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    III-N ON SILICON USING NANO STRUCTURED INTERFACE LAYER
    1.
    发明申请
    III-N ON SILICON USING NANO STRUCTURED INTERFACE LAYER 审中-公开
    III-N在使用纳米结构界面层的硅上

    公开(公告)号：US20130214282A1

    公开(公告)日：2013-08-22

    申请号：US13399334

    申请日：2012-02-17

    申请人： Erdem Arkun ,  Radek Roucka ,  Andrew Clark ,  Robin Smith ,  Michael Lebby

    发明人： Erdem Arkun ,  Radek Roucka ,  Andrew Clark ,  Robin Smith ,  Michael Lebby

    IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003

    摘要： A method of fabricating a layer of single crystal semiconductor material on a silicon substrate including providing a crystalline silicon substrate and epitaxially depositing a nano structured interface layer on the substrate. The nano structured interface layer has a thickness up to a critical thickness. The method further includes epitaxially depositing a layer of single crystal semiconductor material in overlying relationship to the nano structured interface layer. Preferably, the method includes the nano structured interface layer being a layer of coherently strained nano dots of selected material. The critical thickness of the nano dots includes a thickness up to a thickness at which the nano dots become incoherent.

    摘要翻译： 一种在硅衬底上制造单晶半导体材料层的方法，包括提供晶体硅衬底并在衬底上外延沉积纳米结构化界面层。 纳米结构界面层具有至多临界厚度的厚度。 该方法还包括以与纳米结构界面层重叠的关系外延沉积单晶半导体材料层。 优选地，该方法包括纳米结构界面层，其是选定材料的相干应变纳米点层。 纳米点的临界厚度包括达到纳米点变得不相干的厚度的厚度。

    STRAIN COMPENSATED REO BUFFER FOR III-N ON SILICON
    3.
    发明申请
    STRAIN COMPENSATED REO BUFFER FOR III-N ON SILICON 审中-公开
    用于III-N在硅中的应变补偿选择缓冲器

    公开(公告)号：US20130099357A1

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：US13278952

    申请日：2011-10-21

    申请人： Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Radek Roucka ,  Andrew Clark ,  Michael Lebby

    发明人： Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Radek Roucka ,  Andrew Clark ,  Michael Lebby

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

    CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16

    摘要： A method of fabricating a rare earth oxide buffered III-N on silicon wafer including providing a crystalline silicon substrate, depositing a rare earth oxide structure on the silicon substrate including one or more layers of single crystal rare earth oxide, and depositing a layer of single crystal III-N material on the rare earth oxide structure so as to form an interface between the rare earth oxide structure and the layer of single crystal III-N material. The layer of single crystal III-N material produces a tensile stress at the interface and the rare earth oxide structure has a compressive stress at the interface dependent upon a thickness of the rare earth oxide structure. The rare earth oxide structure is grown with a thickness sufficient to provide a compressive stress offsetting at least a portion of the tensile stress at the interface to substantially reduce bowing in the wafer.

    摘要翻译： 一种在硅晶片上制造稀土氧化物缓冲III-N的方法，包括提供晶体硅衬底，在包括一层或多层单晶稀土氧化物的硅衬底上沉积稀土氧化物结构，以及沉积单层 在稀土氧化物结构上形成晶体III-N材料，以形成稀土氧化物结构和单晶III-N材料层之间的界面。 单晶III-N材料层在界面处产生拉伸应力，并且稀土氧化物结构在界面处具有取决于稀土氧化物结构的厚度的压应力。 生长稀土氧化物结构的厚度足以提供压缩应力，以抵消界面处的拉伸应力的至少一部分，从而基本上减少晶片中的弯曲。

    Strain compensated REO buffer for III-N on silicon
    5.
    发明授权
    Strain compensated REO buffer for III-N on silicon 有权
    用于硅上III-N的应变补偿REO缓冲器

    公开(公告)号：US09443939B2

    公开(公告)日：2016-09-13

    申请号：US14924047

    申请日：2015-10-27

    申请人： Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Radek Roucka ,  Andrew Clark ,  Michael Lebby

    发明人： Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Radek Roucka ,  Andrew Clark ,  Michael Lebby

    IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16

    摘要： A method of fabricating a rare earth oxide buffered III-N on silicon wafer including providing a crystalline silicon substrate, depositing a rare earth oxide structure on the silicon substrate including one or more layers of single crystal rare earth oxide, and depositing a layer of single crystal III-N material on the rare earth oxide structure so as to form an interface between the rare earth oxide structure and the layer of single crystal III-N material. The layer of single crystal III-N material produces a tensile stress at the interface and the rare earth oxide structure has a compressive stress at the interface dependent upon a thickness of the rare earth oxide structure. The rare earth oxide structure is grown with a thickness sufficient to provide a compressive stress offsetting at least a portion of the tensile stress at the interface to substantially reduce bowing in the wafer.

    摘要翻译： 一种在硅晶片上制造稀土氧化物缓冲III-N的方法，包括提供晶体硅衬底，在包括一层或多层单晶稀土氧化物的硅衬底上沉积稀土氧化物结构，以及沉积单层 在稀土氧化物结构上形成晶体III-N材料，以形成稀土氧化物结构和单晶III-N材料层之间的界面。 单晶III-N材料层在界面处产生拉伸应力，并且稀土氧化物结构在界面处具有取决于稀土氧化物结构的厚度的压应力。 生长稀土氧化物结构的厚度足以提供压缩应力，以抵消界面处的拉伸应力的至少一部分，从而基本上减少晶片中的弯曲。