公开(公告)号：US06210485B1

公开(公告)日：2001-04-03

申请号：US09352629

申请日：1999-07-13

申请人： Jun Zhao ,  Lee Luo ,  Xiaoliang Jin ,  Frank Chang ,  Charles Dornfest ,  Po Tang

发明人： Jun Zhao ,  Lee Luo ,  Xiaoliang Jin ,  Frank Chang ,  Charles Dornfest ,  Po Tang

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： The invention relates to an apparatus and process for the vaporization of liquid precursors and deposition of a film on a suitable substrate. Particularly contemplated is an apparatus and process for the vaporization of a metal-oxide film, such as a barium, strontium, titanium oxide (BST) film, for deposition on a silicon wafer to make integrated circuit capacitors useful in high capacity dynamic memory modules. The vaporizer comprises thermally controlled components which are adapted for easy assembly and disassembly. A main vaporizing section provides a large heated surface for flash vaporization. A high conductance blocker is disposed at a lower end of the vaporizer to provide an extended vaporization surface. Optionally, a filter may be employed to capture unvaporized precursor droplets.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于蒸发液体前体并将膜沉积在合适基底上的装置和方法。 特别考虑的是用于蒸发金属氧化物膜如钡，锶，氧化钛（BST）膜的装置和方法，用于沉积在硅晶片上，以使集成电路电容器用于高容量动态存储器模块。 蒸发器包括适于容易组装和拆卸的热控部件。 主蒸发部分提供用于闪蒸的大的加热表面。 高电导阻挡器设置在蒸发器的下端以提供延长的蒸发表面。 任选地，可以使用过滤器来捕获未汽化的前体液滴。

公开(公告)号：US06635114B2

公开(公告)日：2003-10-21

申请号：US09467296

申请日：1999-12-17

申请人： Jun Zhao ,  Charles Dornfest ,  Frank Chang ,  Xiaoliang Jin ,  Po Tang

发明人： Jun Zhao ,  Charles Dornfest ,  Frank Chang ,  Xiaoliang Jin ,  Po Tang

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4486

摘要： The present invention generally provides a deposition chamber for depositing materials which require vaporization, especially low volatility precursors, which are transported as a liquid to a vaporizer to be converted to vapor phase through one or more vaporizing elements and which must be transported at elevated temperatures to prevent unwanted condensation on chamber components. In one aspect, the chamber comprises a series of heated temperature controlled internal liners as vaporizing surfaces which are configured for rapid removal, cleaning and/or replacement and preferably are made of a material having a thermal coefficient of expansion close to that of the deposition material. The vaporizing surfaces “flash” sprayed liquid precursors on the surface of the vaporizing surfaces and then purify the flashed precursors before flowing further into the system. Particularly contemplated is an apparatus and process for the deposition of a metal-oxide film, such as a barium, strontium, titanium oxide (BST) film, on a silicon wafer to make integrated circuit capacitors useful in high capacity dynamic memory modules. Preferably, internal surfaces of the chamber are adjustable and maintainable at a suitable temperature above ambient, e.g., about 150° C. to about 300° C., to prevent decomposition and/or condensation of vaporized material on the chamber and related gas flow surfaces.

摘要翻译： 本发明通常提供一种用于沉积需要蒸发的材料，特别是低挥发性前体的沉积室，其作为液体被输送到蒸发器，以通过一个或多个汽化元件转化为气相，并且必须在升高的温度下运输至 防止腔室部件发生不必要的冷凝。 在一个方面，腔室包括一系列加热的受温度控制的内衬，作为蒸发表面，其被构造用于快速去除，清洁和/或更换，并且优选地由具有接近沉积材料的热膨胀系数的材料制成 。 蒸发表面在蒸发表面的表面上“闪蒸”喷射的液体前体，然后在进一步进入系统之前净化闪光的前体。 特别考虑的是用于在硅晶片上沉积诸如钡，锶，氧化钛（BST）膜的金属氧化物膜的装置和方法，以使集成电路电容器用于高容量动态存储器模块。 优选地，室的内表面是可调节的并且可在高于环境温度（例如约150℃至约300℃）的合适温度下保持，以防止气化材料在室和相关气流表面上的分解和/或冷凝 。

公开(公告)号：US06479100B2

公开(公告)日：2002-11-12

申请号：US09827878

申请日：2001-04-05

申请人： Xiaoliang Jin ,  Christopher P. Wade ,  Xianzhi Tao ,  Elaine Pao ,  Yaxin Wang ,  Jun Zhao

发明人： Xiaoliang Jin ,  Christopher P. Wade ,  Xianzhi Tao ,  Elaine Pao ,  Yaxin Wang ,  Jun Zhao

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： C23C16/40 ,  C08F14/06 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56

摘要： The present invention provides a method of forming a ruthenium seed layer on a substrate comprising the steps of introducing a ruthenium-containing compound into a CVD apparatus; introducing oxygen into the CVD apparatus; maintaining an oxygen rich environment in the process chamber for the initial formation of a ruthenium oxide seed layer; vaporizing the ruthenium-containing compound; depositing the ruthenium oxide seed layer onto the substrate by chemical vapor deposition; and annealing the deposited ruthenium oxide seed layer in a gas ambient forming a ruthenium seed layer. Also provided is a method of depositing a ruthenium thin metal film using a metalorganic precursor onto a CVD ruthenium seed layer by metalorganic chemical vapor deposition.

摘要翻译： 本发明提供了在基材上形成钌籽晶层的方法，包括将含钌化合物引入CVD装置的步骤; 将氧气引入CVD装置中; 在处理室中保持富氧环境以初始形成氧化钌种子层; 汽化含钌化合物; 通过化学气相沉积将氧化钌种子层沉积到衬底上; 并在形成钌种子层的气体环境中退火沉积的氧化钌种子层。 还提供了通过金属有机化学气相沉积在金属钌晶种层上使用金属有机前体沉积钌金属薄膜的方法。

公开(公告)号：US06475854B2

公开(公告)日：2002-11-05

申请号：US09748072

申请日：2000-12-21

申请人： Pravin K. Narwankar ,  Annabel Nickles ,  Xiaoliang Jin ,  Deepak Upadhyaya ,  Yaxin Wang

发明人： Pravin K. Narwankar ,  Annabel Nickles ,  Xiaoliang Jin ,  Deepak Upadhyaya ,  Yaxin Wang

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L28/55

摘要： A capacitor structure comprising a bottom electrode, an insulator and a top electrode, and method for manufacturing the same. The bottom and top electrodes preferably include a metal portion and a conducting oxygen-containing metal portion. In one embodiment, a layer of ruthenium is deposited to form a portion of the bottom electrode. Prior to deposition of the insulator, the ruthenium is annealed in an oxygen-containing environment. The insulator is then deposited on the oxygen-containing ruthenium layer. Formation of the top electrode includes depositing a first metal on the insulator, annealing the first metal and then depositing a second metal. The first and second metals may be ruthenium.

摘要翻译： 包括底电极，绝缘体和顶电极的电容器结构及其制造方法。 底部和顶部电极优选地包括金属部分和导电含氧金属部分。 在一个实施例中，沉积钌层以形成底部电极的一部分。 在沉积绝缘体之前，将钌在含氧环境中退火。 然后将绝缘体沉积在含氧钌层上。 顶部电极的形成包括在绝缘体上沉积第一金属，退火第一金属，然后沉积第二金属。 第一和第二金属可以是钌。

公开(公告)号：US06884464B2

公开(公告)日：2005-04-26

申请号：US10288358

申请日：2002-11-04

申请人： Lee Luo ,  R. Suryanarayanan Iyer ,  Janardhanan Anand Subramony ,  Errol Antonio C. Sanchez ,  Xiaoliang Jin ,  Aihua Chen ,  Chang-Lian Yan ,  Nobuo Tokai ,  Yuji Maeda ,  Randhir P. Singh Thakur

发明人： Lee Luo ,  R. Suryanarayanan Iyer ,  Janardhanan Anand Subramony ,  Errol Antonio C. Sanchez ,  Xiaoliang Jin ,  Aihua Chen ,  Chang-Lian Yan ,  Nobuo Tokai ,  Yuji Maeda ,  Randhir P. Singh Thakur

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/22

CPC分类号： C23C16/45512 ,  C23C16/24 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4411 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： A silicon comprising film and its method of fabrication is described. The silicon comprising film is grown on a substrate. A hexachlorodisilane (HCD) source gas is one of the reactant species used to form the silicon comprising film. The silicon comprising film is formed under a pressure between 10 Torr and 350 Torr.

摘要翻译： 描述了包含硅的硅及其制造方法。 包含硅的膜在衬底上生长。 六氯二硅烷（HCD）源气体是用于形成含硅膜的反应物质之一。 包含硅的膜在10托和350托之间的压力下形成。

公开(公告)号：US06802906B2

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：US10051651

申请日：2002-01-15

申请人： Xiaoliang Jin ,  Shulin Wang ,  Lee Luo ,  Henry Ho ,  Steven A. Chen

发明人： Xiaoliang Jin ,  Shulin Wang ,  Lee Luo ,  Henry Ho ,  Steven A. Chen

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C23C16/45521 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109

摘要： An apparatus that includes a pumping plate having a skirt, where the skirt contains a number of holes and a wafer access slot, and where the number of holes are sized and positioned to provide uniform heating of a susceptor.

摘要翻译： 一种装置，其包括具有裙部的泵板，其中所述裙部包含多个孔和晶片通道狭槽，并且其中孔的数量被定尺寸和定位以提供感受器的均匀加热。