公开(公告)号：US20090176124A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12291069

申请日：2008-11-05

申请人： Jong-Won Hong ,  Min-Keun Kwak ,  Geum-Jung Seong ,  Jong-Myeong Lee ,  Gil-Heyun Choi ,  Hong-Kyu Hwang

发明人： Jong-Won Hong ,  Min-Keun Kwak ,  Geum-Jung Seong ,  Jong-Myeong Lee ,  Gil-Heyun Choi ,  Hong-Kyu Hwang

IPC分类号： H01L29/12 ,  B32B15/01 ,  B32B15/04

CPC分类号： B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  B32B15/018 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12701 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2224/05552

摘要： A bonding pad structure for a semiconductor device includes a first lower metal layer beneath a second upper metal layer in a bonding region of the device. The lower metal layer is formed such that the metal of the lower metal layer is absent from the bonding region. As a result, if damage occurs to the structure during procedures such as probing or bonding at the bonding region, the lower metal is not exposed to the environment. Oxidation of the lower metal layer by exposure to the environment is prevented, thus improving reliability of the device.

摘要翻译： 用于半导体器件的焊盘结构包括在器件的接合区域中的第二上金属层下面的第一下金属层。 下金属层形成为使得下金属层的金属不存在于接合区域中。 结果，如果在诸如在接合区域处的探测或接合的过程中结构发生损坏，则下部金属不暴露于环境中。 通过暴露于环境来防止下层金属层的氧化，从而提高了装置的可靠性。