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    LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF
    2.
    发明申请
    LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF 有权
    发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号：US20120292629A1

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：US13112046

    申请日：2011-05-20

    申请人： Hsin-Hsien Wu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chun-Lin Chang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuang-Huan Hsu

    发明人： Hsin-Hsien Wu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chun-Lin Chang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuang-Huan Hsu

    IPC分类号： H01L33/60

    CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26593 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

    摘要： A method includes providing an LED element including a substrate and a gallium nitride (GaN) layer disposed on the substrate. The GaN layer is treated. The treatment includes performing an ion implantation process on the GaN layer. The ion implantation process may provide a roughened surface region of the GaN layer. In an embodiment, the ion implantation process is performed at a temperature of less than approximately 25 degrees Celsius. In a further embodiment, the substrate is at a temperature less than approximately zero degrees Celsius during the ion implantation process.

    摘要翻译： 一种方法包括提供包括衬底和设置在衬底上的氮化镓（GaN）层）的LED元件。 处理GaN层。 该处理包括在GaN层上执行离子注入工艺。 离子注入工艺可以提供GaN层的粗糙化表面区域。 在一个实施例中，离子注入过程在小于约25摄氏度的温度下进行。 在另一个实施例中，在离子注入过程期间，衬底处于低于约零摄氏度的温度。

    MULTI-ZONE TEMPERATURE CONTROL FOR SEMICONDUCTOR WAFER
    4.
    发明申请
    MULTI-ZONE TEMPERATURE CONTROL FOR SEMICONDUCTOR WAFER 有权
    用于半导体波形的多区温度控制

    公开(公告)号：US20100210041A1

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：US12370746

    申请日：2009-02-13

    申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

    发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

    摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

    摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体管道，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。

    Multi-zone temperature control for semiconductor wafer
    6.
    发明授权
    Multi-zone temperature control for semiconductor wafer 有权
    半导体晶圆的多区域温度控制

    公开(公告)号：US08404572B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US12370746

    申请日：2009-02-13

    申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

    发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

    摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

    摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体导管，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。

    Optimizing light extraction efficiency for an LED wafer
    9.
    发明授权
    Optimizing light extraction efficiency for an LED wafer 有权
    优化LED晶圆的光提取效率

    公开(公告)号：US09324624B2

    公开(公告)日：2016-04-26

    申请号：US13431165

    申请日：2012-03-27

    申请人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

    发明人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

    IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22

    CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22

    摘要： The present disclosure involves a method of fabricating a light-emitting diode (LED) wafer. The method first determines a target surface morphology for the LED wafer. The target surface morphology yields a maximum light output for LEDs on the LED wafer. The LED wafer is etched to form a roughened wafer surface. Thereafter, using a laser scanning microscope, the method investigates an actual surface morphology of the LED wafer. Afterwards, if the actual surface morphology differs from the target surface morphology beyond an acceptable limit, the method repeats the etching step one or more times. The etching is repeated by adjusting one or more etching parameters.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造发光二极管（LED）晶片的方法。 该方法首先确定LED晶片的目标表面形态。 目标表面形态为LED晶圆上的LED产生最大的光输出。 蚀刻LED晶片以形成粗糙的晶片表面。 此后，使用激光扫描显微镜，该方法研究了LED晶片的实际表面形态。 此后，如果实际的表面形态与目标表面形态不同，超过可接受的极限，则该方法重复一次或多次蚀刻步骤。 通过调整一个或多个蚀刻参数重复蚀刻。