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    Methods and apparatus for forming a titanium nitride layer
    2.
    发明申请
    Methods and apparatus for forming a titanium nitride layer 审中-公开
    用于形成氮化钛层的方法和装置

    公开(公告)号：US20060110533A1

    公开(公告)日：2006-05-25

    申请号：US11281163

    申请日：2005-11-17

    申请人： Wan-Goo Hwang ,  Myeong-Jin Kim ,  Seung-Ki Chae ,  Hyun-Seok Lim ,  Kyoung-Ho Jang

    发明人： Wan-Goo Hwang ,  Myeong-Jin Kim ,  Seung-Ki Chae ,  Hyun-Seok Lim ,  Kyoung-Ho Jang

    IPC分类号： C23C16/00 ,  B05C11/00

    CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67757

    摘要： A method of forming a titanium nitride layer by an atomic layer deposition process using a batch-type vertical reaction furnace is described wherein a first source gas including a titanium precursor is provided onto substrates loaded in a process chamber for a first time period; a first purge gas is introduced into the process chamber for a second time period shorter than the first time period; a second source gas including nitrogen is provided onto the substrates for a third time period substantially identical to the first time period; and, a second purge gas is introduced into the process chamber for a fourth time period substantially identical to the second time period. Titanium nitride layers having uniform thickness and good step coverage may thus be formed while realizing a greatly reduced manufacturing time.

    摘要翻译： 描述了通过使用间歇式立式反应炉的原子层沉积工艺形成氮化钛层的方法，其中包括钛前体的第一源气体在第一时间段内被装载到处理室中的基板上; 将第一吹扫气体引入处理室中比第一时间段短的第二时间段; 包括氮的第二源气体在基板上提供与第一时间段基本相同的第三时间段; 并且将第二吹扫气体与第二时间段基本相同的第四时间段引入到处理室中。 因此可以在实现大大缩短的制造时间的同时形成具有均匀厚度和良好阶梯覆盖的氮化钛层。

    Methods and apparatus for forming a titanium nitride layer
    7.
    发明申请
    Methods and apparatus for forming a titanium nitride layer 审中-公开
    用于形成氮化钛层的方法和装置

    公开(公告)号：US20060110534A1

    公开(公告)日：2006-05-25

    申请号：US11281774

    申请日：2005-11-17

    申请人： Wan-Goo Hwang ,  Seung-Ki Chae ,  Young-Kyou Park ,  Jung-Il Ahn ,  Kyoung-Ho Jang ,  Myeong-Jin Kim

    发明人： Wan-Goo Hwang ,  Seung-Ki Chae ,  Young-Kyou Park ,  Jung-Il Ahn ,  Kyoung-Ho Jang ,  Myeong-Jin Kim

    IPC分类号： C23C16/00 ,  B05C11/00

    CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546

    摘要： A method of forming titanium nitride layers by an atomic layer deposition process using a batch-type vertical reaction furnace is described wherein the titanium nitride layers are formed on one or more substrates in accordance with a reaction between a first source gas including TiCl4 gas and a second source gas including an NH3 gas. After forming the titanium nitride layers, chlorine remaining in the titanium nitride layers is removed using a treatment gas which includes an NH3 gas. The substrates are revolved by a predetermined rotation angle between repeated titanium nitride layer formation cycles. The process of forming the titanium nitride layers and rotating the substrates is alternately repeated resulting in titanium nitride layers having substantially uniform thicknesses and low specific resistance.

    摘要翻译： 其中描述了通过使用分批式立式反应炉的原子层沉积工艺形成氮化钛层的方法，其中根据包括TiCl 3的第一源气体之间的反应在一个或多个衬底上形成氮化钛层， 4气体和包括NH 3气体的第二源气体。 在形成氮化钛层之后，使用包括NH 3气体的处理气体除去残留在氮化钛层中的氯。 在重复的氮化钛层形成循环之间，基板旋转预定的旋转角度。 交替地重复形成氮化钛层和旋转衬底的过程，导致具有基本均匀的厚度和低电阻率的氮化钛层。