公开(公告)号：US20080014700A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11806338

申请日：2007-05-31

申请人： Woong-Hee Sohn ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Hee Kim ,  Byung-hak Lee ,  Tae-Ho Cha ,  Hee-Sook Park ,  Jae-Hwa Park ,  Geum-Jung Seong

发明人： Woong-Hee Sohn ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Hee Kim ,  Byung-hak Lee ,  Tae-Ho Cha ,  Hee-Sook Park ,  Jae-Hwa Park ,  Geum-Jung Seong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  Y10S438/981

摘要： Disclosed are a variety of methods for increasing the relative thickness in the peripheral or edge regions of gate dielectric patterns to suppress leakage through these regions. The methods provide alternatives to conventional GPOX processes and provide the improved leakage resistance without incurring the degree of increased gate electrode resistance associated with GPOX processes. Each of the methods includes forming a first opening to expose an active area region, forming an oxidation control region on the exposed portion and then forming a second opening whereby a peripheral region free of the oxidation control region is exposed for formation of a gate dielectric layer. The resulting gate dielectric layers are characterized by a thinner central region surrounded or bounded by a thicker peripheral region.

摘要翻译： 公开了用于增加栅极电介质图案的外围或边缘区域中的相对厚度以抑制这些区域的泄漏的各种方法。 这些方法提供了常规GPOX工艺的替代方案，并提供改进的耐漏电性，而不会导致与GPOX工艺相关的增加的栅电极电阻的程度。 每种方法包括形成第一开口以暴露有源区域区域，在暴露部分上形成氧化控制区域，然后形成第二开口，由此暴露氧化控制区域的外围区域以形成栅极介电层 。 得到的栅极介电层的特征在于由较厚的外围区域包围或界定的较薄的中心区域。

公开(公告)号：US20090101984A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US12003144

申请日：2007-12-20

申请人： Byung-hak Lee ,  Woong-hee Sohn ,  Jae-hwa Park ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hee Kim ,  Hee-sook Park

发明人： Byung-hak Lee ,  Woong-hee Sohn ,  Jae-hwa Park ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hee Kim ,  Hee-sook Park

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28247

摘要： A semiconductor device may include a gate dielectric film on a semiconductor substrate and/or a gate electrode. The gate electrode may include a first metal film, a first metal silicide film, and/or a conductive polysilicon film sequentially stacked on the gate dielectric film.

摘要翻译： 半导体器件可以包括在半导体衬底和/或栅电极上的栅极电介质膜。 栅电极可以包括依次层叠在栅极电介质膜上的第一金属膜，第一金属硅化物膜和/或导电多晶硅膜。

公开(公告)号：US20090189229A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12315436

申请日：2008-12-03

申请人： Jong-min Baek ,  Seong-hwee Cheong ,  Gil-heyun Choi ,  Tae-ho Cha ,  Hee-sook Park ,  Byung-hak Lee ,  Jae-hwa Park

发明人： Jong-min Baek ,  Seong-hwee Cheong ,  Gil-heyun Choi ,  Tae-ho Cha ,  Hee-sook Park ,  Byung-hak Lee ,  Jae-hwa Park

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L23/532 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/4933

摘要： Provided are semiconductor devices and methods of fabricating the same, and more specifically, semiconductor devices having a W—Ni alloy thin layer that has a low resistance, and methods of fabricating the same. The semiconductor devices include the W—Ni alloy thin layer. The weight of Ni in the W—Ni alloy thin layer may be in a range from approximately 0.01 to approximately 5.0 wt % of the total weight of the W—Ni alloy thin layer.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法，更具体地说，具有低电阻的W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括W-Ni合金薄层。 W-Ni合金薄层中的Ni的重量可以在W-Ni合金薄层的总重量的约0.01〜约5.0重量％的范围内。

公开(公告)号：US08466052B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US12704358

申请日：2010-02-11

申请人： Jong-min Baek ,  Hee-sook Park ,  Seong-hwee Cheong ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hak Lee ,  Tae-ho Cha ,  Jae-hwa Park ,  Su-kyoung Kim

发明人： Jong-min Baek ,  Hee-sook Park ,  Seong-hwee Cheong ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hak Lee ,  Tae-ho Cha ,  Jae-hwa Park ,  Su-kyoung Kim

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L27/10891

摘要： A method of fabricating a semiconductor device can include forming a trench in a semiconductor substrate, forming a first conductive layer on a bottom surface and side surfaces of the trench, and selectively forming a second conductive layer on the first conductive layer to be buried in the trench. The second conductive layer may be formed selectively on the first conductive layer by using an electroless plating method or using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD) method.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在半导体衬底中形成沟槽，在沟槽的底表面和侧表面上形成第一导电层，并且在第一导电层上选择性地形成第二导电层以埋在 沟。 可以通过使用化学镀方法或使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）方法在第一导电层上选择性地形成第二导电层。

公开(公告)号：US07781849B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US12315436

申请日：2008-12-03

申请人： Jong-min Baek ,  Seong-hwee Cheong ,  Gil-heyun Choi ,  Tae-ho Cha ,  Hee-sook Park ,  Byung-hak Lee ,  Jae-hwa Park

发明人： Jong-min Baek ,  Seong-hwee Cheong ,  Gil-heyun Choi ,  Tae-ho Cha ,  Hee-sook Park ,  Byung-hak Lee ,  Jae-hwa Park

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/4933

摘要： Provided are semiconductor devices and methods of fabricating the same, and more specifically, semiconductor devices having a W—Ni alloy thin layer that has a low resistance, and methods of fabricating the same. The semiconductor devices include the W—Ni alloy thin layer. The weight of Ni in the W—Ni alloy thin layer may be in a range from approximately 0.01 to approximately 5.0 wt % of the total weight of the W—Ni alloy thin layer.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法，更具体地说，具有低电阻的W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括W-Ni合金薄层。 W-Ni合金薄层中的Ni的重量可以在W-Ni合金薄层的总重量的约0.01〜约5.0重量％的范围内。

公开(公告)号：US20100210105A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12704358

申请日：2010-02-11

申请人： Jong-min Baek ,  Hee-sook Park ,  Seong-hwee Cheong ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hak Lee ,  Tae-ho Cha ,  Jae-hwa Park ,  Su-kyoung Kim

发明人： Jong-min Baek ,  Hee-sook Park ,  Seong-hwee Cheong ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hak Lee ,  Tae-ho Cha ,  Jae-hwa Park ,  Su-kyoung Kim

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L27/10891

摘要： A method of fabricating a semiconductor device can include forming a trench in a semiconductor substrate, forming a first conductive layer on a bottom surface and side surfaces of the trench, and selectively forming a second conductive layer on the first conductive layer to be buried in the trench. The second conductive layer may be formed selectively on the first conductive layer by using an electroless plating method or using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD) method.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在半导体衬底中形成沟槽，在沟槽的底表面和侧表面上形成第一导电层，并且在第一导电层上选择性地形成第二导电层以埋在 沟。 可以通过使用化学镀方法或使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）方法在第一导电层上选择性地形成第二导电层。

公开(公告)号：US20070105397A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11593598

申请日：2006-11-07

申请人： Jae-hwa Park ,  Woong-hee Sohn ,  Byung-hak Lee ,  Byung-hee Kim ,  Hee-seok Park

发明人： Jae-hwa Park ,  Woong-hee Sohn ,  Byung-hak Lee ,  Byung-hee Kim ,  Hee-seok Park

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： B01J19/129 ,  B01J2219/0894 ,  H01L21/28185

摘要： Embodiments of the invention provide a method for removing hydrogen gas from a chamber and a method for performing a semiconductor device fabrication sub-process and removing hydrogen gas from a chamber. The method for removing hydrogen gas from a chamber comprises removing a substrate from a chamber, wherein residual hydrogen gas is disposed in the chamber, injecting oxygen gas or ozone gas into the chamber, producing plasma in the chamber, and removing OH radicals from the chamber.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了从室中除去氢气的方法以及用于执行半导体器件制造子过程并从室除去氢气的方法。 从室中除去氢气的方法包括从室中除去衬底，其中残留氢气设置在室中，将氧气或臭氧气体注入室中，在室中产生等离子体，并从室中除去OH自由基 。

公开(公告)号：US06270388B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：US09338379

申请日：1999-06-23

申请人： Byung-hak Lee

发明人： Byung-hak Lee

IPC分类号： H01J918

CPC分类号： H01J9/242 ,  H01J2211/36

摘要： A method for fabricating a partition of a plasma display panel includes the steps of spraying and coating a powdered partition material onto a substrate on which address electrodes and a dielectric layer are formed, melting the partition material by a laser beam, and solidifying the melted partition material to complete the partition.

摘要翻译： 制造等离子体显示面板的隔板的方法包括以下步骤：将粉末状分隔材料喷涂到形成有寻址电极和电介质层的基板上，通过激光束熔化隔板材料，并使熔化的隔板 材料完成分区。

公开(公告)号：US07211953B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US10383052

申请日：2003-03-07

申请人： Byung-hak Lee ,  Eun-gi Heo ,  Min-sun Yoo ,  Yoshinori Anzai

发明人： Byung-hak Lee ,  Eun-gi Heo ,  Min-sun Yoo ,  Yoshinori Anzai

IPC分类号： F21K7/00

CPC分类号： H01J11/12 ,  H01J11/38

摘要： A plasma display device includes a first substrate, an address electrode formed on an upper surface of the fist substrate, a first dielectric layer formed on the upper surface of the first substrate and embedding the address electrode, a second substrate which is transparent and forms a discharge space by being coupled to the first substrate, a plurality of maintaining electrodes formed on a lower surface of the second substrate to form a predetermined angle with the address electrode, each of the maintaining electrodes including first and second electrodes, a second dielectric layer formed on the second substrate where the maintaining electrodes are formed and embedding the maintaining electrodes, at least a portion where an electrical field is concentrated formed between the first and second electrodes constituting the maintaining electrodes, and a partition installed between the first and second substrates for sectioning the discharge space.

摘要翻译： 等离子体显示装置包括第一基板，形成在第一基板的上表面上的寻址电极，形成在第一基板的上表面上并嵌入寻址电极的第一电介质层，透明的第二基板， 放电空间通过耦合到第一衬底，形成在第二衬底的下表面上以与寻址电极形成预定角度的多个保持电极，每个保持电极包括第一和第二电极，形成第二电介质层 在形成维持电极的第二基板上并埋设保持电极的情况下，在构成保持电极的第一和第二电极之间至少形成电场集中的部分，以及安装在第一和第二基板之间用于切割的隔板 放电空间。

公开(公告)号：US06531820B1

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：US09533787

申请日：2000-03-24

申请人： Byung-hak Lee ,  Eun-gi Heo ,  Min-sun Yoo ,  Yoshinori Anzai

发明人： Byung-hak Lee ,  Eun-gi Heo ,  Min-sun Yoo ,  Yoshinori Anzai

IPC分类号： H01J1749

CPC分类号： H01J11/12 ,  H01J11/38

摘要： A plasma display device includes a first substrate, an address electrode formed on an upper surface of the fist substrate, a first dielectric layer formed on the upper surface of the first substrate and embedding the address electrode, a second substrate which is transparent and forms a discharge space by being coupled to the first substrate, a plurality of maintaining electrodes formed on a lower surface of the second substrate to form a predetermined angle with the address electrode, each of the maintaining electrodes including first and second electrodes, a second dielectric layer formed on the second substrate where the maintaining electrodes are formed and embedding the maintaining electrodes, at least a portion where an electrical field is concentrated formed between the first and second electrodes constituting the maintaining electrodes, and a partition installed between the first and second substrates for sectioning the discharge space.

摘要翻译： 等离子体显示装置包括第一基板，形成在第一基板的上表面上的寻址电极，形成在第一基板的上表面上并嵌入寻址电极的第一电介质层，透明的第二基板， 放电空间通过耦合到第一衬底，形成在第二衬底的下表面上以与寻址电极形成预定角度的多个保持电极，每个保持电极包括第一和第二电极，形成第二电介质层 在形成维持电极的第二基板上并埋设保持电极的情况下，在构成保持电极的第一和第二电极之间至少形成电场集中的部分，以及安装在第一和第二基板之间用于切割的隔板 放电空间。