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    Reactive metal implated oxide based memory
    2.
    发明授权
    Reactive metal implated oxide based memory 有权
    反应性金属埋入氧化物记忆

    公开(公告)号：US08313996B2

    公开(公告)日：2012-11-20

    申请号：US12888219

    申请日：2010-09-22

    申请人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Gurtej Sandhu

    发明人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Gurtej Sandhu

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/145 ,  H01L45/165

    摘要： Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.

    摘要翻译： 与基于氧化物的存储器相关联的方法，装置和系统可以包括形成基于氧化物的存储器单元的方法。 形成基于氧化物的存储单元可以包括形成第一导电元件，在第一导电元件上形成氧化物，将活性金属注入到氧化物中，以及在氧化物上形成第二导电元件。

    Memory cells, methods of forming dielectric materials, and methods of forming memory cells
    6.
    发明授权
    Memory cells, methods of forming dielectric materials, and methods of forming memory cells 有权
    记忆单元，介电材料的形成方法以及形成记忆单元的方法

    公开(公告)号：US07968406B2

    公开(公告)日：2011-06-28

    申请号：US12351099

    申请日：2009-01-09

    申请人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Noel Rocklein ,  Kyu S. Min

    发明人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Noel Rocklein ,  Kyu S. Min

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

    摘要： Some embodiments include memory cells. The memory cells may include a tunnel dielectric material, a charge-retaining region over the tunnel dielectric material, crystalline ultra-high k dielectric material over the charge-retaining region, and a control gate material over the crystalline ultra-high k dielectric material. Additionally, the memory cells may include an amorphous region between the charge-retaining region and the crystalline ultra-high k dielectric material, and/or may include an amorphous region between the crystalline ultra-high k dielectric material and the control gate material. Some embodiments include methods of forming memory cells which contain an amorphous region between a charge-retaining region and a crystalline ultra-high k dielectric material, and/or which contain an amorphous region between a crystalline ultra-high k dielectric material and a control gate material.

    摘要翻译： 一些实施例包括存储器单元。 存储单元可以包括隧道电介质材料，隧道电介质材料上方的电荷保持区域，电荷保持区域上的结晶超高k电介质材料，以及结晶超高k电介质材料上的控制栅极材料。 此外，存储器单元可以包括电荷保持区域和结晶超高k电介质材料之间的非晶区域，和/或可以包括晶体超高k电介质材料和控制栅极材料之间的非晶区域。 一些实施例包括形成在电荷保持区域和结晶超高k电介质材料之间形成非晶区域的存储单元的方法，和/或在晶体超高k电介质材料和控制栅极之间包含非晶区域的方法 材料。

    Memory structures and arrays
    8.
    发明授权
    Memory structures and arrays 有权
    内存结构和数组

    公开(公告)号：US09136306B2

    公开(公告)日：2015-09-15

    申请号：US13340375

    申请日：2011-12-29

    申请人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Mark S. Korber

    发明人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Mark S. Korber

    IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L23/528 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L29/456 ,  H01L29/861 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： Some embodiments include memory structures having a diode over a memory cell. The memory cell can include programmable material between a pair of electrodes, with the programmable material containing a multivalent metal oxide directly against a high-k dielectric. The diode can include a first diode electrode directly over one of the memory cell electrodes and electrically coupled with the memory cell electrode, and can include a second diode electrode laterally outward of the first diode electrode and not directly over the memory cell. Some embodiments include memory arrays comprising the memory structures, and some embodiments include methods of making the memory structures.

    摘要翻译： 一些实施例包括在存储器单元上具有二极管的存储器结构。 存储单元可以包括一对电极之间的可编程材料，可编程材料直接与高k电介质一起包含多价金属氧化物。 二极管可以包括直接在一个存储单元电极上并与存储单元电极电耦合的第一二极管电极，并且可以包括在第一二极管电极的横向外部并且不直接在存储单元上方的第二二极管电极。 一些实施例包括包括存储器结构的存储器阵列，并且一些实施例包括制造存储器结构的方法。

    Resistive memory cell
    10.
    发明授权
    Resistive memory cell 有权
    电阻记忆单元

    公开(公告)号：US08847196B2

    公开(公告)日：2014-09-30

    申请号：US13109052

    申请日：2011-05-17

    申请人： Matthew N. Rocklein ,  D. V. Nirmal Ramaswamy

    发明人： Matthew N. Rocklein ,  D. V. Nirmal Ramaswamy

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

    摘要： Semiconductor memory devices, resistive memory devices, memory cell structures, and methods of forming a resistive memory cell are provided. One example method of a resistive memory cell can include a number of dielectric regions formed between two electrodes, and a barrier dielectric region formed between each of the dielectric regions. The barrier dielectric region serves to reduce an oxygen diffusion rate associated with the dielectric regions.

    摘要翻译： 提供了半导体存储器件，电阻式存储器件，存储单元结构以及形成电阻存储单元的方法。 电阻式存储单元的一个示例性方法可以包括形成在两个电极之间的多个电介质区域和形成在每个电介质区域之间的势垒电介质区域。 势垒电介质区域用于降低与电介质区域相关联的氧扩散速率。