公开(公告)号：US20170240471A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：US15310155

申请日：2016-06-29

申请人： Ferro Corporation

发明人： Walter J. Symes, Jr.

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  H03H3/00 ,  C03C8/20 ,  C03C10/00 ,  C03C4/14 ,  H03H1/00 ,  C03B19/06 ,  C04B35/63

CPC分类号： C04B35/01 ,  B05D5/12 ,  B32B18/00 ,  C03B19/06 ,  C03C4/14 ,  C03C8/20 ,  C03C10/00 ,  C03C10/0054 ,  C03C2204/00 ,  C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3265 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/68 ,  H01B1/22 ,  H03H1/0007 ,  H03H3/00 ,  H05K1/0306

摘要： Electronic devices are produced from dielectric compositions comprising a mixture of precursor materials that, upon firing, forms a dielectric material comprising a barium-strontium-titanium-tungsten-silicon oxide.

公开(公告)号：US20160240313A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：US15024166

申请日：2014-09-08

申请人： FERRO CORPORATION

发明人： Walter J. Symes, Jr.

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/01 ,  H01G4/008 ,  C04B35/491 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1245 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/01 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30

摘要： Multilayer ceramic chip capacitors which satisfy COG requirements and which are compatible with reducing atmosphere sintering conditions so that non-noble metals such as nickel and nickel alloys may be used for internal and external electrodes are disclosed. The capacitors exhibit desirable dielectric properties (high capacitance, low dissipation factor, high insulation resistance), excellent performance on highly accelerated life testing, and very good resistance to dielectric breakdown. The dielectric layers comprise a strontium zirconate matrix doped with other metal oxides such as TiO2, MgO, B2O3, CaO, MnO, Nd2O3 and Nb2O5 in various combinations.

摘要翻译： 公开了满足COG要求并且与还原气氛烧结条件相兼容的多层陶瓷片式电容器，以便可以将非贵金属如镍和镍合金用于内部和外部电极。 电容器表现出所需的介电特性（高电容，低损耗因数，高绝缘电阻），在高速加速寿命测试中具有出色的性能，以及非常好的耐电介质击穿性能。 电介质层包括以各种组合掺杂有诸如TiO 2，MgO，B 2 O 3，CaO，MnO，Nd 2 O 3和Nb 2 O 5的其它金属氧化物的锆酸锶基体。

公开(公告)号：US10065894B2

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：US15310155

申请日：2016-06-29

申请人： Ferro Corporation

发明人： Walter J. Symes, Jr.

IPC分类号： H01B1/22 ,  B05D5/12 ,  C04B35/00 ,  C04B35/01 ,  C03B19/06 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/63 ,  C03C8/20 ,  C03C10/00 ,  C03C4/14 ,  H03H1/00 ,  H03H3/00

摘要： Electronic devices are produced from dielectric compositions comprising a mixture of precursor materials that, upon firing, forms a dielectric material comprising a barium-strontium-titanium-tungsten-silicon oxide.

公开(公告)号：US09704650B2

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：US15024166

申请日：2014-09-08

申请人： Ferro Corporation

发明人： Walter J. Symes, Jr.

IPC分类号： C04B35/48 ,  H01G4/12 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  B32B18/00 ,  C04B35/626 ,  H01G4/30 ,  C04B35/491 ,  H01G4/008 ,  H01G4/01

CPC分类号： H01G4/1245 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/01 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30

摘要： Multilayer ceramic chip capacitors which satisfy COG requirements and which are compatible with reducing atmosphere sintering conditions so that non-noble metals such as nickel and nickel alloys may be used for internal and external electrodes are disclosed. The capacitors exhibit desirable dielectric properties (high capacitance, low dissipation factor, high insulation resistance), excellent performance on highly accelerated life testing, and very good resistance to dielectric breakdown. The dielectric layers comprise a strontium zirconate matrix doped with other metal oxides such as TiO2, MgO, B2O3, CaO, MnO, Nd2O3 and Nb2O5 in various combinations.

公开(公告)号：US10287211B2

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：US15550101

申请日：2016-02-17

申请人： Ferro Corporation

发明人： Walter J. Symes, Jr.

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/626

摘要： LTCC devices are produced from dielectric compositions comprising a mixture of precursor materials that, upon firing, forms a dielectric material comprising a barium-tungsten-silicon host.

公开(公告)号：US09892853B2

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：US15301737

申请日：2015-06-12

申请人： Ferro Corporation

发明人： Walter J. Symes, Jr. ,  Gregory R. Prinzbach ,  John J. Maloney ,  James E. Henry ,  Orville W. Brown ,  Srinivasan Sridharan ,  Yie-Shein Her ,  Stanley Wang ,  George E. Graddy, Jr. ,  George E. Sakoske

IPC分类号： C04B35/465 ,  H01G4/12 ,  C04B35/626 ,  C04B35/478 ,  C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/453 ,  C04B35/22 ,  C04B35/16 ,  C04B35/195 ,  C04B35/18 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C03C8/18 ,  C09D5/24

CPC分类号： H01G4/129 ,  C03C8/18 ,  C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/195 ,  C04B35/22 ,  C04B35/453 ,  C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/478 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/77 ,  C09D5/24 ,  H01G4/105 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227

摘要： LTCC devices are produced from dielectric compositions comprising a mixture of precursor materials that, upon firing, forms a dielectric material comprising a matrix of titanates of alkaline earth metals, the matrix doped with at least one selected from rare-earth element, aluminum oxide, silicon oxide and bismuth oxide.

公开(公告)号：US20170200557A1

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：US15317545

申请日：2016-06-27

申请人： FERRO CORPORATION

发明人： Walter J. Symes, Jr.

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/49 ,  H01G4/30 ,  C04B35/64 ,  H01G4/008 ,  B28B11/12 ,  C04B35/622

CPC分类号： H01G4/1245 ,  B28B11/125 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/6365 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/595 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/008 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： Multilayer ceramic chip capacitors which satisfy COG requirements and which are compatible with reducing atmosphere sintering conditions so that non-noble metals such as nickel and nickel alloys thereof may be used for internal and external electrodes are made in accordance with the invention. The capacitors exhibit desirable dielectric properties (high capacitance, low dissipation factor, high insulation resistance), excellent performance on highly accelerated life testing, and very good resistance to dielectric breakdown. The dielectric layers comprise a barium strontium zirconate matrix doped with other metal oxides such as TiO2, CaO, B2O3, and MgO in various combinations.

公开(公告)号：US20180022650A1

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：US15550101

申请日：2016-02-17

申请人： Ferro Corporation

发明人： Walter J. Symes, Jr.

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/626

CPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77

摘要： LTCC devices are produced from dielectric compositions comprising a mixture of precursor materials that, upon firing, forms a dielectric material comprising a barium-tungsten-silicon host.