公开(公告)号：US20100240224A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12408427

申请日：2009-03-20

申请人： Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang ,  Chi-Ming Yang

发明人： Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang ,  Chi-Ming Yang

IPC分类号： H01L21/26 ,  F27D11/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  F27B17/0025

摘要： A semiconductor furnace suitable for chemical vapor deposition processing of wafers. The furnace includes a thermal reaction chamber having a top, a bottom, a sidewall, and an internal cavity for removably holding a batch of vertically stacked wafers. A heating system is provided that includes a plurality of heaters arranged and operative to heat the chamber. The heating system includes at least one top heater; at least one bottom heater, and a plurality of sidewall heaters spaced along the height of the reaction chamber to control temperature variations within in the chamber and promote uniform film deposit thickness on the wafers.

摘要翻译： 适用于晶圆化学气相沉积处理的半导体炉。 该炉包括具有顶部，底部，侧壁和用于可拆卸地保持一批垂直堆叠的晶片的内部空腔的热反应室。 提供一种加热系统，其包括布置并可操作以加热该腔室的多个加热器。 加热系统包括至少一个顶部加热器; 至少一个底部加热器和沿着反应室的高度间隔开的多个侧壁加热器，以控制室内的温度变化，并促进晶片上均匀的膜沉积厚度。

公开(公告)号：US20100210041A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12370746

申请日：2009-02-13

申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体管道，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。

公开(公告)号：US08404572B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12370746

申请日：2009-02-13

申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体导管，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。

公开(公告)号：US08906712B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13112046

申请日：2011-05-20

申请人： Hsin-Hsien Wu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chun-Lin Chang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuang-Huan Hsu

发明人： Hsin-Hsien Wu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chun-Lin Chang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuang-Huan Hsu

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26593 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A method includes providing an LED element including a substrate and a gallium nitride (GaN) layer disposed on the substrate. The GaN layer is treated. The treatment includes performing an ion implantation process on the GaN layer. The ion implantation process may provide a roughened surface region of the GaN layer. In an embodiment, the ion implantation process is performed at a temperature of less than approximately 25 degrees Celsius. In a further embodiment, the substrate is at a temperature less than approximately zero degrees Celsius during the ion implantation process.

摘要翻译： 一种方法包括提供包括衬底和设置在衬底上的氮化镓（GaN）层）的LED元件。 处理GaN层。 该处理包括在GaN层上执行离子注入工艺。 离子注入工艺可以提供GaN层的粗糙化表面区域。 在一个实施例中，离子注入过程在小于约25摄氏度的温度下进行。 在另一个实施例中，在离子注入过程期间，衬底处于低于约零摄氏度的温度。

公开(公告)号：US08536491B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12409880

申请日：2009-03-24

申请人： Zin-Chang Wei ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang

发明人： Zin-Chang Wei ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang

IPC分类号： F27D11/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/324 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109

摘要： A semiconductor furnace suitable for chemical vapor deposition processing of wafers. The furnace includes a thermal reaction chamber having a top, a bottom, a sidewall, and an internal cavity for removably holding a batch of vertically stacked wafers. A heating system is provided that includes a plurality of rotatable heaters arranged and operative to heat the chamber. In one embodiment, spacing between the sidewall heaters is adjustable. The heating system controls temperature variations within the chamber and promotes uniform film deposit thickness on the wafers.

摘要翻译： 适用于晶圆化学气相沉积处理的半导体炉。 该炉包括具有顶部，底部，侧壁和用于可拆卸地保持一批垂直堆叠的晶片的内部空腔的热反应室。 提供了一种加热系统，其包括多个可旋转的加热器，其布置并可操作以加热该腔室。 在一个实施例中，侧壁加热器之间的间隔是可调节的。 加热系统控制室内的温度变化并且促进在晶片上均匀的膜沉积物厚度。

公开(公告)号：US20100181500A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12355443

申请日：2009-01-16

申请人： Chun-Lin Chang ,  Zin-Chang Wei ,  Hsin-Hsien Wu

发明人： Chun-Lin Chang ,  Zin-Chang Wei ,  Hsin-Hsien Wu

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： C30B31/22

摘要： A method comprises pre-cooling a first semiconductor wafer outside of a process chamber, from a temperature at or above 15° C. to a temperature below 5° C. The pre-cooled first wafer is placed inside the process chamber after performing the pre-cooling step. A low-temperature ion implantation is performed on the first wafer after placing the first wafer.

摘要翻译： 一种方法包括将处理室外的第一半导体晶片从等于或高于15℃的温度预先冷却至低于5℃的温度。预冷却的第一晶片在执行预处理之后放置在处理室内部 冷却步骤 在放置第一晶片之后，在第一晶片上进行低温离子注入。

公开(公告)号：US08716128B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13086542

申请日：2011-04-14

申请人： Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hung-Yi Kuo

发明人： Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hung-Yi Kuo

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76898

摘要： A method of forming a through-silicon-via (TSV) opening includes forming a TSV opening through a substrate. A recast of a material of the substrate on sidewalls of the TSV opening is removed with a first chemical. The sidewalls of the TSV opening are cleaned with a second chemical by substantially removing a residue of the first chemical.

摘要翻译： 形成贯通硅通孔（TSV）开口的方法包括通过基板形成TSV开口。 使用第一种化学物质去除在TSV开口的侧壁上的衬底的材料的重铸。 TSV开口的侧壁通过基本上除去第一种化学物质的残留物而用第二种化学品清洗。

公开(公告)号：US20120292629A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13112046

申请日：2011-05-20

申请人： Hsin-Hsien Wu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chun-Lin Chang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuang-Huan Hsu

发明人： Hsin-Hsien Wu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chun-Lin Chang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuang-Huan Hsu

IPC分类号： H01L33/60

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26593 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A method includes providing an LED element including a substrate and a gallium nitride (GaN) layer disposed on the substrate. The GaN layer is treated. The treatment includes performing an ion implantation process on the GaN layer. The ion implantation process may provide a roughened surface region of the GaN layer. In an embodiment, the ion implantation process is performed at a temperature of less than approximately 25 degrees Celsius. In a further embodiment, the substrate is at a temperature less than approximately zero degrees Celsius during the ion implantation process.

摘要翻译： 一种方法包括提供包括衬底和设置在衬底上的氮化镓（GaN）层）的LED元件。 处理GaN层。 该处理包括在GaN层上执行离子注入工艺。 离子注入工艺可以提供GaN层的粗糙化表面区域。 在一个实施例中，离子注入过程在小于约25摄氏度的温度下进行。 在另一个实施例中，在离子注入过程期间，衬底处于低于约零摄氏度的温度。

公开(公告)号：US20100248496A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12409880

申请日：2009-03-24

申请人： Zin-Chang WEI ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang

发明人： Zin-Chang WEI ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang

IPC分类号： H01L21/46 ,  F27D11/00 ,  C23C16/46

CPC分类号： H01L21/324 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109

摘要： A semiconductor furnace suitable for chemical vapor deposition processing of wafers. The furnace includes a thermal reaction chamber having a top, a bottom, a sidewall, and an internal cavity for removably holding a batch of vertically stacked wafers. A heating system is provided that includes a plurality of rotatable heaters arranged and operative to heat the chamber. In one embodiment, spacing between the sidewall heaters is adjustable. The heating system controls temperature variations within the chamber and promotes uniform film deposit thickness on the wafers.

摘要翻译： 适用于晶圆化学气相沉积处理的半导体炉。 该炉包括具有顶部，底部，侧壁和用于可拆卸地保持一批垂直堆叠的晶片的内部空腔的热反应室。 提供了一种加热系统，其包括多个可旋转的加热器，其布置并可操作以加热该腔室。 在一个实施例中，侧壁加热器之间的间隔是可调节的。 加热系统控制室内的温度变化并且促进在晶片上均匀的膜沉积物厚度。

公开(公告)号：US09024341B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US12912900

申请日：2010-10-27

申请人： Hsiao-Wen Lee ,  Shang-Yu Tsai ,  Tien-Ming Lin ,  Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Fu-Wen Liu ,  Huai-En Lai ,  Yu-Sheng Tang

发明人： Hsiao-Wen Lee ,  Shang-Yu Tsai ,  Tien-Ming Lin ,  Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Fu-Wen Liu ,  Huai-En Lai ,  Yu-Sheng Tang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/54 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

CPC分类号： H01L33/54 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： Two or more molded ellipsoid lenses are formed on a packaged LED die by injecting a glue material into a mold over the LED die and curing the glue material. After curing, the refractive index of the lens in contact with the LED die is greater than the refractive index of the lens not directly contacting the LED die. At least one phosphor material is incorporated into the glue material for at least one of the lenses not directly contacting the LED die. The lens directly contacting the LED die may also include one or more phosphor material. A high refractive index coating may be applied between the LED die and the lens.

摘要翻译： 在封装的LED模具上形成两个或多个模制的椭圆体透镜，该胶片通过将胶料注入到LED模具中的模具中并固化胶料。 固化后，与LED芯片接触的透镜的折射率大于不直接接触LED芯片的透镜的折射率。 对于不直接接触LED管芯的透镜中的至少一个，将至少一种磷光体材料结合到胶合材料中。 直接接触LED芯片的透镜还可以包括一种或多种荧光体材料。 可以在LED管芯和透镜之间施加高折射率涂层。