公开(公告)号：US5243197A

公开(公告)日：1993-09-07

申请号：US970437

申请日：1992-11-02

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Aart A. Van Gorkum ,  Gerjan F. A. Van De Walle ,  Petrus A. M. Van Der Heide ,  Arthur M. E. Hoeberechts

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Aart A. Van Gorkum ,  Gerjan F. A. Van De Walle ,  Petrus A. M. Van Der Heide ,  Arthur M. E. Hoeberechts

IPC分类号： H01J1/308

CPC分类号： H01J1/308

摘要： The efficiency of semiconductor cathodes based on avalanche breakdown is enhanced by using ".delta.-doping" structures. The quantization effects introduced thereby decrease the effective work function. A typical cathode structure has an n-type semiconductor region and a first p-type semiconductor region, with the n-type region having a thickness of at most 4 nanometers.

摘要翻译： 通过使用“Δ掺杂”结构增强了基于雪崩击穿的半导体阴极的效率。 由此引入的量化效应降低了有效的工作功能。 典型的阴极结构具有n型半导体区域和第一p型半导体区域，其中n型区域具有至多4纳米的厚度。

公开(公告)号：US5315207A

公开(公告)日：1994-05-24

申请号：US505308

申请日：1990-04-04

申请人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Nicolaas Lambert ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

发明人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Nicolaas Lambert ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J3/02 ,  H01J3/18 ,  H01J29/48 ,  H01J29/62 ,  H01J31/12 ,  H01J29/04

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J29/485 ,  H01J3/027

摘要： A planar electron-optical lens is obtained on a semiconductor cathode surface by providing an extra electrode (16) around the gate electrode (14). Dependent on the applied voltage, this configuration operates, for example, as a positive lens which supplies parallel beams without dispersion, suitable for thin, flat display devices. A large positioning tolerance is obtained due to the inherent magnification of the beam diameter in the semiconductor device, while a grid can be dispensed with.

摘要翻译： 通过在栅电极（14）周围设置多余的电极（16），在半导体阴极表面上获得平面电子 - 光学透镜。 取决于所施加的电压，该配置例如作为提供平行光束而不分散的正透镜，适用于薄的平面显示装置。 由于半导体器件中的光束直径的固有放大，可以获得大的定位公差，而可以省略格栅。

公开(公告)号：US4722852A

公开(公告)日：1988-02-02

申请号：US52294

申请日：1987-05-21

申请人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Henricus A. M. van Hal ,  Harm Tolner ,  Gerardus G. P. van Gorkom

发明人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Henricus A. M. van Hal ,  Harm Tolner ,  Gerardus G. P. van Gorkom

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/13 ,  H01J1/308 ,  H01J1/32 ,  H01J1/34 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04 ,  H01J9/12 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01J1/32 ,  H01J1/13 ,  H01J1/308 ,  H01J1/34 ,  H01J2201/3423

摘要： An electron-emitting surface is provided with a material reducing the electron work function, which is obtained from a suitable reaction. The reaction mixture or the product to be decomposed, for example CsN.sub.3, is present in a surface depression of a semiconductor body, while one or more pn junctions act as a heating diode. Upon heating, cesium is released and deposited on the electron-emitting surface.

摘要翻译： 电子发射表面设置有从合适的反应获得的降低电子功函数的材料。 反应混合物或待分解的产物（例如CsN 3）存在于半导体本体的表面凹陷中，而一个或多个pn结用作加热二极管。 加热时，铯释放并沉积在电子发射表面上。

公开(公告)号：US4574216A

公开(公告)日：1986-03-04

申请号：US713584

申请日：1985-03-19

申请人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Gerardus G. P. van Gorkom

发明人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Gerardus G. P. van Gorkom

IPC分类号： H01J37/22 ,  B41J2/44 ,  H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J29/48 ,  H01J29/84 ,  H01J31/38

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J23/065 ,  H01J29/84

摘要： A semiconductor cathode is provided with deflection electrodes, with which a dipole field can be generated. As a result of this, electrons released at the surface of the semiconductor cathode leave the surface at a certain angle. For use inter alia in camera tubes, display tubes, such an inclined beam can be aligned without any problems. Positive ions which are released inter alia from residual gases and are accelerated in the direction of the cathode impinge on the cathode at an acute angle. As a result of this, the active part of the cathode is substantially not attacked by said positive ions, so that degradation is prevented.

摘要翻译： 半导体阴极设置有偏转电极，可以产生偶极场。 结果，在半导体阴极表面放出的电子离开表面一定角度。 为了特别用于照相机管，显示管，这样的倾斜光束可以没有任何问题地对准。 由残留气体释放并在阴极方向加速的正离子以锐角撞击在阴极上。 结果，阴极的活性部分基本上不被所述正离子侵蚀，从而防止了劣化。

公开(公告)号：US4554564A

公开(公告)日：1985-11-19

申请号：US345994

申请日：1982-02-05

申请人： Gerardus G. P. van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

发明人： Gerardus G. P. van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J37/073 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  H01L21/027 ,  G01D15/06

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/308 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/31784

摘要： The invention relates to a method for displaying a pattern on a resist using electron lithography. In particular, a cathode device having a matrix of semiconductor cathodes generates an electron beam which exposes a resist layer. The electron beam is generated by applying control signals to selected ones of the matrix of cathodes to cause electron emission therefrom.

摘要翻译： 本发明涉及一种使用电子光刻在抗蚀剂上显示图案的方法。 特别地，具有半导体阴极矩阵的阴极器件产生暴露抗蚀剂层的电子束。 通过将控制信号施加到选定的阴极矩阵中以产生电子束来产生电子束。

公开(公告)号：US4325084A

公开(公告)日：1982-04-13

申请号：US170363

申请日：1980-07-21

申请人： Gerardus G. P. van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

发明人： Gerardus G. P. van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J37/073 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  H01L21/027 ,  H04N3/14 ,  H01J19/02 ,  H01L29/90 ,  H04N3/16

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/308 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/31784

摘要： The invention relates to a semiconductor cathode based on avalanche breakdown in the p-n junction. The released electrons obtain extra accelerating energy by means of an electrode provided on the device. The achieved efficiency increase makes the manufacture of such cathodes in planar silicon technology sensible. Such cathodes are applied, for example, in cathode ray tube, flat displays, pick-up tubes and electron lithography.

摘要翻译： 本发明涉及一种基于p-n结中的雪崩击穿的半导体阴极。 释放的电子通过设置在器件上的电极获得额外的加速能量。 实现的效率提高使得在平面硅技术中制造这样的阴极是合理的。 这种阴极例如用于阴极射线管，平面显示器，拾取管和电子光刻中。

公开(公告)号：US4871911A

公开(公告)日：1989-10-03

申请号：US77060

申请日：1987-07-17

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts ,  Karel D. Van Der Mast ,  Harm Tolner

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts ,  Karel D. Van Der Mast ,  Harm Tolner

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J37/073

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J37/073

摘要： An electron beam apparatus comprising a semiconductor electron emitter whose emissive surface dimensions are determined by dimensions of a p-n junction provided in the semiconductor element. By optimizing the dimensions of the emissive surface in relation to the electron-optical properties of the apparatus, an emitter is realized which combines optimum beam formation or imaging with a sufficiently large beam current and a high beam current density as required by the apparatus.

摘要翻译： 一种电子束装置，包括半导体电子发射器，其发射表面尺寸由设置在半导体元件中的p-n结的尺寸确定。 通过相对于装置的电子 - 光学性质优化发射表面的尺寸，实现了发射器，其结合最佳波束形成或成像与装置所要求的足够大的束流和高束电流密度。

公开(公告)号：US4709185A

公开(公告)日：1987-11-24

申请号：US743221

申请日：1985-06-10

申请人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Henricus A. M. Van Hal ,  Harm Tolner ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

发明人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Henricus A. M. Van Hal ,  Harm Tolner ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/13 ,  H01J1/308 ,  H01J1/32 ,  H01J1/34 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04 ,  H01J9/12 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01J1/32 ,  H01J1/13 ,  H01J1/308 ,  H01J1/34 ,  H01J2201/3423

摘要： An electron-emitting surface is provided with a material reducing the electron work function, which is obtained from a suitable reaction. The reaction mixture or the product to be decomposed, for example CsN.sub.3, is present in a surface depression of a semiconductor body, while one or more pn junctions act as a heating diode. Upon heating, cesium is released and deposited on the electron-emitting surface.

摘要翻译： 电子发射表面设置有从合适的反应获得的降低电子功函数的材料。 反应混合物或待分解的产物（例如CsN 3）存在于半导体本体的表面凹陷中，而一个或多个pn结用作加热二极管。 加热时，铯释放并沉积在电子发射表面上。

公开(公告)号：US4370797A

公开(公告)日：1983-02-01

申请号：US268209

申请日：1981-05-29

申请人： Gerardus G. P. van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

发明人： Gerardus G. P. van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

IPC分类号： B01J23/86 ,  C07B61/00 ,  C07C1/00 ,  C07C1/04 ,  C07C67/00 ,  H01J1/308 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J31/38 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01J9/022 ,  H01J1/308

摘要： The invention relates to a semiconductor cathode and a camera tube and a display tube, respectively, having such a cathode, based on avalanche breakdown in a p-n junction extending parallel to the surface of the semiconductor body. The released electrons obtain extra energy by means of an accelerating electrode provided on the device. The resulting efficiency increase makes the manufacture of such cathodes in planar silicon technology practical. Since the depletion zone of the p-n junction upon avalanche breakdown does not extend to the surface, the released electrons show a sharp, narrow energy distribution. This makes such cathodes particularly suitable for camera tubes. In addition they find application, for example, in display tubes and flat displays.

摘要翻译： 本发明涉及分别具有这样的阴极的半导体阴极和相机管和显示管，其基于平行于半导体本体的表面延伸的p-n结中的雪崩击穿。 释放的电子通过设置在器件上的加速电极获得额外的能量。 所产生的效率提高使得平面硅技术中的这种阴极的制造成为可能。 由于在雪崩击穿时p-n结的耗尽区不延伸到表面，所释放的电子显示出尖锐的能量分布。 这使得这种阴极特别适用于照相机管。 此外，他们还可以应用于显示管和平板显示器。

公开(公告)号：US4801994A

公开(公告)日：1989-01-31

申请号：US21937

申请日：1987-03-05

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J31/38 ,  H01J37/073 ,  H01L21/027 ,  H01L33/00 ,  H01L29/12 ,  H01L29/34

CPC分类号： H01J1/308

摘要： By providing an intrinsic semiconductor region in a reverse biased junction cathode between an n-type surface region and a p-type zone, a maximum field is present over the intrinsic region in the operating condition. The efficiency of the cathode is increased because avalanche multiplication can now occur over a greater distance, while in addition electrons to be emitted at a sufficient energy are generated by means of tunneling.