公开(公告)号：US20110316099A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12973422

申请日：2010-12-20

申请人： George A. DUNBAR, III ,  Zhong-Xiang HE ,  Jeffrey C. MALING ,  William J. MURPHY ,  Anthony K. STAMPER

发明人： George A. DUNBAR, III ,  Zhong-Xiang HE ,  Jeffrey C. MALING ,  William J. MURPHY ,  Anthony K. STAMPER

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower wiring layer on a substrate. The method further includes forming a plurality of discrete wires from the lower wiring layer. The method further includes forming an electrode beam over the plurality of discrete wires. The at least one of the forming of the electrode beam and the plurality of discrete wires are formed with a layout which minimizes hillocks and triple points in subsequent silicon deposition.

摘要翻译： 形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括在基板上形成下布线层。 该方法还包括从下布线层形成多条分立布线。 该方法还包括在多个离散导线上形成电极束。 形成电极束和多个离散导线中的至少一个形成有最小化后续硅沉积中的小丘和三点的布局。

公开(公告)号：US20110316098A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12973333

申请日：2010-12-20

申请人： George A. DUNBAR, III ,  Jeffrey C. MALING ,  William J. MURPHY ,  Anthony K. STAMPER

发明人： George A. DUNBAR, III ,  Jeffrey C. MALING ,  William J. MURPHY ,  Anthony K. STAMPER

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower sacrificial material used to form a lower cavity. The method further includes forming a cavity via connecting the lower cavity to an upper cavity. The cavity via is formed with a top view profile of rounded or chamfered edges. The method further includes forming an upper sacrificial material within and above the cavity via, which has a resultant surface based on the profile of the cavity via. The upper cavity is formed with a lid that is devoid of structures that would interfere with a MEMS beam, including: depositing a lid material on the resultant surface of the upper sacrificial material; and venting the upper sacrificial material to form the upper cavity such the lid material forms the lid which conforms with the resultant surface of the upper sacrificial material.

摘要翻译： 形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括形成用于形成下腔的较低牺牲材料。 该方法还包括通过将下腔体连接到上部空腔来形成空腔。 空腔通孔形成有圆形或倒角边缘的顶视图。 该方法还包括在空腔内部和上方形成上部牺牲材料，其具有基于空腔通路的轮廓的合成表面。 上空腔形成有没有会干扰MEMS梁的结构的盖，包括：在上牺牲材料的所得表面上沉积盖材料; 并且排出上部牺牲材料以形成上部空腔，使得盖子材料形成与上部牺牲材料的合成表面一致的盖子。

公开(公告)号：US20110315527A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12974854

申请日：2010-12-21

申请人： Dinh DANG ,  Thai DOAN ,  George A. DUNBAR, III ,  Zhong-Xiang HE ,  Russell T. HERRIN ,  Christopher V. JAHNES ,  Jeffrey C. MALING ,  William J. MURPHY ,  Anthony K. STAMPER ,  John G. TWOMBLY ,  Eric J. WHITE

发明人： Dinh DANG ,  Thai DOAN ,  George A. DUNBAR, III ,  Zhong-Xiang HE ,  Russell T. HERRIN ,  Christopher V. JAHNES ,  Jeffrey C. MALING ,  William J. MURPHY ,  Anthony K. STAMPER ,  John G. TWOMBLY ,  Eric J. WHITE

IPC分类号： H01H57/00 ,  H01L21/66 ,  G06F17/50 ,  H01L21/28

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： Planar cavity Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structure are provided. The method includes forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity having a planar surface using a reverse damascene process.

摘要翻译： 提供了平面腔微机电系统（MEMS）结构，制造方法和设计结构。 该方法包括使用反向镶嵌工艺形成具有平面表面的至少一个微机电系统（MEMS）空腔。

公开(公告)号：US20110316101A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12973430

申请日：2010-12-20

申请人： Dinh DANG ,  Thai DOAN ,  Jeffrey C. MALING ,  Anthony K. STAMPER

发明人： Dinh DANG ,  Thai DOAN ,  Jeffrey C. MALING ,  Anthony K. STAMPER

IPC分类号： H01L29/84 ,  G06F17/50 ,  H01L21/302

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a plurality of discrete wires on a substrate. The method further includes forming a sacrificial cavity layer on the discrete wires. The method further includes forming trenches in an upper surface of the sacrificial cavity layer. The method further includes filling the trenches with dielectric material. The method further includes depositing metal on the sacrificial cavity layer and on the dielectric material to form a beam with at least one dielectric bumper extending from a bottom surface thereof.

摘要翻译： 形成至少一个微电子机械系统（MEMS）的方法包括在基板上形成多个分立的导线。 该方法还包括在分立导线上形成牺牲腔层。 该方法还包括在牺牲腔层的上表面中形成沟槽。 该方法还包括用电介质材料填充沟槽。 该方法还包括在牺牲腔层和电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个介电保险杠的梁。

公开(公告)号：US20120214280A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13460871

申请日：2012-05-01

申请人： Douglas D. COOLBAUGH ,  Ebenezer E. ESHUN ,  Terence B. HOOK ,  Robert M. RASSEL ,  Edmund J. SPROGIS ,  Anthony K. STAMPER ,  William J. MURPHY

发明人： Douglas D. COOLBAUGH ,  Ebenezer E. ESHUN ,  Terence B. HOOK ,  Robert M. RASSEL ,  Edmund J. SPROGIS ,  Anthony K. STAMPER ,  William J. MURPHY

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01C7/1013 ,  H01C1/084 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T29/49085 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49147 ,  H01L2924/00

摘要： A resistor with heat sink is provided. The heat sink includes a conductive path having metal or other thermal conductor having a high thermal conductivity. To avoid shorting the electrical resistor to ground with the thermal conductor, a thin layer of high thermal conductivity electrical insulator is interposed between the thermal conductor and the body of the resistor. Accordingly, a resistor can carry large amounts of current because the high conductivity thermal conductor will conduct heat away from the resistor to a heat sink. Various configurations of thermal conductors and heat sinks are provided offering good thermal conductive properties in addition to reduced parasitic capacitances and other parasitic electrical effects, which would reduce the high frequency response of the electrical resistor.

摘要翻译： 提供带散热片的电阻。 散热器包括具有导热性高的金属或其它热导体的导电路径。 为了避免使用热导体将电阻器短路接地，在热导体和电阻体之间插入有一层薄导电电绝缘体。 因此，电阻器可承载大量的电流，因为高导电性热导体将热量从电阻器传导到散热器。 除了降低寄生电容和其他寄生电效应之外，提供各种配置的导热体和散热片，提供良好的导热性能，这将降低电阻器的高频响应。

公开(公告)号：US20130105920A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13287575

申请日：2011-11-02

申请人： Russell T. HERRIN ,  Daniel R. MIGA ,  Anthony K. STAMPER

发明人： Russell T. HERRIN ,  Daniel R. MIGA ,  Anthony K. STAMPER

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00476 ,  B81B2203/0315 ,  B81C99/007 ,  B81C2201/0108 ,  H01L21/56 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, metrology structures and methods of manufacture are disclosed. The method includes forming one or metrology structure, during formation of a device in a chip area. The method further includes venting the one or more metrology structure after formation of the device.

摘要翻译： 公开了微机电系统（MEMS）结构，计量结构和制造方法。 该方法包括在芯片区域中的器件形成期间形成一个或计量结构。 该方法还包括在形成装置之后排出一个或多个计量结构。

公开(公告)号：US20120261719A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13529625

申请日：2012-06-21

申请人： James S. DUNN ,  Alvin J. JOSEPH ,  Anthony K. STAMPER

发明人： James S. DUNN ,  Alvin J. JOSEPH ,  Anthony K. STAMPER

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7378

摘要： Semiconductor structures and methods of manufacture semiconductors are provided which relate to heterojunction bipolar transistors. The structure includes two devices connected by metal wires on a same wiring level. The metal wire of a first of the two devices is formed by selectively forming a metal cap layer on copper wiring structures.

摘要翻译： 提供半导体结构和制造半导体的方法涉及异质结双极晶体管。 该结构包括通过金属线在同一布线层上连接的两个器件。 两个器件中的第一个的金属线通过在铜布线结构上选择性地形成金属覆盖层而形成。

公开(公告)号：US20120192139A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13426835

申请日：2012-03-22

申请人： Robert M. RASSEL ,  Anthony K. STAMPER ,  Daniel S. VANSLETTE

发明人： Robert M. RASSEL ,  Anthony K. STAMPER ,  Daniel S. VANSLETTE

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： Integrated structures having high performance CMOS active devices mounted on passive devices are provided. The structure includes an integrated passive device chip having a plurality of through wafer vias, mounted to a ground plane. The structure further includes at least one CMOS device mounted on the integrated passive device chip using flip chip technology and being grounded to the ground plane through the through wafer vias of the integrated passive device chip.

摘要翻译： 提供了具有安装在无源器件上的高性能CMOS有源器件的集成结构。 该结构包括集成无源器件芯片，其具有安装到接地平面的多个通过晶片通孔。 该结构还包括使用倒装芯片技术安装在集成无源器件芯片上的至少一个CMOS器件，并通过集成无源器件芯片的贯穿晶片通孔接地到接地层。

公开(公告)号：US20120190190A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13438508

申请日：2012-04-03

申请人： James S. DUNN ,  Alvin J. JOSEPH ,  Anthony K. STAMPER

发明人： James S. DUNN ,  Alvin J. JOSEPH ,  Anthony K. STAMPER

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L29/7378

摘要： Semiconductor structures and methods of manufacture semiconductors are provided which relate to heterojunction bipolar transistors. The method includes forming two devices connected by metal wires on a same wiring level. The metal wire of a first of the two devices is formed by selectively forming a metal cap layer on copper wiring structures.

摘要翻译： 提供半导体结构和制造半导体的方法涉及异质结双极晶体管。 该方法包括在相同布线层上形成由金属线连接的两个器件。 两个器件中的第一个的金属线通过在铜布线结构上选择性地形成金属覆盖层而形成。

公开(公告)号：US20110318861A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12973285

申请日：2010-12-20

申请人： Christopher V. JAHNES ,  Anthony K. STAMPER

发明人： Christopher V. JAHNES ,  Anthony K. STAMPER

IPC分类号： H01L21/02 ,  G06F17/50

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity includes forming a first sacrificial cavity layer over a lower wiring layer. The method further includes forming a layer. The method further includes forming a second sacrificial cavity layer over the first sacrificial layer and in contact with the layer. The method further includes forming a lid on the second sacrificial cavity layer. The method further includes forming at least one vent hole in the lid, exposing a portion of the second sacrificial cavity layer. The method further includes venting or stripping the second sacrificial cavity layer such that a top surface of the second sacrificial cavity layer is no longer touching a bottom surface of the lid, before venting or stripping the first sacrificial cavity layer thereby forming a first cavity and second cavity, respectively.

摘要翻译： 形成至少一个微机电系统（MEMS）腔的方法包括在下布线层上形成第一牺牲腔层。 该方法还包括形成层。 该方法还包括在第一牺牲层上形成与层接触的第二牺牲腔层。 该方法还包括在第二牺牲腔层上形成盖子。 该方法还包括在盖中形成至少一个通气孔，暴露第二牺牲腔层的一部分。 该方法还包括排气或剥离第二牺牲腔层，使得第二牺牲腔层的顶表面在不排除或剥离第一牺牲腔层之前不再接触盖的底表面，从而形成第一腔和第二腔 腔。