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    Method for making composite material
    1.
    发明授权
    Method for making composite material 有权
    制作复合材料的方法

    公开(公告)号：US08298623B2

    公开(公告)日：2012-10-30

    申请号：US12592497

    申请日：2009-11-25

    申请人： Jia-Ping Wang ,  Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

    发明人： Jia-Ping Wang ,  Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

    IPC分类号： B05D3/04

    CPC分类号： B01J35/002 ,  B01J21/185 ,  B01J35/0013 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2927

    摘要： A method for fabricating a composite material includes providing a free-standing carbon nanotube structure having a plurality of carbon nanotubes, introducing at least two reacting materials into the carbon nanotube structure to form a reacting layer, activating the reacting materials to grow a plurality of nanoparticles, wherein the nanoparticles are spaced from each other and coated on a surface of each of the carbon nanotubes of the carbon nanotube structure.

    摘要翻译： 一种制备复合材料的方法包括提供具有多个碳纳米管的独立碳纳米管结构，将至少两个反应材料引入到碳纳米管结构中以形成反应层，活化反应材料以生长多个纳米颗粒 ，其中所述纳米颗粒彼此间隔开并涂覆在所述碳纳米管结构的每个碳纳米管的表面上。

    Phase change memory cell
    7.
    发明授权
    Phase change memory cell 有权
    相变存储单元

    公开(公告)号：US09099644B2

    公开(公告)日：2015-08-04

    申请号：US13332480

    申请日：2011-12-21

    申请人： Peng Liu ,  Qun-Qing Li ,  Kai-Li Jiang ,  Shou-Shan Fan

    发明人： Peng Liu ,  Qun-Qing Li ,  Kai-Li Jiang ,  Shou-Shan Fan

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/1226 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/144

    摘要： A phase change memory cell includes a first circuit and a second circuit. The first circuit comprises a first electrode, a carbon nanotube layer and a second electrode electrically connected in series. The first circuit is adapted to write data into the phase change memory cell or reset the phase change memory cell. The second circuit comprises a third electrode, a phase change layer and a fourth electrode electrically connected in series, at least part of the phase change layer is overlapped with the carbon nanotube layer. The second circuit is adapted to read data from the phase change memory cell or reset the phase change memory cell.

    摘要翻译： 相变存储单元包括第一电路和第二电路。 第一电路包括第一电极，碳纳​​米管层和串联电连接的第二电极。 第一电路适于将数据写入相变存储单元或复位相变存储单元。 第二电路包括第三电极，相变层和串联电连接的第四电极，至少部分相变层与碳纳米管层重叠。 第二电路适于从相变存储单元读取数据或者复位相变存储单元。