公开(公告)号：US09477688B2

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：US11140073

申请日：2005-05-31

申请人： Bum-Soo Kim

发明人： Bum-Soo Kim

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30274

摘要： In searching for a phone number in a wireless terminal, image search mode is entered when an image search is selected in phone book search mode and the image data stored in a phone book are displayed. When a SEND key is pressed continuously for a predetermined time, a call is sent to a phone number stored in the phone book associated with the selected image data. Whenever the SEND key is pressed for a predetermined time, phone numbers stored in the phone book associated with the selected image data are sequentially displayed. When image rearrangement is selected while image data are displayed, the image data are classified into moving and still images on a group-by-group basis and rearranged. When selected image view is selected while image data are displayed, the image data are enlarged and displayed, and image data stored in a corresponding folder are displayed.

摘要翻译： 在无线终端中搜索电话号码时，在电话簿搜索模式中选择图像搜索并显示存储在电话簿中的图像数据时，输入图像搜索模式。 当连续按压SEND键达预定时间时，将呼叫发送到存储在与所选择的图像数据相关联的电话簿中的电话号码。 每当按下SEND键一段预定的时间时，依次显示存储在与所选择的图像数据相关联的电话簿中的电话号码。 当显示图像数据时选择图像重排时，将图像数据逐组分类为移动和静止图像，并重新排列。 当显示图像数据时选择了所选择的图像视图时，放大显示图像数据，并且显示存储在相应文件夹中的图像数据。

公开(公告)号：US08102614B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12949045

申请日：2010-11-18

申请人： Dong-Hyun Song ,  Young-Joon Choi ,  Bum-Soo Kim ,  Myung-Jin Jung

发明人： Dong-Hyun Song ,  Young-Joon Choi ,  Bum-Soo Kim ,  Myung-Jin Jung

IPC分类号： G11B27/36

CPC分类号： G11B20/10527 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G11B2020/10685 ,  G11B2020/1285 ,  Y02D10/154

摘要： A storage system is disclosed and related methods of reading/writing data are disclosed. The storage system includes a main data storage medium, and first and second buffers storing data to be stored on the main data storage medium, as well as a controller defining a data I/O path. The data I/O path may be defined in relation to a detected operating state of the main data storage medium.

摘要翻译： 公开了一种存储系统，并且公开了读/写数据的相关方法。 存储系统包括主数据存储介质，以及存储要存储在主数据存储介质上的数据的第一和第二缓冲器以及定义数据I / O路径的控制器。 可以关于主数据存储介质的检测到的操作状态来定义数据I / O路径。

公开(公告)号：US07567304B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11347936

申请日：2006-02-06

申请人： Joo-Sub Kim ,  Bum-Soo Kim

发明人： Joo-Sub Kim ,  Bum-Soo Kim

IPC分类号： H04N5/445

CPC分类号： H04H60/72 ,  H04H60/43 ,  H04H60/80 ,  H04N7/17318 ,  H04N21/4788 ,  H04N21/4826

摘要： A method of sharing a preference channel in a digital broadcasting reception terminal includes registering a phone book group to which at least one preference channel and information on the preference channel are transmitted; if digital broadcasting data of the registered preference channel is received, detecting information on the preference channel from an electronic program guide (EPG) stored in advance; and transmitting the detected information on the preference channel to terminals in the phone book group in realtime

摘要翻译： 一种在数字广播接收终端中共享优选频道的方法包括：登记至少一个优选频道的电话簿组和关于优选频道的信息的发送; 如果接收到登记的喜好频道的数字广播数据，则从预先存储的电子节目指南（EPG）中检测关于偏好频道的信息; 并且将所述优选频道上检测到的信息实时地发送到所述电话簿组中的终端

公开(公告)号：US08883588B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13599233

申请日：2012-08-30

申请人： Sung-Soo Ahn ,  O Ik Kwon ,  Bum-Soo Kim ,  Hyun-Sung Kim ,  Kyoung-Sub Shin ,  Min-Kyung Yun ,  Seung-Pil Chung ,  Won-Bong Jung

发明人： Sung-Soo Ahn ,  O Ik Kwon ,  Bum-Soo Kim ,  Hyun-Sung Kim ,  Kyoung-Sub Shin ,  Min-Kyung Yun ,  Seung-Pil Chung ,  Won-Bong Jung

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7883 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, the method including forming a tunnel insulating layer on an upper surface of a substrate, forming gate patterns on an upper surface of the tunnel insulating layer, forming capping layer patterns on sidewalls of the gate patterns and on the upper surface of the tunnel insulating layer, etching a portion of the tunnel insulating layer that is not covered with the gate patterns or the capping layer patterns to form a tunnel insulating layer pattern, and forming a first insulating layer on the upper surface of the substrate to cover the gate patterns, the capping layer patterns, and the tunnel insulating layer pattern, wherein the first insulating layer has an air gap between the capping layer patterns.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底的上表面上形成隧道绝缘层，在隧道绝缘层的上表面上形成栅极图案，在栅极图案的侧壁上形成覆盖层图案，并且在 隧道绝缘层的上表面，蚀刻未被栅极图案或覆盖层图案覆盖的隧道绝缘层的一部分以形成隧道绝缘层图案，并且在衬底的上表面上形成第一绝缘层 以覆盖栅极图案，覆盖层图案和隧道绝缘层图案，其中第一绝缘层在封盖层图案之间具有气隙。

公开(公告)号：US07660159B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US10998987

申请日：2004-11-30

申请人： Sang-won Hwang ,  Jin-Yub Lee ,  Bum-Soo Kim ,  Kwang-Yoon Lee ,  Chan-Ik Park

发明人： Sang-won Hwang ,  Jin-Yub Lee ,  Bum-Soo Kim ,  Kwang-Yoon Lee ,  Chan-Ik Park

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3454

摘要： Methods and devices for programming control information perform a lower-speed programming of a given cell type in a first area of memory array, confirm a result of the lower-speed programming of the given cell type in the first area of memory array, and perform a higher-speed programming of the given cell type in a second area of memory array after confirming the result of the lower-speed programming. An initial programming voltage of the higher-speed programming may be different from that of the lower-speed programming. The first programming may be a lower-speed operation, such as the writing of data, and the second programming may be a higher-speed operation, such as the writing of control information.

摘要翻译： 用于编程控制信息的方法和装置在存储器阵列的第一区域中执行给定小区类型的较低速度编程，确认存储器阵列的第一区域中给定小区类型的较低速度编程的结果，并执行 在确认低速编程的结果之后，在存储器阵列的第二区域中对给定单元类型的更高速度编程。 较高速度编程的初始编程电压可能与低速编程的编程电压不同。 第一编程可以是诸如写入数据的低速操作，并且第二编程可以是诸如写入控制信息的更高速的操作。

公开(公告)号：US20090117723A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12287945

申请日：2008-10-15

申请人： Jong-Kyu Kim ,  Bum-Soo Kim ,  Jong-Heui Song ,  Sang-Sup Jeong ,  Sung-Gil Choi ,  Kuk-Han Yoon

发明人： Jong-Kyu Kim ,  Bum-Soo Kim ,  Jong-Heui Song ,  Sang-Sup Jeong ,  Sung-Gil Choi ,  Kuk-Han Yoon

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/40114

摘要： In a method of forming a conductive pattern in a semiconductor device, a conductive layer including a metal is formed on a substrate. A mask including carbon is provided on the conductive layer, and the conductive pattern is formed on the substrate by etching the conductive layer using the mask as an etching mask. The mask is removed from the conductive pattern by an oxygen plasma ashing process. An oxidized portion of the conductive pattern is reduced. The conductive pattern may have a desired resistance by reducing the oxidized portion to improve electrical characteristics and reliability of the semiconductor device.

摘要翻译： 在半导体器件中形成导电图案的方法中，在衬底上形成包括金属的导电层。 在导电层上设置包含碳的掩模，并且通过使用掩模作为蚀刻掩模蚀刻导电层，在基板上形成导电图案。 通过氧等离子体灰化处理将掩模从导电图案中去除。 导电图案的氧化部分减少。 导电图案可以通过减少氧化部分而具有期望的电阻，以改善半导体器件的电特性和可靠性。

公开(公告)号：US20060209444A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11316896

申请日：2005-12-27

申请人： Dong-Hyun Song ,  Young-Joon Choi ,  Bum-Soo Kim ,  Myung-Jin Jung

发明人： Dong-Hyun Song ,  Young-Joon Choi ,  Bum-Soo Kim ,  Myung-Jin Jung

IPC分类号： G11B27/36

CPC分类号： G11B20/10527 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G11B2020/10685 ,  G11B2020/1285 ,  Y02D10/154

摘要： A hard disk drive is disclosed and related methods of reading/writing data are disclosed. The hard disk drive includes a disk serving as a main data storage medium, and first and second buffers storing data to be stored on the disk, as well as a controller defining a data I/O path in relation to a detected operating state of the hard disk drive.

公开(公告)号：US07864465B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12339205

申请日：2008-12-19

申请人： Dong-Hyun Song ,  Young-Joon Choi ,  Bum-Soo Kim ,  Myung-Jin Jung

发明人： Dong-Hyun Song ,  Young-Joon Choi ,  Bum-Soo Kim ,  Myung-Jin Jung

IPC分类号： G11B27/36 ,  G06F13/00

CPC分类号： G11B20/10527 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G11B2020/10685 ,  G11B2020/1285 ,  Y02D10/154

摘要： A hard disk drive is disclosed and related methods of reading/writing data are disclosed. The hard disk drive includes a disk serving as a main data storage medium, and first and second buffers storing data to be stored on the disk, as well as a controller defining a data I/O path in relation to a detected operating state of the hard disk drive.

摘要翻译： 公开了一种硬盘驱动器，并且公开了读/写数据的相关方法。 硬盘驱动器包括用作主数据存储介质的磁盘，以及存储要存储在磁盘上的数据的第一和第二缓冲器，以及定义关于检测到的操作状态的数据I / O路径的控制器 硬盘驱动器。

公开(公告)号：US20100055914A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12428963

申请日：2009-04-23

申请人： Jae-Ho Min ,  O-Ik Kwon ,  Bum-Soo Kim ,  Dong-chan Kim ,  Myeong-cheol Kim

发明人： Jae-Ho Min ,  O-Ik Kwon ,  Bum-Soo Kim ,  Dong-chan Kim ,  Myeong-cheol Kim

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C5/06 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

摘要： Methods of forming a semiconductor device can be provided by simultaneously forming a plurality of mask patterns using self-aligned reverse patterning, including respective mask pattern elements having different widths.

摘要翻译： 可以通过使用自对准反向图案化来同时形成多个掩模图案来提供形成半导体器件的方法，包括具有不同宽度的各个掩模图案元件。

公开(公告)号：US20080096378A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11711118

申请日：2007-02-27

申请人： Jong-Kyu Kim ,  Sang-Sup Jeong ,  Sung-Gil Choi ,  Kuk-Han Yoon ,  Bum-Soo Kim

发明人： Jong-Kyu Kim ,  Sang-Sup Jeong ,  Sung-Gil Choi ,  Kuk-Han Yoon ,  Bum-Soo Kim

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/11521

摘要： In a method of forming a contact structure, first and second conductive structures may be formed on a lower structure to be spaced from each other. An insulating layer may be formed on the lower structure to cover the first and second conductive structures. A first hole exposing the first conductive structure may be formed through the insulating layer. A spacer may be formed on a sidewall of the first hole. A first contact electrically coupled to the first conductive structure may be formed in the first hole having the sidewall on which the spacer is formed. A portion of the insulating layer located between the spacers may be removed to form a second hole exposing the second conductive structure. A second contact electrically coupled to the second conductive structure may be formed in the second hole.

摘要翻译： 在形成接触结构的方法中，第一和第二导电结构可以形成在下部结构上以彼此间隔开。 可以在下部结构上形成绝缘层以覆盖第一和第二导电结构。 露出第一导电结构的第一孔可以通过绝缘层形成。 间隔件可以形成在第一孔的侧壁上。 电耦合到第一导电结构的第一触点可以形成在具有形成间隔件的侧壁的第一孔中。 可以去除位于间隔物之间​​的绝缘层的一部分，以形成暴露第二导电结构的第二孔。 电耦合到第二导电结构的第二触点可以形成在第二孔中。