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    Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
    5.
    发明授权
    Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode 有权
    具有硅电极的单极微器件转移头

    公开(公告)号：US08415768B1

    公开(公告)日：2013-04-09

    申请号：US13543684

    申请日：2012-07-06

    申请人： Dariusz Golda ,  Andreas Bibl

    发明人： Dariusz Golda ,  Andreas Bibl

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： B32B38/18 ,  B81C99/002 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5384 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/17 ,  H01L2924/00

    摘要： A compliant monopolar micro device transfer head array and method of forming a compliant monopolar micro device transfer array from an SOI substrate are described. In an embodiment, the micro device transfer head array including a base substrate and a patterned silicon layer over the base substrate. The patterned silicon layer may include a silicon interconnect and an array of silicon electrodes electrically connected with the silicon interconnect. Each silicon electrode includes a mesa structure protruding above the silicon interconnect, and each silicon electrode is deflectable into a cavity between the base substrate and the silicon electrode. A dielectric layer covers a top surface of each mesa structure.

    摘要翻译： 描述了一种兼容的单极微器件传输头阵列和从SOI衬底形成兼容单极微器件传输阵列的方法。 在一个实施例中，微器件转移头阵列包括基底衬底和在基底衬底上的图案化硅层。 图案化硅层可以包括硅互连和与硅互连电连接的硅电极阵列。 每个硅电极包括在硅互连上方突出的台面结构，并且每个硅电极可偏转到基底基板和硅电极之间的空腔中。 介电层覆盖每个台面结构的顶面。

    Method of forming a compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
    6.
    发明授权
    Method of forming a compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode 有权
    用硅电极形成柔性单极微器件转移头的方法

    公开(公告)号：US08383506B1

    公开(公告)日：2013-02-26

    申请号：US13543690

    申请日：2012-07-06

    申请人： Dariusz Golda ,  Andreas Bibl

    发明人： Dariusz Golda ,  Andreas Bibl

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： B81C99/002 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/7598

    摘要： A compliant monopolar micro device transfer head array and method of forming a compliant monopolar micro device transfer array from an SOI substrate are described. In an embodiment, the micro device transfer head array including a base substrate and a patterned silicon layer over the base substrate. The patterned silicon layer may include a silicon interconnect and an array of silicon electrodes electrically connected with the silicon interconnect. Each silicon electrode includes a mesa structure protruding above the silicon interconnect, and each silicon electrode is deflectable into a cavity between the base substrate and the silicon electrode. A dielectric layer covers a top surface of each mesa structure.

    摘要翻译： 描述了一种兼容的单极微器件传输头阵列和从SOI衬底形成兼容单极微器件传输阵列的方法。 在一个实施例中，微器件转移头阵列包括基底衬底和在基底衬底上的图案化硅层。 图案化硅层可以包括硅互连和与硅互连电连接的硅电极阵列。 每个硅电极包括在硅互连上方突出的台面结构，并且每个硅电极可偏转到基底基板和硅电极之间的空腔中。 介电层覆盖每个台面结构的顶面。

    METHOD OF FORMING A MICRO DEVICE TRANSFER HEAD WITH SILICON ELECTRODE
    8.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A MICRO DEVICE TRANSFER HEAD WITH SILICON ELECTRODE 有权
    用硅电极形成微器件传输头的方法

    公开(公告)号：US20130316529A1

    公开(公告)日：2013-11-28

    申请号：US13481615

    申请日：2012-05-25

    申请人： Dariusz Golda ,  Andreas Bibl

    发明人： Dariusz Golda ,  Andreas Bibl

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0284 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K2201/09036

    摘要： A micro device transfer head array and method of forming a micro device transfer array from an SOI substrate are described. In an embodiment, the micro device transfer head array includes a base substrate and a patterned silicon layer over the base substrate. The patterned silicon layer may include a silicon interconnect and an array of silicon electrodes electrically connected with the silicon interconnect. Each silicon electrode includes a mesa structure protruding above the silicon interconnect. A dielectric layer covers a top surface of each mesa structure.

    摘要翻译： 描述了从SOI衬底形成微器件传输阵列的微器件转移头阵列和方法。 在一个实施例中，微器件传送头阵列包括基底衬底和基底衬底上的图案化硅层。 图案化硅层可以包括硅互连和与硅互连电连接的硅电极阵列。 每个硅电极包括突出在硅互连上方的台面结构。 介电层覆盖每个台面结构的顶面。

    Micro device transfer head with silicon electrode
    9.
    发明授权
    Micro device transfer head with silicon electrode 有权
    带硅电极的微器件转印头

    公开(公告)号：US08415771B1

    公开(公告)日：2013-04-09

    申请号：US13481592

    申请日：2012-05-25

    申请人： Dariusz Golda ,  Andreas Bibl

    发明人： Dariusz Golda ,  Andreas Bibl

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/683

    CPC分类号： B81C99/0025 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/7598

    摘要： A micro device transfer head array and method of forming a micro device transfer array from an SOI substrate are described. In an embodiment, the micro device transfer head array includes a base substrate and a patterned silicon layer over the base substrate. The patterned silicon layer may include a silicon interconnect and an array of silicon electrodes electrically connected with the silicon interconnect. Each silicon electrode includes a mesa structure protruding above the silicon interconnect. A dielectric layer covers a top surface of each mesa structure.

    摘要翻译： 描述了从SOI衬底形成微器件传输阵列的微器件转移头阵列和方法。 在一个实施例中，微器件传送头阵列包括基底衬底和基底衬底上的图案化硅层。 图案化硅层可以包括硅互连和与硅互连电连接的硅电极阵列。 每个硅电极包括突出在硅互连上方的台面结构。 介电层覆盖每个台面结构的顶面。