利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

76 条记录 (耗时 0.028 秒)

    MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same
    6.
    发明授权
    MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same 有权
    具有激光图案化金属栅极的MOS晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US08461628B2

    公开(公告)日：2013-06-11

    申请号：US11203563

    申请日：2005-08-11

    申请人： Criswell Choi ,  Joerg Rockenberger ,  J. Devin MacKenzie ,  Christopher Gudeman

    发明人： Criswell Choi ,  Joerg Rockenberger ,  J. Devin MacKenzie ,  Christopher Gudeman

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/772

    CPC分类号： H01L21/32131 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

    摘要： A MOS transistor with a laser-patterned metal gate, and methods for its manufacture. The method generally includes forming a layer of metal-containing material on a dielectric film, wherein the dielectric film is on an electrically functional substrate comprising an inorganic semiconductor; laser patterning a metal gate from the metal-containing material layer; and forming source and drain terminals in the inorganic semiconductor in locations adjacent to the metal gate. The transistor generally includes an electrically functional substrate; a dielectric film on at least portions of the electrically functional substrate; a laser patterned metal gate on the dielectric film; and source and drain terminals comprising a doped inorganic semiconductor layer adjacent to the metal gate. The present invention advantageously provides MOS thin film transistors having reliable electrical characteristics quickly, efficiently, and/or at a low cost by eliminating one or more conventional photolithographic steps.

    摘要翻译： 具有激光图案化金属栅极的MOS晶体管及其制造方法。 该方法通常包括在电介质膜上形成含金属材料层，其中电介质膜位于包含无机半导体的电功能基底上; 激光从含金属材料层图案化金属栅极; 以及在与金属栅极相邻的位置的无机半导体中形成源极和漏极端子。 晶体管通常包括电功能基板; 在所述电功能基板的至少一部分上的介电膜; 电介质膜上的激光图案化金属栅极; 源极和漏极端子包括与金属栅极相邻的掺杂的无机半导体层。 本发明有利地通过消除一个或多个常规光刻步骤来快速，有效地和/或以低成本提供具有可靠电特性的MOS薄膜晶体管。

    Printed Dopant Layers
    7.
    发明申请
    Printed Dopant Layers 有权
    印刷掺杂层

    公开(公告)号：US20140094004A1

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：US13633816

    申请日：2012-10-02

    申请人： Arvind Kamath ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zürcher

    发明人： Arvind Kamath ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zürcher

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/1292 ,  H01L29/66757

    摘要： A method for making an electronic device, such as a MOS transistor, including the steps of forming a plurality of semiconductor islands on an electrically functional substrate, printing a first dielectric layer on or over a first subset of the semiconductor islands and optionally a second dielectric layer on or over a second subset of the semiconductor islands, and annealing. The first dielectric layer contains a first dopant, and the (optional) second dielectric layer contains a second dopant different from the first dopant. The dielectric layer(s), semiconductor islands and substrate are annealed sufficiently to diffuse the first dopant into the first subset of semiconductor islands and, when present, the second dopant into the second subset of semiconductor islands.

    摘要翻译： 一种用于制造诸如MOS晶体管的电子器件的方法，包括以下步骤：在电功能衬底上形成多个半导体岛，在第一半导体岛子集上或第二子体上印刷第一介电层， 在半导体岛的第二子集上或之上，以及退火。 第一介电层包含第一掺杂剂，并且（任选的）第二介电层包含不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂。 电介质层，半导体岛和衬底被充分退火以将第一掺杂剂扩散到半导体岛的第一子集中，并且当存在时将第二掺杂剂扩散到半导体岛的第二子集中。

    Printed Dopant Layers
    8.
    发明申请
    Printed Dopant Layers 有权
    印刷掺杂层

    公开(公告)号：US20100244133A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12797274

    申请日：2010-06-09

    申请人： Arvind KAMATH ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zürcher

    发明人： Arvind KAMATH ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zürcher

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3165 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

    摘要： A method for making an electronic device, such as a MOS transistor, including the steps of forming a plurality of semiconductor islands on an electrically functional substrate, printing a first dielectric layer on or over a first subset of the semiconductor islands and optionally a second dielectric layer on or over a second subset of the semiconductor islands, and annealing. The first dielectric layer contains a first dopant, and the (optional) second dielectric layer contains a second dopant different from the first dopant. The dielectric layer(s), semiconductor islands and substrate are annealed sufficiently to diffuse the first dopant into the first subset of semiconductor islands and, when present, the second dopant into the second subset of semiconductor islands.

    摘要翻译： 一种用于制造诸如MOS晶体管的电子器件的方法，包括以下步骤：在电功能衬底上形成多个半导体岛，在第一半导体岛子集上或第二子体上印刷第一电介质层， 在半导体岛的第二子集上或之上，以及退火。 第一介电层包含第一掺杂剂，并且（任选的）第二介电层包含不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂。 电介质层，半导体岛和衬底被充分退火以将第一掺杂剂扩散到半导体岛的第一子集中，并且当存在时将第二掺杂剂扩散到半导体岛的第二子集中。

    Printed dopant layers
    9.
    发明授权
    Printed dopant layers 有权
    印刷掺杂剂层

    公开(公告)号：US07701011B2

    公开(公告)日：2010-04-20

    申请号：US11888942

    申请日：2007-08-03

    申请人： Arvind Kamath ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zürcher

    发明人： Arvind Kamath ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zürcher

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78618

    摘要： An electronic device, including a substrate, a plurality of first semiconductor islands on the substrate, a plurality of second semiconductor islands on the substrate, a first dielectric film on the first subset of the semiconductor islands, second dielectric film on the second semiconductor islands, and a metal layer in electrical contact with the first and second semiconductor islands. The first semiconductor islands and the first dielectric film contain a first diffusible dopant, and the second semiconductor islands and the second dielectric layer film contain a second diffusible dopant different from the first diffusible dopant. The present electronic device can be manufactured using printing technologies, thereby enabling high-throughput, low-cost manufacturing of electrical circuits on a wide variety of substrates.

    摘要翻译： 一种电子器件，包括衬底，衬底上的多个第一半导体岛，衬底上的多个第二半导体岛，半导体岛的第一子集上的第一电介质膜，第二半导体岛上的第二电介质膜， 以及与第一和第二半导体岛电接触的金属层。 第一半导体岛和第一介电膜包含第一可扩散掺杂剂，第二半导体岛和第二介电层膜含有不同于第一可扩散掺杂剂的第二可扩散掺杂物。 本电子装置可以使用印刷技术制造，从而能够在各种基板上实现高通量，低成本的电路制造。

    Printed dopant layers
    10.
    发明授权
    Printed dopant layers 有权
    印刷掺杂剂层

    公开(公告)号：US08304780B2

    公开(公告)日：2012-11-06

    申请号：US12797274

    申请日：2010-06-09

    申请人： Arvind Kamath ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zürcher

    发明人： Arvind Kamath ,  James Montague Cleeves ,  Joerg Rockenberger ,  Patrick Smith ,  Fabio Zürcher

    IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/76 ,  H01L31/036 ,  H01L31/112

    CPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3165 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

    摘要： A method for making an electronic device, such as a MOS transistor, including the steps of forming a plurality of semiconductor islands on an electrically functional substrate, printing a first dielectric layer on or over a first subset of the semiconductor islands and optionally a second dielectric layer on or over a second subset of the semiconductor islands, and annealing. The first dielectric layer contains a first dopant, and the (optional) second dielectric layer contains a second dopant different from the first dopant. The dielectric layer(s), semiconductor islands and substrate are annealed sufficiently to diffuse the first dopant into the first subset of semiconductor islands and, when present, the second dopant into the second subset of semiconductor islands.

    摘要翻译： 一种用于制造诸如MOS晶体管的电子器件的方法，包括以下步骤：在电功能衬底上形成多个半导体岛，在第一半导体岛子集上或第二子体上印刷第一介电层， 在半导体岛的第二子集上或之上，以及退火。 第一介电层包含第一掺杂剂，并且（任选的）第二介电层包含不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂。 电介质层，半导体岛和衬底被充分退火以将第一掺杂剂扩散到半导体岛的第一子集中，并且当存在时将第二掺杂剂扩散到半导体岛的第二子集中。