公开(公告)号：US20100230711A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12722231

申请日：2010-03-11

申请人： CHESTER KUO ,  LUNG HSIN CHEN ,  WEN LIANG TSENG ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： CHESTER KUO ,  LUNG HSIN CHEN ,  WEN LIANG TSENG ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： A method for fabricating flip-chip semiconductor optoelectronic devices initially flip-chip bonds a semiconductor optoelectronic chip attached to an epitaxial substrate to a packaging substrate. The epitaxial substrate is then separated using lift-off technology.

摘要翻译： 用于制造倒装芯片半导体光电器件的方法首先将连接到外延衬底的半导体光电芯片倒装芯片结合到封装衬底。 然后使用剥离技术分离外延衬底。

公开(公告)号：US20120080715A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13314186

申请日：2011-12-08

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： A structure of semiconductor device includes a first semiconductor layer; an intermediate layer on a surface of said first semiconductor layer; a second semiconductor layer on said intermediate layer, wherein said intermediate layer and said second semiconductor layer are integrated to a set of sub-structures; and a semiconductor light emitting device on said second semiconductor layer.

摘要翻译： 半导体器件的结构包括第一半导体层; 在所述第一半导体层的表面上的中间层; 在所述中间层上的第二半导体层，其中所述中间层和所述第二半导体层被集成到一组子结构中; 以及在所述第二半导体层上的半导体发光器件。

公开(公告)号：US20090224283A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12396750

申请日：2009-03-03

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A method of fabricating a photoelectric device of Group III nitride semiconductor, where the method comprises the steps of: forming a first Group III nitride semiconductor layer on a surface of a temporary substrate; patterning the first Group III nitride semiconductor layer using photolithography and etching processes; forming a second Group III nitride semiconductor layer on the patterned first Group III nitride semiconductor layer; forming a conductive layer on the second Group III nitride semiconductor layer; and releasing the temporary substrate by removing the first Group III nitride semiconductor layer to obtain a composite of the second Group III nitride semiconductor layer and the conductive layer.

摘要翻译： 一种制造III族氮化物半导体的光电器件的方法，其中所述方法包括以下步骤：在临时衬底的表面上形成第一III族氮化物半导体层; 使用光刻和蚀刻工艺图案化第一III族氮化物半导体层; 在所述图案化的第一III族氮化物半导体层上形成第二III族氮化物半导体层; 在所述第二III族氮化物半导体层上形成导电层; 并且通过去除第一III族氮化物半导体层来释放临时衬底，以获得第二III族氮化物半导体层和导电层的复合物。

公开(公告)号：US20100224897A1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：US12716040

申请日：2010-03-02

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  CHIH PANG MA ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  CHIH PANG MA ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/08

摘要： A semiconductor optoelectronic device with enhanced light extraction efficiency includes at least one protrusion structure, which can be formed around a light-emitting region of the device. The at least one protrusion structure can include a plurality of protrusion structures in one embodiment. In addition, a fabricating method for forming a semiconductor optoelectronic device with enhanced light extraction efficiency is provided in the present invention.

摘要翻译： 具有增强的光提取效率的半导体光电子器件包括可以围绕器件的发光区域形成的至少一个突起结构。 在一个实施例中，至少一个突起结构可以包括多个突起结构。 此外，在本发明中提供了一种用于形成具有增强的光提取效率的半导体光电子器件的制造方法。

公开(公告)号：US20090321780A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12491806

申请日：2009-06-25

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/14

摘要： A gallium nitride-based light emitting device with a roughened surface is described. The light emitting device comprises a substrate, a buffer layer grown on the substrate, an n-type III-nitride semiconductor layer grown on the buffer layer, a III-nitride semiconductor active layer grown on the n-type III-nitride semiconductor layer, a first p-type III-nitride semiconductor layer grown on the III-nitride semiconductor active layer, a heavily doped p-type III semiconductor layer grown on the first p-type III-nitride semiconductor, and a roughened second p-type III-nitride semiconductor layer grown on the heavily doped p-type III semiconductor layer.

摘要翻译： 描述了具有粗糙表面的氮化镓基发光器件。 发光器件包括衬底，在衬底上生长的缓冲层，在缓冲层上生长的n型III族氮化物半导体层，在n型III族氮化物半导体层上生长的III族氮化物半导体有源层， 在III族氮化物半导体有源层上生长的第一p型III族氮化物半导体层，在第一p型III族氮化物半导体上生长的重掺杂p型III半导体层和粗糙化的第二p型III- 在重掺杂的p型III半导体层上生长的氮化物半导体层。

公开(公告)号：US20100224900A1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：US12717671

申请日：2010-03-04

申请人： PENG YI WU ,  SHIH CHENG HUANG ,  CHIH PANG MA ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： PENG YI WU ,  SHIH CHENG HUANG ,  CHIH PANG MA ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/44

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/44

摘要： A semiconductor optoelectronic device with enhanced light extraction efficiency includes a major luminescent area and a secondary luminescent area, wherein the major luminescent area is surrounded by a secondary luminescent area. The secondary luminescent area not only can improve the light extraction efficiency of the major luminescent area, but per se also can luminesce. In addition, one embodiment of the present invention provides a fabricating method for forming the secondary luminescent area.

摘要翻译： 具有增强的光提取效率的半导体光电子器件包括主发光区域和二次发光区域，其中主发光区域被二次发光区域包围。 二次发光区域不仅可以提高主要发光区域的光提取效率，而且本身也可以发光。 此外，本发明的一个实施例提供了形成二次发光区域的制造方法。

公开(公告)号：US20100032649A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12536282

申请日：2009-08-05

申请人： WEN YU LIN ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： WEN YU LIN ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting device (LED), in which a reduced polarization interlayer is formed between an electron blocking layer (EBL) and an active layer of the LED, is disclosed. The reduced polarization interlayer is made of AlxInyGa1-x-yN, where 0≦x≦1 and 0≦y≦1.

摘要翻译： 公开了一种在电子阻挡层（EBL）和LED的有源层之间形成减薄偏振中间层的发光器件（LED）。 减薄偏振中间层由Al x In y Ga 1-x-y N制成，其中0 <= x <= 1且0 <= y <= 1。

公开(公告)号：US20110163295A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US13048905

申请日：2011-03-16

申请人： PENG YI WU ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： PENG YI WU ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02521 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A semiconductor includes a semiconductor layer, a plurality of recesses and a blocking layer. The recesses are formed on a surface of the semiconductor layer by etching fragile locations of the semiconductor layer where dislocation occurs. The blocking layer is filled in each recess. The semiconductor further includes a re-epitaxial semiconductor layer grown from a surface of the semiconductor layer without the covering of blocking layer, and the re-epitaxial semiconductor layer laterally overgrows toward areas of the recesses for overlaying the blocking layer.

摘要翻译： 半导体包括半导体层，多个凹部和阻挡层。 通过蚀刻发生位错的半导体层的脆弱位置，在半导体层的表面上形成凹部。 阻挡层填充在每个凹部中。 半导体还包括从半导体层的表面生长而不覆盖阻挡层的再外延半导体层，并且再外延半导体层横向过度地朝向用于覆盖阻挡层的凹部的区域。

公开(公告)号：US20100090232A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12577350

申请日：2009-10-12

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/0079

摘要： A wavelength conversion layer is formed on a surface of a light emitting device for transforming a portion of light emitted from the light emitting device into light of a different wavelength. The transformed light is mixed with the untransformed light, and thus the light emitting device can emit light having preferred CIE coordinates.

摘要翻译： 在发光器件的表面上形成波长转换层，用于将从发光器件发射的光的一部分变换为不同波长的光。 变换的光与未变换的光混合，因此发光器件可以发射具有优选CIE坐标的光。

公开(公告)号：US20090315067A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12488875

申请日：2009-06-22

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： A semiconductor device fabrication method is disclosed. A buffer layer is provided and a first semiconductor layer is formed on the buffer layer. Next, a first intermediate layer is formed on the first semiconductor layer by dopant with high concentration during an epitaxial process. A second semiconductor layer is overlaid on the first intermediate layer. A semiconductor light emitting device is grown on the second semiconductor layer. The formation of the intermediate layer and the second semiconductor layer is a set of steps.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件制造方法。 提供缓冲层，在缓冲层上形成第一半导体层。 接下来，在外延工艺期间，通过掺杂剂以高浓度在第一半导体层上形成第一中间层。 第二半导体层覆盖在第一中间层上。 在第二半导体层上生长半导体发光器件。 中间层和第二半导体层的形成是一组步骤。