公开(公告)号：US20080132024A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11607675

申请日：2006-11-30

申请人： Hung-Lin Chen ,  Shao-Yen Ku

发明人： Hung-Lin Chen ,  Shao-Yen Ku

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/7833

摘要： A method of manufacturing double diffused drains in a semiconductor device. An embodiment comprises forming a gate dielectric layer on a substrate, and masking and patterning the gate dielectric layer. Once the gate dielectric layer has been patterned, a second dielectric layer, having a different depth than the gate dielectric layer, is deposited into the pattern. Once the dielectric layers have been placed into a step form, DDDs are formed by implanting ions through the two dielectric layers, whose different filtering properties form the DDDS. In another embodiment the implantations through the two dielectric layers are performed using different energies to form the different dose regions. In yet another embodiment the implantations are performed using different species (light and heavy), instead of different energies, to form the different dose regions.

摘要翻译： 一种在半导体器件中制造双扩散漏极的方法。 一个实施例包括在衬底上形成栅极电介质层，并掩蔽和图案化栅极电介质层。 一旦对栅介质层进行了图案化，则将具有与栅极电介质层不同的深度的第二介电层沉积到图案中。 一旦电介质层已经被放置成台阶形式，通过将离子注入穿过两个不同的过滤特性形成DDDS的介电层形成DDD。 在另一个实施例中，通过两个介电层的注入是使用不同的能量来进行的，以形成不同的剂量区域。 在另一个实施方案中，使用不同种类（轻和重）代替不同的能量来进行植入以形成不同的剂量区域。

公开(公告)号：US07585737B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11607675

申请日：2006-11-30

申请人： Hung-Lin Chen ,  Shao-Yen Ku

发明人： Hung-Lin Chen ,  Shao-Yen Ku

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/7833

摘要： A method of manufacturing double diffused drains in a semiconductor device. An embodiment comprises forming a gate dielectric layer on a substrate, and masking and patterning the gate dielectric layer. Once the gate dielectric layer has been patterned, a second dielectric layer, having a different depth than the gate dielectric layer, is deposited into the pattern. Once the dielectric layers have been placed into a step form, DDDs are formed by implanting ions through the two dielectric layers, whose different filtering properties form the DDDS. In another embodiment the implantations through the two dielectric layers are performed using different energies to form the different dose regions. In yet another embodiment the implantations are performed using different species (light and heavy), instead of different energies, to form the different dose regions.

摘要翻译： 一种在半导体器件中制造双扩散漏极的方法。 一个实施例包括在衬底上形成栅极电介质层，并掩蔽和图案化栅极电介质层。 一旦对栅介质层进行了图案化，则将具有与栅极电介质层不同的深度的第二介电层沉积到图案中。 一旦电介质层已经被放置成台阶形式，通过将离子注入穿过两个不同的过滤特性形成DDDS的介电层形成DDD。 在另一个实施例中，通过两个介电层的注入是使用不同的能量来进行的，以形成不同的剂量区域。 在另一个实施方案中，使用不同种类（轻和重）代替不同的能量来进行植入以形成不同的剂量区域。

公开(公告)号：US08926762B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13226216

申请日：2011-09-06

申请人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： B08B3/04 ,  B08B3/12

CPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704

摘要： Methods and apparatus for a movable megasonic wafer probe. A method is disclosed including positioning a movable probe on a wafer surface, the movable probe having an open bottom portion that exposes a portion of the wafer surface; applying a liquid onto the wafer surface through a bottom portion of the movable probe; and moving the movable probe at a predetermined scan speed to traverse the wafer surface, applying the liquid to the wafer surface while moving over the wafer surface. In additional embodiments the method includes providing a transducer for applying megasonic energy to the wafer surface. Apparatus embodiments are disclosed including the movable megasonic wafer probe.

摘要翻译： 移动式超声波晶片探针的方法和装置。 公开了一种方法，包括将可移动探针定位在晶片表面上，所述可移动探针具有暴露晶片表面的一部分的开放底部; 通过可移动探针的底部将液体施加到晶片表面上; 并且以预定的扫描速度移动可移动探针以穿过晶片表面，同时在晶片表面上移动时将液体施加到晶片表面。 在另外的实施例中，该方法包括提供用于将兆声波能量施加到晶片表面的换能器。 公开了包括可移动兆声晶片探针的装置实施例。

公开(公告)号：US20130109140A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13414898

申请日：2012-03-08

申请人： Chun-Li Chou ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Yun Tseng ,  Yu-Yen Hsu ,  Tsai-Pao Su ,  Hobin Chen ,  Sheng-Chi Shih

发明人： Chun-Li Chou ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Yun Tseng ,  Yu-Yen Hsu ,  Tsai-Pao Su ,  Hobin Chen ,  Sheng-Chi Shih

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/823425 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A system and method for etching a substrate is provided. An embodiment comprises utilizing an inert carrier gas in order to introduce a liquid etchant to a substrate. The inert carrier gas may prevent undesirable chemical reactions from taking place during the etching process, thereby helping to reduce the number of defects that occur to the substrate and other structures during the etching process.

摘要翻译： 提供了蚀刻基板的系统和方法。 一个实施方案包括使用惰性载气以将液体蚀刻剂引入基底。 惰性载气可以防止在蚀刻过程期间发生不期望的化学反应，从而有助于减少在蚀刻过程期间对基底和其它结构发生的缺陷的数量。

公开(公告)号：US08916429B2

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US13459379

申请日：2012-04-30

申请人： Chun-Li Chou ,  Shao-Yen Ku ,  Pei-Hung Chen ,  Jui-Ping Chuang

发明人： Chun-Li Chou ,  Shao-Yen Ku ,  Pei-Hung Chen ,  Jui-Ping Chuang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/088 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848

摘要： Some embodiments relate to a manufacturing method for a semiconductor device. In this method, a semiconductor workpiece, which includes a metal gate electrode thereon, is provided. An opening is formed in the semiconductor workpiece to expose a surface of the metal gate. Formation of the opening leaves a polymeric residue on the workpiece. To remove the polymeric residue from the workpiece, a cleaning solution that includes an organic alkali component is used.

摘要翻译： 一些实施例涉及半导体器件的制造方法。 在该方法中，提供了包括其上的金属栅电极的半导体工件。 在半导体工件中形成开口以暴露金属栅极的表面。 开口的形成在工件上留下聚合物残留物。 为了从工件中除去聚合物残渣，使用包含有机碱组分的清洁溶液。

公开(公告)号：US20100178772A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12354394

申请日：2009-01-15

申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device. The method includes providing a semiconductor substrate having a first region and a second region, forming a high-k dielectric layer over the semiconductor substrate, forming a first metal layer and a first silicon layer by an in-situ deposition process, patterning the first silicon layer to remove a portion overlying the second region, patterning the first metal layer using the patterned first silicon layer as a mask, and removing the patterned first silicon layer including applying a solution. The solution includes a first component having an [F—] concentration greater than 0.01 M, a second component configured to adjust a pH of the solution from about 4.3 to about 6.7, and a third component configured to adjust a potential of the solution to be greater than −1.4 volts.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造半导体器件的方法。 该方法包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在半导体衬底上形成高k电介质层，通过原位沉积工艺形成第一金属层和第一硅层，图案化第一硅 以去除覆盖在第二区域上的部分，使用图案化的第一硅层作为掩模来图案化第一金属层，以及去除图案化的第一硅层，包括施加溶液。 该溶液包括具有大于0.01M的[F-]浓度的第一组分，被配置为将溶液的pH调节至约4.3至约6.7的第二组分，以及将溶液的电位调节为 大于-1.4伏。

公开(公告)号：US06455405B1

公开(公告)日：2002-09-24

申请号：US10055093

申请日：2002-01-23

申请人： Shao-Yen Ku

发明人： Shao-Yen Ku

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/823462 ,  Y10S438/966 ,  Y10S438/981

摘要： A method for forming dual thickness gate oxide layers comprising the following steps. A structure having at least a first area and a second area is provided. The second area of the structure is masked. Ion implanting Si4+ or Ge4+ ions into the unmasked first area of the structure to form an amorphous layer within the first area of the structure. The second area of the structure is unmasked. The first and second areas of the structure are oxidized to form: a first gate oxide layer upon the structure within the first area; and a second gate oxide layer upon the structure within the second area. The first gate oxide layer having a greater thickness than the second gate oxide layer, completing formation of the dual thickness gate oxide layers.

摘要翻译： 一种形成双厚度栅极氧化物层的方法，包括以下步骤。 提供具有至少第一区域和第二区域的结构。 结构的第二个区域被掩盖。 离子将Si4 +或Ge4 +离子注入到结构的未掩蔽的第一区域中，以在结构的第一区域内形成非晶层。 结构的第二个区域被揭开。 该结构的第一和第二区域被氧化以形成：在第一区域内的结构上的第一栅极氧化物层; 以及在第二区域内的结构上的第二栅极氧化物层。 第一栅极氧化物层具有比第二栅极氧化物层更大的厚度，完成双厚度栅极氧化物层的形成。

公开(公告)号：US09997384B2

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：US13309283

申请日：2011-12-01

申请人： Shao-Yen Ku ,  Ming-Jung Chen ,  Tzu Yang Chung ,  Chi-Yun Tseng ,  Rui-Ping Chuang

发明人： Shao-Yen Ku ,  Ming-Jung Chen ,  Tzu Yang Chung ,  Chi-Yun Tseng ,  Rui-Ping Chuang

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67201

摘要： An apparatus comprises a process chamber, and a loadlock connected to the process chamber. The loadlock is configured to have a wafer holder disposed therein. The wafer holder is configured to store a plurality of wafers, and is configured to transport the plurality of wafers away from the loadlock.

公开(公告)号：US08518634B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13022931

申请日：2011-02-08

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Yu-Fu Lin ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Yu-Fu Lin ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828

摘要： A method of making an integrated circuit is provided. The method includes providing a substrate having a photosensitive layer. The photosensitive layer is exposed to a radiation beam. The exposed photosensitive layer is developed in a first chamber. In the first chamber, a cleaning process is performed on the developed photosensitive layer. The cleaning process includes using a rinse solution including at least one of ozone, hydrogen peroxide, and oxalic acid.

摘要翻译： 提供一种制造集成电路的方法。 该方法包括提供具有感光层的基底。 感光层暴露于辐射束。 曝光的感光层在第一室中显影。 在第一室中，对显影的感光层进行清洁处理。 清洁方法包括使用包括臭氧，过氧化氢和草酸中的至少一种的冲洗溶液。

公开(公告)号：US20130056031A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13226216

申请日：2011-09-06

申请人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： B08B7/04

CPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704

摘要： Methods and apparatus for a movable megasonic wafer probe. A method is disclosed including positioning a movable probe on a wafer surface, the movable probe having an open bottom portion that exposes a portion of the wafer surface; applying a liquid onto the wafer surface through a bottom portion of the movable probe; and moving the movable probe at a predetermined scan speed to traverse the wafer surface, applying the liquid to the wafer surface while moving over the wafer surface. In additional embodiments the method includes providing a transducer for applying megasonic energy to the wafer surface. Apparatus embodiments are disclosed including the movable megasonic wafer probe.

摘要翻译： 移动式超声波晶片探针的方法和装置。 公开了一种方法，包括将可移动探针定位在晶片表面上，所述可移动探针具有暴露晶片表面的一部分的开放底部; 通过可移动探针的底部将液体施加到晶片表面上; 并且以预定的扫描速度移动可移动探针以穿过晶片表面，同时在晶片表面上移动时将液体施加到晶片表面。 在另外的实施例中，该方法包括提供用于将兆声波能量施加到晶片表面的换能器。 公开了包括可移动兆声晶片探针的装置实施例。