公开(公告)号：US20110018128A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12757440

申请日：2010-04-09

申请人： Hsiu-Ping WEI ,  Shin-Puu JENG ,  Hao-Yi TSAI ,  Hsien-Wei CHEN ,  Yu-Wen LIU ,  Ying-Ju CHEN ,  Tzuan-Horng LIU

发明人： Hsiu-Ping WEI ,  Shin-Puu JENG ,  Hao-Yi TSAI ,  Hsien-Wei CHEN ,  Yu-Wen LIU ,  Ying-Ju CHEN ,  Tzuan-Horng LIU

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor package structure is provided. The structure includes a semiconductor chip having a plurality of interconnect layers formed thereover. A first passivation layer is formed over the plurality of interconnect layers. A stress buffer layer is formed over the first passivation layer. A bonding pad is formed over the stress buffer layer. A second passivation layer is formed over a portion of the bonding pad, the second passivation having at least one opening therein exposing a portion of the bonding pad.

摘要翻译： 提供半导体封装结构。 该结构包括其上形成有多个互连层的半导体芯片。 在多个互连层上形成第一钝化层。 在第一钝化层上形成应力缓冲层。 在应力缓冲层上形成接合焊盘。 在接合焊盘的一部分上形成第二钝化层，第二钝化层具有至少一个开口，露出焊接区的一部分。

公开(公告)号：US20110079922A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12575078

申请日：2009-10-07

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien Wei Chen ,  Hsiu-Ping WEI

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien Wei Chen ,  Hsiu-Ping WEI

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A structure includes a semiconductor substrate having semiconductor devices formed on or in the substrate. An interconnecting metallization structure is formed over and connected to the devices. The interconnecting metallization structure including at least one dielectric layer. A passivation layer is deposited over the interconnecting metallization structure and the dielectric layer. At least one metal contact pad and at least one dummy metal structure are provided in the passivation layer. The contact pad is conductively coupled to at least one of the devices. The dummy metal structure is spaced apart from the contact pad and unconnected to the contact pad and the devices.

摘要翻译： 一种结构包括具有形成在衬底上或衬底中的半导体器件的半导体衬底。 互连金属化结构形成在器件上并连接到器件。 互连金属化结构包括至少一个电介质层。 在互连金属化结构和电介质层上沉积钝化层。 在钝化层中提供至少一个金属接触焊盘和至少一个虚拟金属结构。 接触焊盘导电地耦合到至少一个设备。 虚拟金属结构与接触垫间隔开，并且不连接到接触垫和设备。