhishek Dube ,  Jingmei Liang

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219

摘要： A method of forming a dielectric layer is described. The method deposits a silicon-containing film by chemical vapor deposition using a local plasma. The silicon-containing film is flowable during deposition at low substrate temperature. A silicon precursor (e.g. a silylamine, higher order silane or halogenated silane) is delivered to the substrate processing region and excited in a local plasma. A second plasma vapor or gas is combined with the silicon precursor in the substrate processing region and may include ammonia, nitrogen (N2), argon, hydrogen (H2) and/or oxygen (O2). The equipment configurations disclosed herein in combination with these vapor/gas combinations have been found to result in flowable deposition at substrate temperatures below or about 200° C. when a local plasma is excited using relatively low power.

摘要翻译： 描述形成电介质层的方法。 该方法通过使用局部等离子体的化学气相沉积法沉积含硅膜。 含硅膜在低基板温度下沉积时是可流动的。 将硅前体（例如甲硅烷基胺，高级硅烷或卤代硅烷）输送到衬底处理区域并在局部等离子体中激发。 第二等离子体蒸气或气体与硅衬底加工区域中的硅前体结合，并且可包括氨，氮（N 2），氩，氢（H 2）和/或氧（O 2）。 已经发现本文公开的与这些蒸汽/气体组合组合的设备结构在基板温度低于或约200℃时导致可流动的沉积，当使用较低功率激发局部等离子体时。

公开(公告)号：US09583333B2

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：US14520721

申请日：2014-10-22

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Amit Chatterjee ,  Abhijit Basu Mallick ,  Nitin K. Ingle

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274

摘要： Embodiments of the present invention generally provide methods for forming a silicon nitride layer on a substrate. In one embodiment, a method of forming a silicon nitride layer using remote plasma chemical vapor deposition (CVD) at a temperature that is less than 300 degrees Celsius is disclosed. The precursors for the remote plasma CVD process include tris(dimethylamino)silane (TRIS), dichlorosilane (DCS), trisilylamine (TSA), bis-t-butylaminosilane (BTBAS), hexachlorodisilane (HCDS) or hexamethylcyclotrisilazane (HMCTZ).

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供在衬底上形成氮化硅层的方法。 在一个实施例中，公开了在小于300摄氏度的温度下使用远程等离子体化学气相沉积（CVD）形成氮化硅层的方法。 用于远程等离子体CVD工艺的前体包括三（二甲基氨基）硅烷（TRIS），二氯硅烷（DCS），三甲基胺（TSA），双 - 叔丁基氨基硅烷（BTBAS），六氯二硅烷（HCDS）或六甲基环三硅氮烷（HMCTZ）。

公开(公告)号：US09219006B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US14153807

申请日：2014-01-13

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Amit Chatterjee

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76876

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods for forming a flowable carbon-containing film on a substrate. In one embodiment, an oxygen-containing gas is flowed into a remote plasma region to produce oxygen-containing plasma effluents, and a carbon-containing gas is combined with the oxygen-containing plasma effluents in a substrate processing region which contains the substrate. A carbon-containing film is formed in trenches which are formed on the substrate and a low K dielectric material is deposited on the carbon-containing film in the trenches. The carbon-containing film is decomposed by an UV treatment and airgaps are formed in the trenches under the low K dielectric material.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及在基材上形成可流动的含碳膜的方法。 在一个实施方案中，含氧气体流入远程等离子体区域以产生含氧等离子体流出物，并且含碳气体与含有基底的基底处理区域中的含氧等离子体流出物组合。 在基板上形成的沟槽中形成含碳膜，在沟槽中的含碳膜上沉积低K电介质材料。 通过UV处理分解含碳膜，并在低K电介质材料下的沟槽中形成气隙。