公开(公告)号：US20080179380A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11567977

申请日：2006-12-07

申请人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Marianne Ortmann ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder

发明人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Marianne Ortmann ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder

IPC分类号： A47J36/02

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00014

摘要： A radiation-emitting semiconductor component has an improved radiation efficiency. The semiconductor component has a multilayer structure with an active layer for generating radiation within the multilayer structure and also a window having a first and a second main surface. The multi-layer structure adjoins the first main surface of the window. At least one recess, such as a trench or a pit, is formed in the window from the second main surface for the purpose of increasing the radiation efficiency. The recess preferably has a trapezoidal cross section tapering toward the first main surface and can be produced for example by sawing into the window.

摘要翻译： 辐射发射半导体组件具有改进的辐射效率。 半导体部件具有多层结构，其具有用于在多层结构内产生辐射的有源层，以及具有第一和第二主表面的窗口。 多层结构邻接窗口的第一主表面。 为了提高辐射效率，至少一个凹槽（例如沟槽或凹坑）从第二主表面形成在窗口中。 凹部优选地具有朝向第一主表面渐缩的梯形横截面，并且可以例如通过锯入窗口来制造。

公开(公告)号：US20060289854A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11463633

申请日：2006-08-10

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a）具有第一 提供具有与第一电子能量相比较高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的电子能量和阻挡层（6b），然后在生长方向上通过辐射活性量子阱 层（6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US20060097271A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US10523551

申请日：2003-06-20

申请人： Dominik Eisert ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

发明人： Dominik Eisert ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/32

摘要： A radiation-emitting thin-film semiconductor component with a multilayer structure (12) based on GaN, which contains an active, radiation-generating layer (14) and has a first main area (16) and a second main area (18)—remote from the first main area—for coupling out the radiation generated in the active, radiation-generating layer. Furthermore, the first main area (16) of the multilayer structure (12) is coupled to a reflective layer or interface, and the region (22) of the multilayer structure that adjoins the second main area (18) of the multilayer structure is patterned one- or two-dimensionally.

摘要翻译： 一种具有基于GaN的多层结构（12）的辐射发射薄膜半导体部件，其包含有源辐射产生层（14）并具有第一主区域（16）和第二主区域（18） 远离第一主区域 - 用于耦合在有源辐射产生层中产生的辐射。 此外，多层结构（12）的第一主区域（16）耦合到反射层或界面，并且邻接多层结构的第二主区域（18）的多层结构的区域（22）被图案化 一维或二维。

公开(公告)号：US06849881B1

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US09913394

申请日：2000-11-20

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jürgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Völkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jürgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Völkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L32/26

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, is set out in which well layers and barrier layers, comprising various types of semiconductor layers, are alternately layered. The device well layers comprise a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy. The barrier layers comprise a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison to the first electron energy. The well and barrier layers are in the direction of growth, by a radiation-active quatum well layer which with the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b), arranged in front, form a supperlattice.

摘要翻译： 提出了具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和势垒层交替层叠。 器件阱层包括基于具有第一电子能的氮化物半导体材料的第一组合物。 阻挡层包括氮化物半导体材料的第二组合物，其电子能量与第一电子能量相比较高。 井和阻挡层沿生长方向通过辐射活性层的井层，其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US20050116216A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US11014677

申请日：2004-12-16

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a）具有第一 提供具有与第一电子能量相比较高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的电子能量和阻挡层（6b），然后在生长方向上通过辐射活性量子阱 层（6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US07592636B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US10529625

申请日：2003-09-23

申请人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

发明人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting semiconductor component having a radiation-transmissive substrate (1), on the underside of which a radiation-generating layer (2) is arranged, in which the substrate (1) has inclined side areas (3), in which the refractive index of the substrate (1) is greater than the refractive index of the radiation-generating layer, in which the difference in refractive index results in an unilluminated substrate region (4), into which no photons are coupled directly from the radiation-generating layer, and in which the substrate (1) has essentially perpendicular side areas (5) in the unilluminated region. The component has the advantage that it can be produced with a better area yield from a wafer.

摘要翻译： 一种具有辐射透射性衬底（1）的辐射发射半导体部件，其底部布置有辐射产生层（2），其中衬底（1）具有倾斜的侧面区域（3），其中 衬底（1）的折射率大于辐射产生层的折射率，其中折射率差导致未发射的衬底区域（4），其中没有光子直接从辐射产生层 层，并且其中衬底（1）在未发光区域中具有基本上垂直的侧面区域（5）。 该组件的优点是可以从晶片获得更好的面积产率。

公开(公告)号：US07106090B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US11014677

申请日：2004-12-16

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a）具有第一 提供具有与第一电子能量相比较高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的电子能量和阻挡层（6b），然后在生长方向上通过辐射活性量子阱 层（6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US20060011925A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11065769

申请日：2005-02-25

申请人： Stefan Bader ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Manfred Mundbrod-Vangerow ,  Dominik Eisert

发明人： Stefan Bader ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Manfred Mundbrod-Vangerow ,  Dominik Eisert

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention describes a radiation-emitting semiconductor component based on GaN, whose semiconductor body is made up of a stack of different GaN semiconductor layers (1). The semiconductor body has a first principal surface (3) and a second principal surface (4), with the radiation produced being emitted through the first principal surface (3) and with a reflector (6) being produced on the second principal surface (4). The invention also describes a production method for a semiconductor component pursuant to the invention. An interlayer (9) is first applied to a substrate (8), and a plurality of GaN layers (1) that constitute the semiconductor body of the component are then applied to this. The substrate (8) and the interlayer (9) are then detached and a reflector (6) is produced on a principal surface of the semiconductor body.

摘要翻译： 本发明描述了一种基于GaN的辐射发射半导体元件，其半导体主体由不同GaN半导体层（1）的堆叠构成。 半导体本体具有第一主表面（3）和第二主表面（4），所产生的辐射通过第一主表面（3）发射，反射器（6）在第二主表面（4）上产生 ）。 本发明还描述了根据本发明的半导体部件的制造方法。 首先将中间层（9）施加到基板（8），然后施加构成部件的半导体主体的多个GaN层（1）。 然后分离基板（8）和中间层（9），并且在半导体本体的主表面上产生反射器（6）。

公开(公告)号：US20050282373A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US11067349

申请日：2005-02-25

申请人： Stefan Bader ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Manfred Mundbrod-Vangerow ,  Dominik Eisert

发明人： Stefan Bader ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Manfred Mundbrod-Vangerow ,  Dominik Eisert

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： This invention describes a radiation-emitting semiconductor component based on GaN, whose semiconductor body is made up of a stack of different GaN semiconductor layers (1). The semiconductor body has a first principal surface (3) and a second principal surface (4), with the radiation produced being emitted through the first principal surface (3) and with a reflector (6) being produced on the second principal surface (4). The invention also describes a production method for a semiconductor component pursuant to the invention. An interlayer (9) is first applied to a substrate (8), and a plurality of GaN layers (1) that constitute the semiconductor body of the component are then applied to this. The substrate (8) and the interlayer (9) are then detached and a reflector (6) is produced on a principal surface of the semiconductor body.

摘要翻译： 本发明描述了一种基于GaN的辐射发射半导体元件，其半导体主体由不同GaN半导体层（1）的堆叠构成。 半导体本体具有第一主表面（3）和第二主表面（4），所产生的辐射通过第一主表面（3）发射，反射器（6）在第二主表面（4）上产生 ）。 本发明还描述了根据本发明的半导体部件的制造方法。 首先将中间层（9）施加到基板（8），然后施加构成部件的半导体主体的多个GaN层（1）。 然后分离基板（8）和中间层（9），并且在半导体本体的主表面上产生反射器（6）。

公开(公告)号：US07556974B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11463633

申请日：2006-08-10

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimar

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimar

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于具有第一电子的氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a） 提供具有与第一电子能量相比更高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的能量和势垒层（6b），然后通过辐射活性量子阱层（在生长方向上） 6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。