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    RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
    1.
    发明申请
    RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP 有权
    辐射发射半导体芯片

    公开(公告)号：US20110260205A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：US13123421

    申请日：2009-10-29

    申请人： Jürgen Moosburger ,  Norwin Von Malm ,  Patrick Rode ,  Lutz Höppel ,  Karl Engl

    发明人： Jürgen Moosburger ,  Norwin Von Malm ,  Patrick Rode ,  Lutz Höppel ,  Karl Engl

    IPC分类号： H01L33/62

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L25/167 ,  H01L33/005 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

    摘要： A radiation-emitting semiconductor chip includes a carrier and a semiconductor body having a semiconductor layer sequence, wherein an emission region and a protective diode region are formed in the semiconductor body having the semiconductor layer sequence; the semiconductor layer sequence includes an active region that generates radiation, the active region being arranged between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer; the first semiconductor layer is arranged on a side of the active region which faces away from the carrier; the emission region has a recess extending through the active region; the first semiconductor layer in the emission region is electrically conductively connected to a first connection layer, wherein the first connection layer extends in the recess from the first semiconductor layer toward the carrier; and the first connection layer in the protective diode region is electrically conductively connected to the second semiconductor layer.

    摘要翻译： 辐射发射半导体芯片包括具有半导体层序列的载体和半导体本体，其中在具有半导体层序列的半导体主体中形成发光区域和保护二极管区域; 所述半导体层序列包括产生辐射的有源区，所述有源区布置在第一半导体层和第二半导体层之间; 第一半导体层布置在有源区的背离载体的一侧; 发射区域具有延伸穿过有源区域的凹部; 发射区域中的第一半导体层导电地连接到第一连接层，其中第一连接层在凹部中从第一半导体层朝向载体延伸; 并且保护二极管区域中的第一连接层与第二半导体层导电连接。

    METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 有权
    用于生产光电半导体芯片的方法和光电半导体芯片

    公开(公告)号：US20130140598A1

    公开(公告)日：2013-06-06

    申请号：US13704600

    申请日：2011-05-26

    申请人： Lutz Höppel ,  Norwin Von Malm

    发明人： Lutz Höppel ,  Norwin Von Malm

    IPC分类号： H01L33/46 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising the following steps: providing an n-conducting layer (2), arranging a p-conducting layer (4) on the n-conducting layer (2), arranging a metal layer sequence (5) on the p-conducting layer (4),arranging a mask (6) at that side of the metal layer sequence (5) which is remote from the p-conducting layer (4),in places removing the metal layer sequence (5) and uncovering the p-conducting layer (4) using the mask (6), and in places neutralizing or removing the uncovered regions (4a) of the p-conducting layer (4) as far as the n-conducting layer (2) using the mask (6), wherein the metal layer sequence (5) comprises at least one mirror layer (51) and a barrier layer (52), and the mirror layer (51) of the metal layer sequence (5) faces the p-conducting layer (4).

    摘要翻译： 规定了光电子半导体芯片的制造方法，包括以下步骤：在n导电层（2）上设置n导电层（2），配置p导电层（4），配置金属层序列 （5）在p导电层（4）上，在远离导电层（4）的金属层序列（5）的该侧布置掩模（6），去除金属层序列 （5），并且使用掩模（6）露出p导电层（4），并且在中和或去除p导电层（4）的未覆盖区域（4a）的地方，直到n导电层（ 2）使用掩模（6），其中金属层序列（5）包括至少一个镜层（51）和阻挡层（52），并且金属层序列（5）的镜层（51）面向 p导电层（4）。

    Lighting apparatus
    3.
    发明授权
    Lighting apparatus 有权
    照明设备

    公开(公告)号：US09179507B2

    公开(公告)日：2015-11-03

    申请号：US13821551

    申请日：2011-07-25

    申请人： Siegfried Herrmann ,  Norwin Von Malm ,  Lutz Höppel

    发明人： Siegfried Herrmann ,  Norwin Von Malm ,  Lutz Höppel

    IPC分类号： H05B37/00 ,  H05B33/08 ,  H01L41/04 ,  H01L41/107 ,  F21L13/06

    CPC分类号： H05B33/08 ,  F21L13/06 ,  H01L41/044 ,  H01L41/107 ,  H05B33/0809

    摘要： What is specified is: a lighting apparatus, with a piezoelectric transformer (1), which has a mounting face (10), on which at least two output-side connection points (11) are arranged, and at least one substrateless light-emitting diode (2), which is designed to generate electromagnetic radiation, wherein the at least one substrateless light-emitting diode (2) is fitted at least indirectly to the mounting face (10) and fastened mechanically to the mounting face (10), and the at least one substrateless light-emitting diode (2) is electrically conductively connected to at least two of the output-side connection points (11).

    摘要翻译： 具体实施方式是：具有压电变压器（1）的照明装置，其具有安装面（10），至少两个输出侧连接点（11）配置在所述安装面上，以及至少一个无基板发光 被设计成产生电磁辐射的二极管（2），其中所述至少一个无基板发光二极管（2）至少间接地装配到所述安装面（10）并机械地紧固到所述安装面（10），以及 所述至少一个无衬底发光二极管（2）与所述输出侧连接点（11）中的至少两个导电地连接。

    LIGHTING APPARATUS
    4.
    发明申请
    LIGHTING APPARATUS 有权
    照明设备

    公开(公告)号：US20130229793A1

    公开(公告)日：2013-09-05

    申请号：US13821551

    申请日：2011-07-25

    申请人： Siegfried Herrmann ,  Norwin Von Malm ,  Lutz Höppel

    发明人： Siegfried Herrmann ,  Norwin Von Malm ,  Lutz Höppel

    IPC分类号： H05B33/08 ,  F21L13/06

    CPC分类号： H05B33/08 ,  F21L13/06 ,  H01L41/044 ,  H01L41/107 ,  H05B33/0809

    摘要： What is specified is: a lighting apparatus, with a piezoelectric transformer (1), which has a mounting face (10), on which at least two output-side connection points (11) are arranged, and at least one substrateless light-emitting diode (2), which is designed to generate electromagnetic radiation, wherein the at least one substrateless light-emitting diode (2) is fitted at least indirectly to the mounting face (10) and fastened mechanically to the mounting face (10), and the at least one substrateless light-emitting diode (2) is electrically conductively connected to at least two of the output-side connection points (11).

    摘要翻译： 具体实施方式是：具有压电变压器（1）的照明装置，其具有安装面（10），至少两个输出侧连接点（11）配置在所述安装面上，以及至少一个无基板发光 被设计成产生电磁辐射的二极管（2），其中所述至少一个无基板发光二极管（2）至少间接地装配到所述安装面（10）并机械地紧固到所述安装面（10），以及 所述至少一个无衬底发光二极管（2）与所述输出侧连接点（11）中的至少两个导电地连接。

    Method for producing an optoelectronic semiconductor chip, and optoelectronic semiconductor chip
    5.
    发明授权
    Method for producing an optoelectronic semiconductor chip, and optoelectronic semiconductor chip 有权
    制造光电半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

    公开(公告)号：US09257612B2

    公开(公告)日：2016-02-09

    申请号：US13704600

    申请日：2011-05-26

    申请人： Lutz Höppel ,  Norwin Von Malm

    发明人： Lutz Höppel ,  Norwin Von Malm

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/38 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20

    CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising the following steps: providing an n-conducting layer (2), arranging a p-conducting layer (4) on the n-conducting layer (2), arranging a metal layer sequence (5) on the p-conducting layer (4), arranging a mask (6) at that side of the metal layer sequence (5) which is remote from the p-conducting layer (4), in places removing the metal layer sequence (5) and uncovering the p-conducting layer (4) using the mask (6), and in places neutralizing or removing the uncovered regions (4a) of the p-conducting layer (4) as far as the n-conducting layer (2) using the mask (6), wherein the metal layer sequence (5) comprises at least one mirror layer (51) and a barrier layer (52), and the mirror layer (51) of the metal layer sequence (5) faces the p-conducting layer (4).

    摘要翻译： 规定了光电子半导体芯片的制造方法，包括以下步骤：在n导电层（2）上设置n导电层（2），配置p导电层（4），配置金属层序列 （5）在p导电层（4）上，在远离导电层（4）的金属层序列（5）的该侧布置掩模（6），去除金属层序列 （5），并且使用掩模（6）露出p导电层（4），并且在中和或去除p导电层（4）的未覆盖区域（4a）的地方，直到n导电层（ 2）使用掩模（6），其中金属层序列（5）包括至少一个镜层（51）和阻挡层（52），并且金属层序列（5）的镜层（51）面向 p导电层（4）。

    Optoelectronic Component
    8.
    发明申请
    Optoelectronic Component 有权
    光电元件

    公开(公告)号：US20120032211A1

    公开(公告)日：2012-02-09

    申请号：US12680324

    申请日：2008-08-06

    申请人： Florian Schindler ,  Benjamin Claus Krummacher ,  Norwin Von Malm ,  Dirk Berben ,  Frank Jermann ,  Martin Zachau

    发明人： Florian Schindler ,  Benjamin Claus Krummacher ,  Norwin Von Malm ,  Dirk Berben ,  Frank Jermann ,  Martin Zachau

    IPC分类号： H01L33/50

    CPC分类号： H01L51/5265 ,  H01L27/322

    摘要： An optoelectronic component comprises an organic layer sequence (1), which emits an electromagnetic radiation (15) having a first wavelength spectrum during operation, and also a dielectric layer sequence (2) and a wavelength conversion region (3) in the beam path of the electromagnetic radiation (15) emitted by the organic layer sequence (1). The wavelength conversion region (3) is configured to convert at least partially electromagnetic radiation having the first wavelength spectrum into an electromagnetic radiation (16) having a second wavelength spectrum. The dielectric layer sequence (2) is arranged in the beam path of the electromagnetic radiation (15) emitted by the organic layer sequence between the organic layer sequence (1) and the wavelength conversion region (3) and is at least partially opaque to an electromagnetic radiation having a third wavelength spectrum, which corresponds to at least one part of the second wavelength spectrum.

    摘要翻译： 光电子部件包括在操作期间发射具有第一波长光谱的电磁辐射（15）的有机层序列（1），以及在光束路径中的介电层序列（2）和波长转换区域（3） 由有机层序列（1）发射的电磁辐射（15）。 波长转换区域（3）被配置为将具有第一波长频谱的至少部分电磁辐射转换成具有第二波长谱的电磁辐射（16）。 电介质层序列（2）被布置在有机层序列（1）和波长转换区域（3）之间由有机层序列发射的电磁辐射（15）的光束路径中，并且对于 具有对应于第二波长光谱的至少一部分的第三波长光谱的电磁辐射。

    Opto-electronic component
    9.
    发明授权
    Opto-electronic component 有权
    光电元件

    公开(公告)号：US08314547B2

    公开(公告)日：2012-11-20

    申请号：US12679138

    申请日：2008-08-04

    申请人： Markus Klein ,  Norwin Von Malm ,  Benjamin Claus Krummacher

    发明人： Markus Klein ,  Norwin Von Malm ,  Benjamin Claus Krummacher

    IPC分类号： H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/5036 ,  H01L51/5262

    摘要： An optoelectronic device comprises an organic layer sequence (1), which emits an electromagnetic radiation (15) having a first wavelength spectrum during operation, and also a structured layer (2) which is disposed downstream of the organic layer sequence (1) in the beam path of the electromagnetic radiation (15) emitted by the organic layer sequence (1) and has first and second regions (2A, 2B). In this case, the first regions (2A) each have a wavelength conversion layer (3) designed to convert at least partially electromagnetic radiation (15) having the first wavelength spectrum into an electromagnetic radiation (16) having a second wavelength spectrum. Furthermore, the second regions (2B) each have a filter layer (4), which is opaque to an electromagnetic radiation having a third wavelength spectrum, which corresponds to at least one part of the second wavelength spectrum.

    摘要翻译： 光电子器件包括在操作期间发射具有第一波长光谱的电磁辐射（15）的有机层序列（1），以及设置在有机层序列（1）的下游的结构化层（2） 由有机层序列（1）发射的电磁辐射（15）的光束路径，并具有第一和第二区域（2A，2B）。 在这种情况下，第一区域（2A）各自具有被设计成将具有第一波长谱的至少部分电磁辐射（15）转换成具有第二波长谱的电磁辐射（16）的波长转换层（3）。 此外，第二区域（2B）各自具有过滤层（4），其对于具有第三波长谱的电磁辐射是不透明的，其对应于第二波长频谱的至少一部分。

    Method for the Producing of a Light-Emitting Semiconductor Chip, Method for the Production of a Conversion Die and Light-Emitting Semiconductor Chip
    10.
    发明申请
    Method for the Producing of a Light-Emitting Semiconductor Chip, Method for the Production of a Conversion Die and Light-Emitting Semiconductor Chip 有权
    用于制造发光半导体芯片的方法，用于制造转换晶片和发光半导体芯片的方法

    公开(公告)号：US20120273807A1

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：US13098240

    申请日：2011-04-29

    申请人： Norwin Von Malm ,  Madis Raukas ,  Darshan Kundaliya

    发明人： Norwin Von Malm ,  Madis Raukas ,  Darshan Kundaliya

    IPC分类号： H01L33/50 ,  B05D3/06 ,  C23C14/04

    CPC分类号： H05B33/10 ,  H01L27/156 ,  H01L2933/0041

    摘要： A light-emitting semiconductor chip is provided, the semiconductor chip comprising a semiconductor body having a pixel region with at least two electrically isolated sub-regions, each sub-region comprising an active layer, which generates electromagnetic radiation of a first wavelength range during operation, a separately manufactured ceramic conversion die over a radiation emission area of at least one sub-region, said conversion die being configured to convert radiation of the first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range, wherein a width of the conversion die does not exceed 100 μm. Further, a method for the production of a light-emitting semiconductor chip and method for the production of a conversion die are provided.

    摘要翻译： 提供了一种发光半导体芯片，所述半导体芯片包括具有至少两个电隔离子区域的像素区域的半导体本体，每个子区域包括有源层，其在操作期间产生第一波长范围的电磁辐射 ，在至少一个子区域的辐射发射区域上分开制造的陶瓷转换管芯，所述转换管芯被配置为将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射，其中转换管芯的宽度 不超过100μm。 此外，提供了一种制造发光半导体芯片的方法和用于制造转换晶片的方法。