公开(公告)号：US06984585B2

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：US10218473

申请日：2002-08-12

申请人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

发明人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02071 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F41/308 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L43/12

摘要： A method for removal of residues after plasma etching a film stack comprising a first layer and a sacrificial layer. The method treats a substrate containing the film stack after the first layer of the film stack has been etched to remove residue produced during the etching process. The treatment is performed in a buffered oxide etch wet dip solution that removes the residue and the sacrificial layer.

摘要翻译： 一种用于在等离子体蚀刻包括第一层和牺牲层的薄膜堆叠之后去除残余物的方法。 在蚀刻第一层薄膜叠层之后，该方法处理含有薄膜叠层的基板，以除去在蚀刻过程中产生的残留物。 处理在缓冲氧化物蚀刻湿浸液中进行，其去除残余物和牺牲层。

公开(公告)号：US06942813B2

公开(公告)日：2005-09-13

申请号：US10382964

申请日：2003-03-05

申请人： Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar ,  Xiaoyi Chen

发明人： Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar ,  Xiaoyi Chen

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01F41/30 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8246 ,  B44C1/22 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01F41/308 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F4/00 ,  H01F41/301 ,  H01J2237/3348 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： A method for etching magnetic and ferroelectric materials using a pulsed substrate biasing technique (PSBT) that applies a plurality of processing cycles to the substrate, where each cycle comprises a period of plasma etching without substrate bias and a period of plasma etching with the substrate bias. In exemplary applications, the method is used for fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM) and ferroelectric random access memory (FeRAM) devices.

摘要翻译： 一种使用向基板施加多个处理循环的脉冲衬底偏置技术（PSBT）蚀刻磁性和铁电材料的方法，其中每个循环包括没有衬底偏压的等离子体蚀刻周期和具有衬底偏置的等离子体蚀刻周期 。 在示例性应用中，该方法用于制造磁阻随机存取存储器（MRAM）和铁电随机存取存储器（FeRAM）器件。

公开(公告)号：US07320942B2

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：US10285967

申请日：2002-11-01

申请人： Xiaoyi Chen ,  Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar ,  Ralph C. Kerns ,  Ying Rui ,  Chun Yan ,  Guowen Ding ,  Wai-Fan Yau

发明人： Xiaoyi Chen ,  Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar ,  Ralph C. Kerns ,  Ying Rui ,  Chun Yan ,  Guowen Ding ,  Wai-Fan Yau

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L43/12 ,  Y10S438/906

摘要： A method for removal of metallic residue from a substrate after a plasma etch process in a semiconductor substrate processing system by cleaning the substrate in a hydrogen fluoride solution.

摘要翻译： 一种在半导体衬底处理系统中通过在氟化氢溶液中清洗衬底的等离子体蚀刻工艺之后从衬底去除金属残留物的方法。

公开(公告)号：US07105361B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10338059

申请日：2003-01-06

申请人： Xiaoyi Chen ,  Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

发明人： Xiaoyi Chen ,  Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L43/12

摘要： A method of patterning a layer of magnetic material to form isolated magnetic regions. The method forms a mask on a film stack comprising a layer of magnetic material such that the protected and unprotected regions are defined. The unprotected regions are etched in a high temperature environment to form isolated magnetic regions.

摘要翻译： 图案化磁性材料层以形成隔离的磁性区域的方法。 该方法在包含磁性材料层的薄膜叠层上形成掩模，使得限定保护区和未保护区。 未受保护的区域在高温环境中被蚀刻以形成隔离的磁性区域。

公开(公告)号：US06964928B2

公开(公告)日：2005-11-15

申请号：US10231675

申请日：2002-08-29

申请人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

发明人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H01F41/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02071 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F41/308 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136

摘要： A method for removal of residue after plasma etching a film stack comprising a patterned photoresist material layer, a hard mask layer, a conductive layer, and a magnetic layer, wherein the patterned photoresist material layer and the hard mask layer form a dual mask. The method cleans a substrate containing the film stack after the dual mask of the film stack has been etched to remove residue produced during the etching process. The cleaning step is performed in a solution comprising hydrogen peroxide and ammonium hydroxide that removes the residue.

摘要翻译： 在等离子体蚀刻包括图案化的光致抗蚀剂材料层，硬掩模层，导电层和磁性层的膜堆叠之后去除残余物的方法，其中图案化的光致抗蚀剂材料层和硬掩模层形成双掩模。 该方法在已经蚀刻了膜堆叠的双重掩模以除去在蚀刻过程中产生的残留物之前，清洗含有膜堆叠的基板。 清洗步骤在包含去除残余物的过氧化氢和氢氧化铵的溶液中进行。

公开(公告)号：US06759263B2

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：US10231620

申请日：2002-08-29

申请人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

发明人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/02244 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F4/00 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/308 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L43/12 ,  Y10S438/911

摘要： A method of patterning a layer of magnetic material to form isolated magnetic regions. The method forms a mask on a film stack comprising a layer of magnetic material such the protected and unprotected regions are defined. The unprotected regions are oxidized to form isolated magnetic regions.

公开(公告)号：US06943039B2

公开(公告)日：2005-09-13

申请号：US10365008

申请日：2003-02-11

申请人： Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

发明人： Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/11585 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31122 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55

摘要： Method of etching a ferroelectric layer includes etching an upper electrode and partially through a ferroelectric layer. A dielectric material is subsequently deposited upon the upper electrode and the partially etched ferroelectric layer. A second etch step completely etches through the remaining portion of the ferroelectric layer and also etches lower electrodes. A random access memory apparatus is constructed that includes a first conductive layer, a dielectric layer disposed upon the first conductive layer, a second conductive layer disposed upon the dielectric layer, where such layers form a stack having a sidewall. Further, the sidewall has a protective dielectric film disposed thereon and extending from the second layer down to the dielectric layer.

摘要翻译： 蚀刻铁电体层的方法包括：蚀刻上部电极，部分地通过铁电体层。 随后将电介质材料沉积在上电极和部分蚀刻的铁电层上。 第二蚀刻步骤完全蚀刻穿过铁电层的剩余部分并蚀刻下电极。 构造了随机存取存储装置，其包括第一导电层，设置在第一导电层上的电介质层，设置在电介质层上的第二导电层，其中这些层形成具有侧壁的叠层。 此外，侧壁具有设置在其上并从第二层向下延伸到电介质层的保护电介质膜。

公开(公告)号：US06933239B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10342087

申请日：2003-01-13

申请人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Chun Yan ,  Ajay Kumar

发明人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Chun Yan ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L21/32136

摘要： A method for removing conductive residue from a layer on a semiconductor substrate by exposing the substrate to a gas comprising a fluorine containing gas and a hydrogen containing gas. In one embodiment, the gas is excited to form a plasma that removes the conductive residue during fabrication of a magneto-resistive random access memory (MRAM) device.

摘要翻译： 一种通过将衬底暴露于包含含氟气体和含氢气体的气体从半导体衬底上的层去除导电残留物的方法。 在一个实施例中，气体被激发以形成在制造磁阻随机存取存储器（MRAM）器件期间除去导电残留物的等离子体。

公开(公告)号：US06911346B2

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10394464

申请日：2003-03-21

申请人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Mohit Jain ,  Ajay Kumar

发明人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Mohit Jain ,  Ajay Kumar

IPC分类号： C23F4/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/855 ,  H01F41/30 ,  H01L21/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F4/00 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B5/855 ,  H01F41/308

摘要： A method of etching a magnetic material (e.g., nickel-iron alloy (NiFe), cobalt-iron alloy (CoFe), and the like) using a gas mixture comprising a hydrogen halide gas and a fluorocarbon-containing gas is disclosed. The method provides high etch selectivity for the magnetic materials over non-magnetic dielectric materials, such as aluminum oxide (Al2O3) and the like, as well as to photoresist.

摘要翻译： 公开了使用包含卤化氢气体和含碳氟化合物的气体的气体混合物来蚀刻磁性材料（例如镍 - 铁合金（NiFe），钴 - 铁合金（CoFe）等）的方法。 该方法对非磁性电介质材料（例如氧化铝（Al 2 O 3 3））等上的磁性材料提供高蚀刻选择性，以及光致抗蚀剂 。

公开(公告)号：US06841484B2

公开(公告)日：2005-01-11

申请号：US10418449

申请日：2003-04-17

申请人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Chun Yan ,  Ajay Kumar

发明人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Chun Yan ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01F41/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02071 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F4/00 ,  H01F41/308 ,  H01L21/32136 ,  H01L43/12

摘要： A method of etching a multi-layer magnetic stack (e.g., layers of cobalt-iron alloy (CoFe), ruthenium (Ru), platinum-manganese alloy (PtMn), and the like) of a magneto-resistive random access memory (MRAM) device is disclosed. Each layer of the multi-layer magnetic stack is etched using a process sequence including a plasma etch step followed by a plasma treatment step. The plasma treatment step uses a plasma comprising an inert gas to remove residues formed during the plasma etch step.

摘要翻译： 一种磁阻随机存取存储器（MRAM）的多层磁性堆叠（例如，钴 - 铁合金（CoFe），钌（Ru），铂 - 锰合金（PtMn）等的层） ）设备。 使用包括等离子体蚀刻步骤之后的等离子体处理步骤的处理顺序来蚀刻多层磁性堆叠的每一层。 等离子体处理步骤使用包含惰性气体的等离子体去除在等离子体蚀刻步骤期间形成的残留物。