公开(公告)号：US20130115733A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13547783

申请日：2012-07-12

申请人： Bong-Kyun KIM ,  Hong Sick PARK ,  Wang Woo LEE ,  Young Woo PARK ,  Shin Il CHOI ,  Sang-Woo KIM ,  Ki-Beom LEE ,  Dae-Woo LEE ,  Sam-Young CHO ,  Jeong-Heon CHOI

发明人： Bong-Kyun KIM ,  Hong Sick PARK ,  Wang Woo LEE ,  Young Woo PARK ,  Shin Il CHOI ,  Sang-Woo KIM ,  Ki-Beom LEE ,  Dae-Woo LEE ,  Sam-Young CHO ,  Jeong-Heon CHOI

IPC分类号： H01L21/465 ,  C09K13/06 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C09K13/10 ,  H01L21/465 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is an etchant composition. The etchant composition according to an exemplary embodiment of the present invention includes ammonium persulfate ((NH4)2)S2O8, an azole-based compound, a water-soluble amine compound, a sulfonic acid-containing compound, a nitrate-containing compound, and water.

摘要翻译： 提供了一种蚀刻剂组合物。 根据本发明的示例性实施方案的蚀刻剂组合物包括过硫酸铵（（NH 4）2）S2O8，唑类化合物，水溶性胺化合物，含磺酸化合物，含硝酸盐化合物和 水。

公开(公告)号：US20110226727A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13032563

申请日：2011-02-22

申请人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

发明人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

IPC分类号： C23F1/18 ,  H05K3/06 ,  C23F1/30 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： Exemplary embodiments of the present invention provide a metal wiring etchant. A metal wiring etchant according to an exemplary embodiment of the present invention includes ammonium persulfate, an organic acid, an ammonium salt, a fluorine-containing compound, a glycol-based compound, and an azole-based compound.

摘要翻译： 本发明的示例性实施方案提供金属线路蚀刻剂。 根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包括过硫酸铵，有机酸，铵盐，含氟化合物，二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：US20080224092A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12075966

申请日：2008-03-14

申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Ji-Sun LEE ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO ,  Byung-Soo KU ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Kwi-Hong PARK ,  Won-Guk SEO

发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Ji-Sun LEE ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO ,  Byung-Soo KU ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Kwi-Hong PARK ,  Won-Guk SEO

IPC分类号： C09K13/08 ,  C09K13/00

CPC分类号： C23F1/14 ,  H01L21/32134

摘要： An etchant for a metal is described. In one example, the etchant includes ammonium persulfate ((NH4)2S2O8), an azole compound and water. The etchant does not include hydrogen peroxide. Thus, the etchant may etch a metal layer including copper so that an etched copper layer has a tapered profile. Furthermore, the etchant may have a high stability to maintain etching ability for a longer time. Thus, manufacturing margins may be improved so that manufacturing costs may be reduced.

摘要翻译： 描述了金属的蚀刻剂。 在一个实例中，蚀刻剂包括过硫酸铵（（NH 3）2 S 2 O 2 O 8）， 唑化合物和水。 蚀刻剂不包括过氧化氢。 因此，蚀刻剂可以蚀刻包括铜的金属层，使得蚀刻的铜层具有锥形轮廓。 此外，蚀刻剂可能具有高的稳定性，以保持较长时间的蚀刻能力。 因此，可以提高制造裕度，从而可以降低制造成本。

公开(公告)号：US20130034923A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13433013

申请日：2012-03-28

申请人： In-Bae KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Ji-Young PARK ,  Seon-Il KIM ,  Jae-Woo JEONG ,  Sang Gab KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Ki-Beom LEE ,  Dae-Woo LEE ,  Sam-Young CHO

发明人： In-Bae KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Ji-Young PARK ,  Seon-Il KIM ,  Jae-Woo JEONG ,  Sang Gab KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Ki-Beom LEE ,  Dae-Woo LEE ,  Sam-Young CHO

IPC分类号： H01L33/08 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C09K13/00

CPC分类号： C23F1/18 ,  C09K13/08 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124

摘要： An etching composition, a method of forming a metal pattern using the etching composition, and a method of manufacturing a display substrate are disclosed. The etching composition includes about 0.1% by weight to about 25% by weight of ammonium persulfate, about 0.1% by weight to about 25% by weight of an organic acid, about 0.01% by weight to about 5% by weight of a chelating agent, about 0.01% by weight to about 5% by weight of a fluoride compound, about 0.01% by weight to about 5% by weight of a chloride compound, about 0.01% by weight to about 2% by weight of an azole-based compound and a remainder of water. Thus, a copper layer may be stably etched to improve a reliability of manufacturing the metal pattern and the display substrate.

摘要翻译： 公开了一种蚀刻组合物，使用该蚀刻组合物形成金属图案的方法以及一种制造显示衬底的方法。 蚀刻组合物包含约0.1重量％至约25重量％的过硫酸铵，约0.1重量％至约25重量％的有机酸，约0.01重量％至约5重量％的螯合剂 ，约0.01重量％至约5重量％的氟化物，约0.01重量％至约5重量％的氯化物化合物，约0.01重量％至约2重量％的唑类化合物 和余下的水。 因此，可以稳定地蚀刻铜层以提高制造金属图案和显示基板的可靠性。

公开(公告)号：US20130064978A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13435626

申请日：2012-03-30

申请人： Sang-Mi KIM ,  Gug Rae JO ,  Jae Hyuk CHANG ,  Seung-Jun LEE ,  Seung-Min LEE ,  Dae-Young LEE ,  Ki-Beom LEE

发明人： Sang-Mi KIM ,  Gug Rae JO ,  Jae Hyuk CHANG ,  Seung-Jun LEE ,  Seung-Min LEE ,  Dae-Young LEE ,  Ki-Beom LEE

IPC分类号： B05D3/12 ,  B65H18/08 ,  B65H35/02

CPC分类号： B65H18/103 ,  B01J3/02 ,  B01J3/03 ,  B05C11/115 ,  B65H2301/41487 ,  B65H2801/61 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  C23C16/545 ,  D06B23/18

摘要： A vacuum roll-to-roll device includes: a first chamber; a second chamber neighboring the first chamber; a shutter disposed between the first chamber and the second chamber; a sealing member attached to the shutter; and a roll-type substrate which moves from the first chamber to the second chamber through the sealing member. A thickness of a lateral side of the roll-type substrate decreases in a direction toward an edge thereof.

摘要翻译： 真空卷对卷装置包括：第一室; 邻近第一室的第二室; 设置在所述第一室和所述第二室之间的快门; 附接到所述活门的密封构件; 以及通过密封构件从第一室移动到第二室的辊型基板。 辊型基板的侧面的厚度在朝向其边缘的方向上减小。

公开(公告)号：US20120100649A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13100149

申请日：2011-05-03

申请人： Young-Min KIM ,  Seon-Pil JANG ,  Bo-Sung KIM ,  Yeon-Taek JEONG ,  Yong-Su LEE ,  Tae-Young CHOI ,  Ki-Beom LEE ,  Kang Moon JO

发明人： Young-Min KIM ,  Seon-Pil JANG ,  Bo-Sung KIM ,  Yeon-Taek JEONG ,  Yong-Su LEE ,  Tae-Young CHOI ,  Ki-Beom LEE ,  Kang Moon JO

IPC分类号： H01L33/08 ,  B05D3/06 ,  H01L21/336 ,  B05D5/00 ,  H01L21/26 ,  B05D3/02 ,  B05D5/06

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/324 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633

摘要： Provided is a method for manufacturing a film structure.The method for manufacturing the film structure n includes forming a layer of a precursor material on a substrate, preheating the precursor material, and irradiating the precursor material with microwave radiation to form the film structure.

摘要翻译： 提供一种膜结构的制造方法。 制造薄膜结构体n的方法包括在基材上形成前体材料层，预热前体材料，并用微波辐射照射前体材料，形成薄膜结构体。