公开(公告)号：US20100310445A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12703727

申请日：2010-02-10

申请人： Kamel Ounadjela ,  Marcin Walerysiak ,  Anis Jouini ,  Matthias Heuer ,  Omar Sidelkheir ,  Alain Blosse ,  Fritz Kirscht

发明人： Kamel Ounadjela ,  Marcin Walerysiak ,  Anis Jouini ,  Matthias Heuer ,  Omar Sidelkheir ,  Alain Blosse ,  Fritz Kirscht

IPC分类号： C01B33/037

CPC分类号： C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007

摘要： A process control method for UMG-Si purification by performing a directional solidification of molten UMG-Si to form a silicon ingot is described. The ingot is divided into bricks and the resistivity profile of each silicon brick is mapped. A crop line for removing the impurities concentrated and captured in the ingot during the directional solidification is calculated based on the resistivity map. The concentrated impurities are then removed by cropping each brick along that brick's calculated crop line.

摘要翻译： 描述了通过执行熔融UMG-Si的定向凝固以形成硅锭的UMG-Si纯化的工艺控制方法。 铸锭分为砖块，每块硅砖的电阻率分布图。 基于电阻率图计算在定向凝固期间去除在锭中浓缩和捕获的杂质的作物线。 然后通过沿着砖的计算作物线裁剪每个砖，去除浓缩的杂质。

公开(公告)号：US20100327890A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12770688

申请日：2010-04-29

申请人： Kamel Ounadjela ,  Marcin Walerysiak ,  Anis Jouini ,  Matthias Heuer ,  Omar Sidelkheir ,  Alain Blosse ,  Fritz Kirscht

发明人： Kamel Ounadjela ,  Marcin Walerysiak ,  Anis Jouini ,  Matthias Heuer ,  Omar Sidelkheir ,  Alain Blosse ,  Fritz Kirscht

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： C01B33/037 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T117/1092

摘要： A quality control process for determining the concentrations of boron and phosphorous in a UMG-Si feedstock batch is provided. A silicon test ingot is formed by the directional solidification of molten UMG-Si from a UMG-Si feedstock batch. The resistivity of the silicon test ingot is measured from top to bottom. Then, the resistivity profile of the silicon test ingot is mapped. From the resistivity profile of the silicon test ingot, the concentrations of boron and phosphorous of the UMG-Si silicon feedstock batch are calculated. Additionally, multiple test ingots may be grown simultaneously, with each test ingot corresponding to a UMG-Si feedstock batch, in a multi-crucible crystal grower.

摘要翻译： 提供了一种用于测定UMG-Si原料批中硼和磷浓度的质量控制过程。 通过来自UMG-Si原料批次的熔融UMG-Si的定向凝固形成硅测试锭。 硅测试块的电阻率从上到下测量。 然后，映射硅测试锭的电阻率分布。 根据硅试块的电阻率分布，计算出UMG-Si硅原料批次中硼和磷的浓度。 另外，在多坩埚晶体种植者中，可以同时生长多个测试锭，每个测试锭对应于UMG-Si原料批次。

公开(公告)号：US08547121B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US12770688

申请日：2010-04-29

申请人： Kamel Ounadjela ,  Marcin Walerysiak ,  Anis Jouini ,  Matthias Heuer ,  Omar Sidelkheir ,  Alain Blosse ,  Fritz Kirscht

发明人： Kamel Ounadjela ,  Marcin Walerysiak ,  Anis Jouini ,  Matthias Heuer ,  Omar Sidelkheir ,  Alain Blosse ,  Fritz Kirscht

IPC分类号： G01R21/36 ,  G01R27/08 ,  C30B13/00 ,  C30B11/00 ,  C30B21/06 ,  C30B21/04

CPC分类号： C01B33/037 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T117/1092

摘要： A quality control process for determining the concentrations of boron and phosphorous in a UMG-Si feedstock batch is provided. A silicon test ingot is formed by the directional solidification of molten UMG-Si from a UMG-Si feedstock batch. The resistivity of the silicon test ingot is measured from top to bottom. Then, the resistivity profile of the silicon test ingot is mapped. From the resistivity profile of the silicon test ingot, the concentrations of boron and phosphorous of the UMG-Si silicon feedstock batch are calculated. Additionally, multiple test ingots may be grown simultaneously, with each test ingot corresponding to a UMG-Si feedstock batch, in a multi-crucible crystal grower.

摘要翻译： 提供了一种用于测定UMG-Si原料批中硼和磷浓度的质量控制过程。 通过来自UMG-Si原料批次的熔融UMG-Si的定向凝固形成硅测试锭。 硅测试块的电阻率从上到下测量。 然后，映射硅测试锭的电阻率分布。 根据硅试块的电阻率分布，计算出UMG-Si硅原料批次中硼和磷的浓度。 另外，在多坩埚晶体种植者中，可以同时生长多个测试锭，每个测试锭对应于UMG-Si原料批次。

公开(公告)号：US20090223549A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12045259

申请日：2008-03-10

申请人： Kamel Ounadjela ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Martin Kaes ,  Dirk Zickermann ,  Alain Blosse ,  Abdellatif Zerga ,  Matthias Heuer ,  Fritz Kirscht

发明人： Kamel Ounadjela ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Martin Kaes ,  Dirk Zickermann ,  Alain Blosse ,  Abdellatif Zerga ,  Matthias Heuer ,  Fritz Kirscht

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/00

CPC分类号： C23C18/1692 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/32 ,  C25D7/12 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Formation of a solar cell device from upgraded metallurgical grade silicon which has received at least one defect engineering process and including a low contact resistance electrical path. An anti-reflective coating is formed on an emitter layer and back contacts are formed on a back surface of the bulk silicon substrate. This photovoltaic device may be fired to form a back surface field at a temperature sufficiently low to avoid reversal of previous defect engineering processes. The process further forms openings in the anti-reflective coating and a low contact resistance metal layer, such as nickel layer, over the openings in the anti-reflective coating. The process may anneal the low contact resistance metal layer to form n-doped portion and complete an electrically conduct path to the n-doped layer. This low temperature metallization (e.g.,

摘要翻译： 从升级的冶金级硅形成太阳能电池装置，其已经接收了至少一个缺陷工程过程并且包括低接触电阻的电路径。 在发射极层上形成抗反射涂层，在本体硅衬底的后表面上形成背面触点。 该光伏器件可以被烧制以在足够低的温度下形成背面场，以避免先前缺陷工程过程的反转。 该方法进一步在抗反射涂层的开口上形成抗反射涂层中的开口和低接触电阻金属层，例如镍层。 该过程可以使低接触电阻金属层退火以形成n掺杂部分并且完成到n掺杂层的导电路径。 这种低温金属化（例如，<700℃）支持使用UMG硅用于太阳能装置形成，而不会使早期的缺陷工程过程发生逆转。

公开(公告)号：US20100275995A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12456398

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L21/22 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes a back surface contact grid and an overlaid blanket metal reflector. A doped amorphous silicon layer is interposed between the contact grid and the blanket layer.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括背面接触网格和覆盖的橡皮布金属反射器。 掺杂的非晶硅层介于接触网格和覆盖层之间。

公开(公告)号：US08298850B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12456378

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes an active region located on the front surface of the substrate, formed for example by a phosphorous diffusion step. After removing the PSG, assuming phosphorous diffusion, and isolating the front junction, dielectric layers are deposited on the front and back surfaces. Contact grids are formed, for example by screen printing. Prior to depositing the back surface dielectric, a metal grid may be applied to the back surface, the back surface contact grid registered to, and alloyed to, the metal grid during contact firing.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括位于基板的前表面上的有源区，例如通过磷扩散步骤形成。 在去除PSG之后，假设磷扩散并隔离前端，电介质层沉积在前表面和后表面上。 形成接触网格，例如通过丝网印刷。 在沉积后表面电介质之前，可以在接触点火期间将金属网格施加到后表面，后表面接触栅格，注册到金属栅格并与之合并。

公开(公告)号：US08404970B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12456404

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes an active region located on the front surface of the substrate, formed for example by a phosphorous diffusion step. The back surface includes a doped region, the doped region having the same conductivity as the substrate but with a higher doping level. Contact grids are formed, for example by screen printing. Front junction isolation is accomplished using a laser scribe.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括位于基板的前表面上的有源区，例如通过磷扩散步骤形成。 背面包括掺杂区域，该掺杂区域具有与衬底相同的导电性但具有较高的掺杂水平。 形成接触网格，例如通过丝网印刷。 使用激光划片实现前结隔离。

公开(公告)号：US20100275984A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12456404

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes an active region located on the front surface of the substrate, formed for example by a phosphorous diffusion step. The back surface includes a doped region, the doped region having the same conductivity as the substrate but with a higher doping level. Contact grids are formed, for example by screen printing. Front junction isolation is accomplished using a laser scribe.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括位于基板的前表面上的有源区，例如通过磷扩散步骤形成。 背面包括掺杂区域，该掺杂区域具有与衬底相同的导电性但具有较高的掺杂水平。 形成接触网格，例如通过丝网印刷。 使用激光划片实现前结隔离。

公开(公告)号：US20100275983A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12456378

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes an active region located on the front surface of the substrate, formed for example by a phosphorous diffusion step. After removing the PSG, assuming phosphorous diffusion, and isolating the front junction, dielectric layers are deposited on the front and back surfaces. Contact grids are formed, for example by screen printing. Prior to depositing the back surface dielectric, a metal grid may be applied to the back surface, the back surface contact grid registered to, and alloyed to, the metal grid during contact firing.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括位于基板的前表面上的有源区，例如通过磷扩散步骤形成。 在去除PSG之后，假设磷扩散并隔离前端，电介质层沉积在前表面和后表面上。 形成接触网格，例如通过丝网印刷。 在沉积后表面电介质之前，可以在接触点火期间将金属网格施加到后表面，后表面接触栅格，注册到金属栅格并与之合并。

公开(公告)号：US06979640B1

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：US10112572

申请日：2002-03-29

申请人： Alain Blosse ,  Sanjay Thekdi

发明人： Alain Blosse ,  Sanjay Thekdi

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making a semiconductor structure comprises forming a hole through a first dielectric layer; followed by forming a hole through an etch-stop layer, to expose a first conducting layer. The thickness of the etch-stop layer is at least one-half the smallest line width of the first conducting layer.

摘要翻译： 制造半导体结构的方法包括：通过第一介电层形成孔; 随后通过蚀刻停止层形成孔，以露出第一导电层。 蚀刻停止层的厚度是第一导电层的最小线宽的至少二分之一。