公开(公告)号：US08767450B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US12662949

申请日：2010-05-13

申请人： Doo-gon Kim ,  Hui-kwon Seo ,  Cheol-kyu Kim ,  Sei-jin Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Han-gu Sohn ,  Tae-yon Lee ,  Dae-won Ha

发明人： Doo-gon Kim ,  Hui-kwon Seo ,  Cheol-kyu Kim ,  Sei-jin Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Han-gu Sohn ,  Tae-yon Lee ,  Dae-won Ha

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C16/3431 ,  G11C11/005 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0088 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： A memory system includes a memory cell array having a plurality of memory sectors. Each memory sector includes a plurality of memory cells. The memory system further includes a controller configured to write data to the memory cell array in response to a writing signal. The controller is further configured to refresh a memory sector among the plurality of memory sectors each time a writing signal is provided. When N (N is a positive integer) memory cells are programmed, a programming current is less than or equal to about 0.75 mA*N.

摘要翻译： 存储器系统包括具有多个存储器扇区的存储单元阵列。 每个存储器扇区包括多个存储单元。 存储器系统还包括配置成响应于写入信号将数据写入存储单元阵列的控制器。 控制器还被配置为在每次提供写入信号时刷新多个存储器扇区中的存储器扇区。 当N（N是正整数）存储单元被编程时，编程电流小于或等于大约0.75mA * N。

公开(公告)号：US20090050869A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12073499

申请日：2008-03-06

申请人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Tae-yon Lee

发明人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

摘要： Provided is a phase-change random access memory (PRAM). The PRAM includes a bottom electrode, a bottom electrode contact layer, which is formed on one area of the bottom electrode, and an insulating layer, which is formed on a side of the bottom electrode contact layer, a phase-change layer, which is formed on the bottom electrode contact layer and the insulating layer and is formed of a phase-change material having a crystallization temperature between 100° C. and 150° C., and a top electrode, which is formed on the phase-change layer.

摘要翻译： 提供了相变随机存取存储器（PRAM）。 PRAM包括底电极，底电极接触层，其形成在底电极的一个区域上，绝缘层形成在底电极接触层的一侧，相变层 形成在底部电极接触层和绝缘层上，并且由结晶温度在100℃至150℃之间的相变材料和形成在相变层上的顶部电极形成。

公开(公告)号：US20090173927A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12232961

申请日：2008-09-26

申请人： Cheol-kyu Kim ,  Min-ho Kwon ,  Yoon-ho Khang ,  Youn-seon Kang ,  Tae-yon Lee ,  Sung Heo ,  Ki-bum Kim ,  Sung-wook Nam ,  Dong-bok Lee

发明人： Cheol-kyu Kim ,  Min-ho Kwon ,  Yoon-ho Khang ,  Youn-seon Kang ,  Tae-yon Lee ,  Sung Heo ,  Ki-bum Kim ,  Sung-wook Nam ,  Dong-bok Lee

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： Provided are a storage node, phase change memory device and methods of manufacturing and operating the same. The storage node may include an electrode, a phase change layer, and an anti-diffusion layer between the electrode and the phase change layer and including a silicide compound. The phase change memory device may include the storage node and a switching device connected to the storage node.

摘要翻译： 提供了一种存储节点，相变存储器件及其制造和操作方法。 存储节点可以包括在电极和相变层之间的电极，相变层和抗扩散层，并且包括硅化物化合物。 相变存储器件可以包括存储节点和连接到存储节点的交换设备。

公开(公告)号：US08017929B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12285449

申请日：2008-10-06

申请人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： A phase change material layer includes antimony (Sb) and at least one of indium (In) and gallium (Ga). A phase change memory device includes a storage node including a phase change material layer and a switching device connected to the storage node. The phase change material layer includes Sb and at least one of In and Ga.

摘要翻译： 相变材料层包括锑（Sb）和铟（In）和镓（Ga）中的至少一种。 相变存储器件包括：存储节点，包括相变材料层和连接到存储节点的开关器件。 相变材料层包括Sb和In和Ga中的至少一种。

公开(公告)号：US08003970B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12073499

申请日：2008-03-06

申请人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Tae-yon Lee

发明人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

摘要： Provided is a phase-change random access memory (PRAM). The PRAM includes a bottom electrode, a bottom electrode contact layer, which is formed on one area of the bottom electrode, and an insulating layer, which is formed on a side of the bottom electrode contact layer, a phase-change layer, which is formed on the bottom electrode contact layer and the insulating layer and is formed of a phase-change material having a crystallization temperature between 100° C. and 150° C., and a top electrode, which is formed on the phase-change layer.

摘要翻译： 提供了相变随机存取存储器（PRAM）。 PRAM包括底电极，底电极接触层，其形成在底电极的一个区域上，绝缘层形成在底电极接触层的一侧，相变层 形成在底部电极接触层和绝缘层上，并且由结晶温度在100℃至150℃之间的相变材料和形成在相变层上的顶部电极形成。

公开(公告)号：US20090179185A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12285449

申请日：2008-10-06

申请人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Daniel Wamwangi ,  Matthias Wuttig ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Cheol-kyu Kim ,  Dong-seok Suh ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L47/00 ,  C09K5/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： A phase change material layer includes antimony (Sb) and at least one of indium (In) and gallium (Ga). A phase change memory device includes a storage node including a phase change material layer and a switching device connected to the storage node. The phase change material layer includes Sb and at least one of In and Ga.

摘要翻译： 相变材料层包括锑（Sb）和铟（In）和镓（Ga）中的至少一种。 相变存储器件包括：存储节点，包括相变材料层和连接到存储节点的开关器件。 相变材料层包括Sb和In和Ga中的至少一种。

公开(公告)号：US07807989B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US12213234

申请日：2008-06-17

申请人： Tae-yon Lee ,  Ki-joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-kyu Kim

发明人： Tae-yon Lee ,  Ki-joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-kyu Kim

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/148

摘要： Provided is a phase-change memory using a single-element semimetallic thin film. The device includes a storage node having a phase-change material layer and a switching element connected to the storage node, wherein the storage node includes a single-element semimetallic thin film which is formed between an upper electrode and a lower electrode. Thus, the write speed of the phase-change memory can be increased compared with the case of a Ge—Sb—Te (GST) based material.

摘要翻译： 提供了使用单元件半金属薄膜的相变存储器。 该装置包括具有相变材料层和连接到存储节点的开关元件的存储节点，其中存储节点包括形成在上电极和下电极之间的单元件半金属薄膜。 因此，与基于Ge-Sb-Te（GST）的材料的情况相比，可以提高相变存储器的写入速度。

公开(公告)号：US07994492B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12232661

申请日：2008-09-22

申请人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Disclosed may be a phase change material alloy, a phase change memory device including the same, and methods of manufacturing and operating the phase change memory device. The phase change material alloy may include Si and Sb. The alloy may be a Si—O—Sb alloy further including O. The Si—O—Sb alloy may be SixOySbz, wherein, when x/(x+z) may be x1, 0.05≦x1≦0.30, 0.00≦y≦0.50, and x+y+z may be 1. The Si—O—Sb alloy may further comprise an element other than Si, O, and Sb.

摘要翻译： 公开了相变材料合金，包括该相变材料合金的相变存储器，以及制造和操作相变存储器件的方法。 相变材料合金可以包括Si和Sb。 该合金可以是进一步包括O的Si-O-Sb合金.Si-O-Sb合金可以是SixOySbz，其中当x /（x + z）可以是x1,0.05＆nlE; x1＆nlE; 0.30,0.00＆ y和nl; 0.50和x + y + z可以为1.Si-O-Sb合金还可以包含除Si，O和Sb以外的元素。

公开(公告)号：US20090283738A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12213234

申请日：2008-06-17

申请人： Tae-yon Lee ,  Ki-Joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-Kyu Kim

发明人： Tae-yon Lee ,  Ki-Joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-Kyu Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/148

摘要： Provided is a phase-change memory using a single-element semimetallic thin film. The device includes a storage node having a phase-change material layer and a switching element connected to the storage node, wherein the storage node includes a single-element semimetallic thin film which is formed between an upper electrode and a lower electrode. Thus, the write speed of the phase-change memory can be increased compared with the case of a Ge—Sb—Te (GST) based material.

摘要翻译： 提供了使用单元件半金属薄膜的相变存储器。 该装置包括具有相变材料层和连接到存储节点的开关元件的存储节点，其中存储节点包括形成在上电极和下电极之间的单元件半金属薄膜。 因此，与基于Ge-Sb-Te（GST）的材料的情况相比，可以提高相变存储器的写入速度。

公开(公告)号：US20090196089A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12232661

申请日：2008-09-22

申请人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

发明人： Youn-seon Kang ,  Ki-joon Kim ,  Cheol-kyu Kim ,  Tae-yon Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  C01B33/113 ,  C01B21/068 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Disclosed may be a phase change material alloy, a phase change memory device including the same, and methods of manufacturing and operating the phase change memory device. The phase change material alloy may include Si and Sb. The alloy may be a Si—O—Sb alloy further including O. The Si—O—Sb alloy may be SixOySbz, wherein, when x/(x+z) may be x1, 0.05≦x1≦0.30, 0.00≦y≦0.50, and x+y+z may be 1. The Si—O—Sb alloy may further comprise an element other than Si, O, and Sb.

摘要翻译： 公开了相变材料合金，包括该相变材料合金的相变存储器，以及制造和操作相变存储器件的方法。 相变材料合金可以包括Si和Sb。 该合金可以是还包含O的Si-O-Sb合金.Si-O-Sb合金可以是SixOySbz，其中当x /（x + z）可以是x1时，0.05 <= x1 <= 0.30,0.00 < = y <= 0.50，x + y + z可以为1.Si-O-Sb合金还可以包含除Si，O和Sb以外的元素。