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    Semiconductor memory devices
    2.
    发明授权
    Semiconductor memory devices 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US08824184B2

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US13587476

    申请日：2012-08-16

    申请人： Ingyu Baek ,  Chanjin Park ,  Hyunsu Ju

    发明人： Ingyu Baek ,  Chanjin Park ,  Hyunsu Ju

    IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C8/14 ,  G11C7/18 ,  G11C5/06

    CPC分类号： G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A semiconductor memory device includes a stacked structure including a plurality of wordline structures sequentially stacked that each include: a plurality of wordlines with sidewalls and extending in a first direction on the substrate, and a connecting pad extending in a second direction on the substrate and being connected in common to the plurality of wordlines. A plurality of interconnections at a height over the substrate are connected to the connecting pads of the wordline structures, respectively. The device further includes bitlines substantially vertical to a top surface of the substrate and crossing one of the sidewalls of the plurality of wordlines, and memory elements between the bitlines and the plurality of wordlines, respectively. A length of the connecting pad in the second direction is substantially equal to a product of a minimum pitch between the interconnections and a stack number of one of the plurality of wordlines.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括堆叠结构，其包括顺序层叠的多个字线结构，每个字线包括：具有侧壁并在衬底上沿第一方向延伸的多个字线，以及在衬底上沿第二方向延伸的连接焊盘， 与多个字线共同连接。 在衬底上的高度处的多个互连分别连接到字线结构的连接焊盘。 该装置还包括基本上垂直于衬底的顶表面并且跨越多个字线的侧壁中的一个以及位线和多个字线之间的存储元件的位线。 连接焊盘在第二方向上的长度基本上等于互连之间的最小间距和多个字线之一的堆叠数的乘积。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    3.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20100271862A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：US12765411

    申请日：2010-04-22

    申请人： HongSik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyunjun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： HongSik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyunjun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/00

    CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77

    摘要： A nonvolatile memory device includes resistive memory devices in a three-dimensional structure. A block select circuit generates a block select signal for selecting a memory block. In response to the block select signal, local word line selection units connected to each memory block connect global word lines connected to a word line decoder and local word lines, and local bit line selection units connected to each memory block connect global bit lines connected to a sense amplifier and local bit lines. Each memory block includes local word lines which extend in a first direction and are stacked in a second direction perpendicular to the first direction on a second plane perpendicular to a first plane. Local bit lines extend in the second direction to cross local word lines. Memory cells are formed at cross-points where local word lines and local bit lines cross one another.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括三维结构中的电阻式存储器件。 块选择电路产生用于选择存储块的块选择信号。 响应于块选择信号，连接到每个存储器块的局部字线选择单元连接连接到字线解码器和本地字线的全局字线，并且连接到每个存储器块的局部位线选择单元将连接到 一个读出放大器和本地位线。 每个存储块包括在垂直于第一平面的第二平面上沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向堆叠的局部字线。 局部位线在第二个方向上延伸以跨越局部字线。 存储单元在本地字线和局部位线交叉的交点处形成。

    Semiconductor memory device
    4.
    发明授权
    Semiconductor memory device 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US08264018B2

    公开(公告)日：2012-09-11

    申请号：US12777683

    申请日：2010-05-11

    申请人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： H01L29/80

    CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/249

    摘要： Provided is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device may include a local bitline extending in a direction substantially vertical to an upper surface of a semiconductor substrate and a local wordline intersecting the local bitline. The local bitline is electrically connected to a bitline channel pillar penetrating a gate of a bitline transistor, and the local wordline is electrically connected to a wordline channel pillar penetrating a gate of a wordline transistor.

    摘要翻译： 提供了一种半导体存储器件。 半导体存储器件可以包括在基本上垂直于半导体衬底的上表面的方向上延伸的局部位线和与局部位线相交的局部字线。 局部位线电连接到贯穿位线晶体管的栅极的位线通道柱，并且本地字线电连接到贯穿字线晶体管的栅极的字线通道柱。

    Resistance memory devices and methods of forming the same
    5.
    发明授权
    Resistance memory devices and methods of forming the same 有权
    电阻记忆装置及其形成方法

    公开(公告)号：US08581364B2

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US12963148

    申请日：2010-12-08

    申请人： KyungTae Nam ,  Ingyu Baek

    发明人： KyungTae Nam ,  Ingyu Baek

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/085 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

    摘要： Provided are resistance memory devices and methods of forming the same. The resistance memory devices include a first electrode and a second electrode on a substrate, a transition metal oxide layer interposed between the first electrode and the second electrode, an electrolyte layer interposed between the second electrode and the transition metal oxide layer, and conductive bridges having one end that is electrically connected to the second electrode on the electrolyte.

    摘要翻译： 提供电阻记忆装置及其形成方法。 电阻存储器件包括衬底上的第一电极和第二电极，介于第一电极和第二电极之间的过渡金属氧化物层，介于第二电极和过渡金属氧化物层之间的电解质层，以及具有 一端与电解质上的第二电极电连接。

    Nonvolatile memory device
    6.
    发明授权
    Nonvolatile memory device 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08331152B2

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US12765411

    申请日：2010-04-22

    申请人： HongSik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyunjun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： HongSik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyunjun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77

    摘要： A nonvolatile memory device includes resistive memory devices in a three-dimensional structure. A block select circuit generates a block select signal for selecting a memory block. In response to the block select signal, local word line selection units connected to each memory block connect global word lines connected to a word line decoder and local word lines, and local bit line selection units connected to each memory block connect global bit lines connected to a sense amplifier and local bit lines. Each memory block includes local word lines which extend in a first direction and are stacked in a second direction perpendicular to the first direction on a second plane perpendicular to a first plane. Local bit lines extend in the second direction to cross local word lines. Memory cells are formed at cross-points where local word lines and local bit lines cross one another.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括三维结构中的电阻式存储器件。 块选择电路产生用于选择存储块的块选择信号。 响应于块选择信号，连接到每个存储器块的局部字线选择单元连接连接到字线解码器和本地字线的全局字线，并且连接到每个存储器块的局部位线选择单元将连接到 一个读出放大器和本地位线。 每个存储块包括在垂直于第一平面的第二平面上沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向堆叠的局部字线。 局部位线在第二个方向上延伸以跨越局部字线。 存储单元在本地字线和局部位线交叉的交点处形成。

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    7.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US20120306004A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：US13585119

    申请日：2012-08-14

    申请人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/249

    摘要： Provided is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device may include a local bitline extending in a direction substantially vertical to an upper surface of a semiconductor substrate and a local wordline intersecting the local bitline. The local bitline is electrically connected to a bitline channel pillar penetrating a gate of a bitline transistor, and the local wordline is electrically connected to a wordline channel pillar penetrating a gate of a wordline transistor.

    摘要翻译： 提供了一种半导体存储器件。 半导体存储器件可以包括在基本上垂直于半导体衬底的上表面的方向上延伸的局部位线和与局部位线相交的局部字线。 局部位线电连接到贯穿位线晶体管的栅极的位线通道柱，并且本地字线电连接到贯穿字线晶体管的栅极的字线通道柱。

    RESISTANCE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME
    8.
    发明申请
    RESISTANCE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
    电阻记忆体装置及其形成方法

    公开(公告)号：US20110193051A1

    公开(公告)日：2011-08-11

    申请号：US12963148

    申请日：2010-12-08

    申请人： KyungTae NAM ,  Ingyu Baek

    发明人： KyungTae NAM ,  Ingyu Baek

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/085 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

    摘要： Provided are resistance memory devices and methods of forming the same. The resistance memory devices include a first electrode and a second electrode on a substrate, a transition metal oxide layer interposed between the first electrode and the second electrode, an electrolyte layer interposed between the second electrode and the transition metal oxide layer, and conductive bridges having one end that is electrically connected to the second electrode on the electrolyte.

    摘要翻译： 提供电阻记忆装置及其形成方法。 电阻存储器件包括衬底上的第一电极和第二电极，介于第一电极和第二电极之间的过渡金属氧化物层，介于第二电极和过渡金属氧化物层之间的电解质层，以及具有 一端与电解质上的第二电极电连接。