公开(公告)号：US09355819B2

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：US14460683

申请日：2014-08-15

申请人： John C. Forster ,  Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Tai T. Ngo ,  Kevin Griffin ,  Kenneth S. Collins ,  Ren Liu

发明人： John C. Forster ,  Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Tai T. Ngo ,  Kevin Griffin ,  Kenneth S. Collins ,  Ren Liu

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

摘要： A modular plasma source assembly for use with a processing chamber is described. The assembly includes an RF hot electrode with an end dielectric and a sliding ground connection positioned adjacent the sides of the electrode. A seal foil connects the sliding ground connection to the housing to provide a grounded sliding ground connection separated from the hot electrode by the end dielectric. A coaxial feed line passes through a conduit into the RF hot electrode isolated from the processing environment so that the coaxial RF feed line is at atmospheric pressure while the plasma processing region is at reduced pressure.

摘要翻译： 描述了与处理室一起使用的模块化等离子体源组件。 该组件包括具有端电介质的RF热电极和邻近电极侧面定位的滑动接地连接。 密封箔将滑动接地连接到壳体，以提供通过端部电介质与热电极分离的接地滑动接地连接。 同轴馈电线通过导管进入与处理环境隔离的RF热电极，使得同轴RF馈电线处于大气压力，同时等离子体处理区域处于减压状态。

公开(公告)号：US20150048739A1

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：US14460683

申请日：2014-08-15

申请人： John C. Forster ,  Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Tai T. Ngo ,  Kevin Griffin ,  Kenneth S. Collins ,  Ren Liu

发明人： John C. Forster ,  Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Tai T. Ngo ,  Kevin Griffin ,  Kenneth S. Collins ,  Ren Liu

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

摘要： A modular plasma source assembly for use with a processing chamber is described. The assembly includes an RF hot electrode with an end dielectric and a sliding ground connection positioned adjacent the sides of the electrode. A seal foil connects the sliding ground connection to the housing to provide a grounded sliding ground connection separated from the hot electrode by the end dielectric. A coaxial feed line passes through a conduit into the RF hot electrode isolated from the processing environment so that the coaxial RF feed line is at atmospheric pressure while the plasma processing region is at reduced pressure.

摘要翻译： 描述了与处理室一起使用的模块化等离子体源组件。 该组件包括具有端电介质的RF热电极和邻近电极侧面定位的滑动接地连接。 密封箔将滑动接地连接到壳体，以提供通过端部电介质与热电极分离的接地滑动接地连接。 同轴馈电线通过导管进入与处理环境隔离的RF热电极，使得同轴RF馈电线处于大气压力，同时等离子体处理区域处于减压状态。

公开(公告)号：US08920597B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13047052

申请日：2011-03-14

申请人： Kartik Ramaswamy ,  Igor Markovsky ,  Zhigang Chen ,  James D. Carducci ,  Kenneth S. Collins ,  Shahid Rauf ,  Nipun Misra ,  Leonid Dorf ,  Zheng John Ye

发明人： Kartik Ramaswamy ,  Igor Markovsky ,  Zhigang Chen ,  James D. Carducci ,  Kenneth S. Collins ,  Shahid Rauf ,  Nipun Misra ,  Leonid Dorf ,  Zheng John Ye

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C16/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32587 ,  H01J37/32596 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834

摘要： The disclosure pertains to a capactively coupled plasma source in which VHF power is applied through an impedance-matching coaxial resonator having a folded structure and symmetrical power distribution.

摘要翻译： 本公开涉及一种通过具有折叠结构和对称功率分布的阻抗匹配同轴谐振器施加VHF功率的Capactively coupled等离子体源。

公开(公告)号：US08894805B2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：US13595452

申请日：2012-08-27

申请人： Kallol Bera ,  Shahid Rauf ,  Leonid Dorf ,  Kenneth S. Collins ,  Ajit Balakrishna ,  Gary Leray

发明人： Kallol Bera ,  Shahid Rauf ,  Leonid Dorf ,  Kenneth S. Collins ,  Ajit Balakrishna ,  Gary Leray

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H05H7/00

CPC分类号： H01J37/3233 ,  H05H1/46 ,  H05H7/001

摘要： A plasma reactor employs an e-beam source to generate plasma, and the e-beam source has a configurable magnetic shield.

摘要翻译： 等离子体反应器采用电子束源产生等离子体，并且电子束源具有可配置的磁屏蔽。

公开(公告)号：US08878926B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13236039

申请日：2011-09-19

申请人： Zheng John Ye ,  Kartik Ramaswamy ,  Troy S. Detrick ,  Kenneth S. Collins

发明人： Zheng John Ye ,  Kartik Ramaswamy ,  Troy S. Detrick ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： G01N25/72

CPC分类号： G01N25/72

摘要： Embodiments of the present invention provide methods and apparatus for analyzing thermal properties of bonding materials within a composite structure. One embodiment of the present invention provides an apparatus for analyzing thermal property of a bonding material within a structure. The apparatus comprises a structure support having a supporting surface configured to support the structure, a heat source configured to direct a heat flux to the structure supported by the supporting surface of the structure support, and a camera facing the structure supported on the structure support and configured to capture thermal images of the structure supported on the structure support.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于分析复合结构内的接合材料的热性能的方法和装置。 本发明的一个实施例提供一种用于分析结构内的接合材料的热性能的装置。 该装置包括：结构支撑件，其具有构造成支撑该结构的支撑表面;热源，其构造成将热通量引导到由结构支撑件的支撑表面支撑的结构;以及面向支撑在结构支撑上的结构的照相机， 被配置为捕获支持在结构支撑上的结构的热图像。

公开(公告)号：US08313664B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US12623243

申请日：2009-11-20

申请人： Zhigang Chen ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry ,  Leonid Dorf ,  Kartik Ramaswamy ,  Kenneth S. Collins

发明人： Zhigang Chen ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry ,  Leonid Dorf ,  Kartik Ramaswamy ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： G01L21/30

CPC分类号： H01J37/32165 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/6833

摘要： In a plasma reactor having an electrostatic chuck, wafer voltage may be determined from RF measurements at the bias input using previously determined constants based upon transmission line properties of the bias input, and this wafer voltage may be used to accurately control the DC wafer clamping voltage.

摘要翻译： 在具有静电卡盘的等离子体反应器中，可以使用基于偏置输入的传输线特性的先前确定的常数，在偏置输入处的RF测量来确定晶片电压，并且该晶片电压可用于精确地控制DC晶片钳位电压 。

公开(公告)号：US20120125488A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13374980

申请日：2012-01-25

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach

IPC分类号： C23C8/10

CPC分类号： C23C16/4404 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477

摘要： A method of creating a plasma-resistant thermal oxide coating on a surface of an article, where the article is comprised of a metal or metal alloy which is typically selected from the group consisting of yttrium, neodymium, samarium, terbium, dysprosium, erbium, ytterbium, scandium, hafnium, niobium or combinations thereof. The oxide coating is formed using a time-temperature profile which includes an initial rapid heating rage, followed by a gradual decrease in heating rate, to produce an oxide coating structure which is columnar in nature. The grain size of the crystals which make up the oxide coating is larger at the surface of the oxide coating than at the interface between the oxide coating and the metal or metal alloy substrate, and the oxide coating is in compression at the interface between the oxide coating and the metal or metal alloy substrate.

摘要翻译： 一种在制品的表面上产生耐等离子体热氧化物涂层的方法，其中制品由金属或金属合金组成，金属或金属合金通常选自钇，钕，钐，铽，镝，铒， 镱，钪，铪，铌或其组合。 使用时间 - 温度曲线形成氧化物涂层，其包括初始的快速加热，然后逐渐降低加热速率，以产生本质上为柱状的氧化物涂层结构。 构成氧化物涂层的晶体的晶粒尺寸在氧化物涂层的表面比在氧化物涂层和金属或金属合金衬底之间的界面处大，并且氧化物涂层在氧化物之间的界面处被压缩 涂层和金属或金属合金基材。

公开(公告)号：US20120069174A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13236039

申请日：2011-09-19

申请人： Zheng John Ye ,  Kartik Ramaswamy ,  Troy S. Detrick ,  Kenneth S. Collins

发明人： Zheng John Ye ,  Kartik Ramaswamy ,  Troy S. Detrick ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： H04N7/18

CPC分类号： G01N25/72

摘要： Embodiments of the present invention provide methods and apparatus for analyzing thermal properties of bonding materials within a composite structure. One embodiment of the present invention provides an apparatus for analyzing thermal property of a bonding material within a structure. The apparatus comprises a structure support having a supporting surface configured to support the structure, a heat source configured to direct a heat flux to the structure supported by the supporting surface of the structure support, and a camera facing the structure supported on the structure support and configured to capture thermal images of the structure supported on the structure support.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于分析复合结构内的接合材料的热性能的方法和装置。 本发明的一个实施例提供一种用于分析结构内的接合材料的热性能的装置。 该装置包括：结构支撑件，其具有构造成支撑该结构的支撑表面;热源，其构造成将热通量引导到由结构支撑件的支撑表面支撑的结构;以及面向支撑在结构支撑上的结构的照相机， 被配置为捕获支持在结构支撑上的结构的热图像。

公开(公告)号：US08076247B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US11733770

申请日：2007-04-11

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： A method is provided for processing a workpiece in a plasma reactor chamber. The method includes coupling, to a plasma in the chamber, power of an RF frequency via a ceiling electrode and coupling, to the plasma, power of at least approximately the same RF frequency via a workpiece support electrode. The method also includes providing an edge ground return path. The method further includes adjusting the proportion between (a) current flow between said electrodes and (b) current flow to the edge ground return path from said electrodes, to control plasma ion density distribution uniformity over the workpiece.

摘要翻译： 提供了一种用于在等离子体反应器室中处理工件的方法。 该方法包括通过天线电极将等离子体耦合到腔室中的等离子体，并通过工件支撑电极将等离子体的功率耦合到至少近似相同的RF频率。 该方法还包括提供边缘接地返回路径。 该方法还包括调节（a）所述电极之间的电流之间的比例和（b）从所述电极到达边缘接地返回路径的电流，以控制工件上的等离子体离子密度分布均匀性。

公开(公告)号：US08058156B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US10895784

申请日：2004-07-20

申请人： Hiroji Hanawa ,  Tsutomu Tanaka ,  Kenneth S. Collins ,  Amir Al-Bayati ,  Kartik Ramaswamy ,  Andrew Nguyen

发明人： Hiroji Hanawa ,  Tsutomu Tanaka ,  Kenneth S. Collins ,  Amir Al-Bayati ,  Kartik Ramaswamy ,  Andrew Nguyen

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01J37/32357 ,  C23C14/046 ,  C23C14/48 ,  C23C16/045 ,  H01J37/32412

摘要： A plasma immersion ion implantation process for implanting a selected species at a desired ion implantation depth profile in a workpiece is carried out in a reactor chamber having a set of plural parallel ion shower grids that divide the chamber into an upper ion generation region and a lower process region, each of the ion shower grids having plural orifices in mutual registration from grid to grid, the plural orifices oriented in a non-parallel direction relative to a surface plane of the respective ion shower grid. The process includes placing a workpiece in the process region, the workpiece having a workpiece surface generally facing the surface plane of the closest one of the plural ion shower grids, and furnishing the selected species into the ion generation region. The process further includes evacuating the process region, and applying plasma source power to generate a plasma of the selected species in the ion generation region. The process also includes applying successive grid potentials to successive ones of the grids and applying a bias potential to the workpiece. The combination of the grid and bias potentials corresponds to the desired ion implantation depth profile in the workpiece.

摘要翻译： 在具有一组多个并联离子淋浴网格的反应室中进行用于在工件中以期望的离子注入深度分布植入选定物种的等离子体浸没离子注入方法，该多个平行离子淋浴网将腔室分成上部离子产生区域和下部 处理区域，每个离子淋浴栅格具有从栅格到栅格相互配准的多个孔，多个孔相对于各个离子喷淋栅格的表面平行于非平行方向。 该工艺包括将工件放置在工艺区域中，工件具有大致面对多个离子淋浴栅格中最接近的一个的表面的工件表面，并将所选择的物质提供到离子产生区域中。 该方法还包括抽空处理区域，以及施加等离子体源功率以在离子产生区域中产生所选物种的等离子体。 该过程还包括将连续的栅格电势施加到连续的栅格并向工件施加偏置电位。 栅格和偏置电位的组合对应于工件中期望的离子注入深度分布。