公开(公告)号：US20070224725A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11687738

申请日：2007-03-19

申请人： Hidenori MIYOSHI ,  Kenji Ishikawa ,  Yukio Takigawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Hideki Tateishi

发明人： Hidenori MIYOSHI ,  Kenji Ishikawa ,  Yukio Takigawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Hideki Tateishi

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

摘要： A method for processing a substrate having an insulation film and a metal layer thereon comprises the steps of supplying a carboxylic acid anhydride to the substrate, and heating the substrate during the step of supplying the carboxylic acid anhydride to the substrate.

摘要翻译： 一种用于处理具有绝缘膜和金属层的基板的方法，包括以下步骤：向基材供应羧酸酐，并在将羧酸酐供应到基材的步骤期间加热基材。

公开(公告)号：US07709394B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US11687738

申请日：2007-03-19

申请人： Hidenori Miyoshi ,  Kenji Ishikawa ,  Yukio Takigawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Hideki Tateishi

发明人： Hidenori Miyoshi ,  Kenji Ishikawa ,  Yukio Takigawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Hideki Tateishi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

摘要： A method for processing a substrate having an insulation film and a metal layer thereon comprises the steps of supplying a carboxylic acid anhydride to the substrate, and heating the substrate during the step of supplying the carboxylic acid anhydride to the substrate.

摘要翻译： 一种用于处理具有绝缘膜和金属层的基板的方法，包括以下步骤：向基材供应羧酸酐，并在将羧酸酐供应到基材的步骤期间加热基材。

公开(公告)号：US5763540A

公开(公告)日：1998-06-09

申请号：US544670

申请日：1995-10-18

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Yukio Takigawa ,  Shigeaki Yagi ,  Norio Sawatari

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Yukio Takigawa ,  Shigeaki Yagi ,  Norio Sawatari

IPC分类号： C08L63/00 ,  H01L23/29 ,  C08G77/20 ,  C08L83/07

CPC分类号： H01L23/296 ,  C08L63/00 ,  H01L2924/0002

摘要： An epoxy resin composition for encapsulating semiconductors containing 5 to 50 parts by weight of a silicone-based flexibility imparting agent, 100 parts by weight of an epoxy resin containing at least two epoxy groups in one molecule thereof, 50 to 150 parts by weight of a curing resin including a phenolic resin, and 200 to 1,000 parts by weight of an inorganic filler.

摘要翻译： 含有5〜50重量份硅氧烷系柔性赋予剂的半导体用环氧树脂组合物，100分重量份在1分钟内含有至少2个环氧基的环氧树脂，50〜150重量份的 包括酚醛树脂的固化树脂和200至1,000重量份的无机填料。

公开(公告)号：US5659004A

公开(公告)日：1997-08-19

申请号：US389784

申请日：1995-02-16

申请人： Yukio Takigawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Shigeaki Yagi ,  Norio Sawatari ,  Nobuo Kamehara

发明人： Yukio Takigawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Shigeaki Yagi ,  Norio Sawatari ,  Nobuo Kamehara

IPC分类号： C08G59/24 ,  C08G59/62 ,  C08L63/00 ,  C08G8/28

CPC分类号： C08G59/621 ,  C08G59/245 ,  C08L63/00 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253

摘要： An epoxy resin composition contains an epoxy resin as a substratal resin and incorporates therein a polyallylphenol curing agent. The composition may also contain a polyphenol compound. The epoxy resin may have a naphthalene skeleton. The epoxy resin composition may also include a blend of two or more epoxy resins.

摘要翻译： 环氧树脂组合物含有作为底物树脂的环氧树脂，并在其中掺入聚烯丙基酚固化剂。 组合物还可以含有多酚化合物。 环氧树脂可以具有萘骨架。 环氧树脂组合物还可以包括两种或多种环氧树脂的共混物。

公开(公告)号：US08431464B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12700215

申请日：2010-02-04

申请人： Yasushi Kobayashi ,  Kouta Yoshikawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Tadahiro Imada ,  Shirou Ozaki

发明人： Yasushi Kobayashi ,  Kouta Yoshikawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Tadahiro Imada ,  Shirou Ozaki

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L23/53295 ,  C08G77/20 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A silicic coating of 2.4 g/cm3 or higher density, obtained by forming a silicic coating precursor with the use of at least one type of silane compound having a photosensitive functional group and thereafter irradiating the silicic coating precursor with at least one type of light. This silicic coating can be used as a novel barrier film or stopper film for semiconductor device.

摘要翻译： 通过使用至少一种具有光敏官能团的硅烷化合物形成硅涂层前体，然后用至少一种类型的光照射硅涂层前体，得到2.4g / cm 3或更高密度的硅质涂层。 这种硅涂层可用作半导体器件的新型阻挡膜或阻挡膜。

公开(公告)号：US08124239B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12640362

申请日：2009-12-17

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： B32B9/04 ,  B32B13/04 ,  C08F2/46 ,  C08J7/18 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。

公开(公告)号：US08062414B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US10533302

申请日：2003-10-27

申请人： Akira Nakashima ,  Miki Egami ,  Michio Komatsu ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano ,  Katsumi Suzuki

发明人： Akira Nakashima ,  Miki Egami ,  Michio Komatsu ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano ,  Katsumi Suzuki

IPC分类号： C04B41/50 ,  D06M15/643 ,  C09D183/04

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

摘要： The present invention relates to a coating liquid for forming an amorphous silica-based coating film with a low dielectric constant of 2.5 or below and the Young's modulus of 6.0 GPa or more and having excellent hydrophobic property, and to a method of preparing the same. The coating liquid may contain a silicon compound obtained by hydrolyzing tetraalkyl ortho silicate (TAOS) and specific alkoxysilane (AS) in the presence of tetraalkyl ammonium hydroxide (TAAOH), or may contain a silicon compound obtained by hydrolyzing or partially hydrolyzing tetraalkyl ortho silicate (TAOS) in the presence of tetraalkyl ammonium hydroxide (TAAOH), mixing the reaction product with specific alkoxysilane or a hydrolysate or a partial hydrolysate thereof, and hydrolyzing all or a portion of the mixture according to the necessity. In addition, the coating liquid is prepared by mixing components described above at a specific ratio and under specific process conditions.

摘要翻译： 本发明涉及一种低介电常数为2.5以下，杨氏模量为6.0GPa以上，疏水性优异的无定形二氧化硅系涂膜用涂布液及其制备方法。 涂布液可以含有通过在四烷基氢氧化铵（TAAOH）的存在下水解四烷基原硅酸盐（TAOS）和特定烷氧基硅烷（AS））而获得的硅化合物，或者可以含有通过水解或部分水解原硅酸四烷基酯 TAOS）在四烷基氢氧化铵（TAAOH）的存在下，将反应产物与特定的烷氧基硅烷或其水解产物或其部分水解产物混合，并根据需要水解全部或一部分混合物。 此外，通过以特定比例和特定工艺条件混合上述组分来制备涂布液。

公开(公告)号：US20110187002A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13019509

申请日：2011-02-02

申请人： Sadahiro Kishii ,  Tsuyoshi Kanki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Masato Tanaka ,  Akio Rokugawa

发明人： Sadahiro Kishii ,  Tsuyoshi Kanki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Masato Tanaka ,  Akio Rokugawa

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03

摘要： A support substrate includes a first surface and a second surface located above the level of the first surface. Chips are mounted on the first surface. A first insulating film is disposed over each chip. First conductive plugs are connected to the chip extending through each first insulating film. Filler material made of resin filling a space between chips. Wirings are disposed over the first insulating film and the filler material for interconnecting different chips. The second surface, an upper surface of the first insulating film and an upper surface of the filler material are located at the same level.

摘要翻译： 支撑基板包括位于第一表面的高度之上的第一表面和第二表面。 芯片安装在第一个表面上。 第一绝缘膜设置在每个芯片上。 第一导电插头连接到延伸穿过每个第一绝缘膜的芯片。 由树脂填充的填充材料填充芯片之间的空间。 布线布置在第一绝缘膜和用于互连不同芯片的填充材料之上。 第二表面，第一绝缘膜的上表面和填充材料的上表面位于同一水平。

公开(公告)号：US20100155121A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12640362

申请日：2009-12-17

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： H05K1/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。

公开(公告)号：US07659357B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11274094

申请日：2005-11-16

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： C08G77/00 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。