公开(公告)号：US5561194A

公开(公告)日：1996-10-01

申请号：US412806

申请日：1995-03-29

申请人： Kathleen M. Cornett ,  Judy B. Dorn ,  Margaret C. Lawson ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith ,  Gary T. Spinillo

发明人： Kathleen M. Cornett ,  Judy B. Dorn ,  Margaret C. Lawson ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith ,  Gary T. Spinillo

IPC分类号： G03F7/023 ,  C08L61/10 ,  C08L25/04 ,  C08L33/12

CPC分类号： G03F7/0233

摘要： A polyalkylmethacrylate co-polymer of polyhydroxystyrene has been found to be an ideal blending partner in a novolak photoresist composition. The preferred co-polymer is poly(p-hydroxystyrene)-co-(methyl methacrylate). The co-polymer is fully miscible with novolaks and has a high thermal stability (>150.degree. C.).

摘要翻译： 已经发现聚羟基苯乙烯的聚烷基甲基丙烯酸酯共聚物在酚醛清漆光致抗蚀剂组合物中是理想的掺合配合物。 优选的共聚物是聚（对羟基苯乙烯） - 共 - （甲基丙烯酸甲酯）。 共聚物与酚醛清漆完全混溶，具有高热稳定性（> 150℃）。

公开(公告)号：US5607824A

公开(公告)日：1997-03-04

申请号：US281398

申请日：1994-07-27

申请人： James T. Fahey ,  Brian W. Herbst ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

发明人： James T. Fahey ,  Brian W. Herbst ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08G65/40 ,  C08G67/00 ,  C09D171/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03C1/825

CPC分类号： C08G65/4012 ,  C09D171/00 ,  G03F7/091 ,  C08G2650/64

摘要： A co-polymer of benzophenone and bisphenol A has been shown to have DUV absorption properties. Therefore, the co-polymer has particular utility as an antireflective coating in microlithography applications. Incorporating anthracene into the co-polymer backbone enhances absorption at 248 nm. The endcapper used for the co-polymer can vary widely depending on the needs of the user and can be selected to promote adhesion, stability, and absorption of different wavelengths.

摘要翻译： 已经显示二苯甲酮和双酚A的共聚物具有DUV吸收性质。 因此，共聚物在微光刻应用中作为抗反射涂层具有特殊的用途。 将蒽掺入共聚物主链增强了在248nm的吸收。 用于共聚物的端塞可以根据用户的需要而广泛变化，并且可以选择以促进不同波长的粘附，稳定性和吸收。

公开(公告)号：US06383712B1

公开(公告)日：2002-05-07

申请号：US09092596

申请日：1998-06-05

申请人： Premlatha Jagannathan ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

发明人： Premlatha Jagannathan ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A photoresist composition for use in lithographic processes in the fabrication of semiconductor devices such as integrated circuit structures is disclosed. The photoresist composition includes a monomeric sensitizer bounding to a base-soluble long chain polymer.

摘要翻译： 公开了用于制造半导体器件如集成电路结构的光刻工艺中的光致抗蚀剂组合物。 光致抗蚀剂组合物包括与碱溶性长链聚合物结合的单体敏化剂。

公开(公告)号：US6074800A

公开(公告)日：2000-06-13

申请号：US64955

申请日：1998-04-23

申请人： Gregory Breyta ,  Phillip J. Brock ,  Daniel J. Dawson ,  Ronald A. DellaGuardia ,  Charlotte R. DeWan ,  Andrew R. Eckert ,  Hiroshi Ito ,  Premlatha Jagannathan ,  Leo L. Linehan ,  Kathleen H. Martinek ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

发明人： Gregory Breyta ,  Phillip J. Brock ,  Daniel J. Dawson ,  Ronald A. DellaGuardia ,  Charlotte R. DeWan ,  Andrew R. Eckert ,  Hiroshi Ito ,  Premlatha Jagannathan ,  Leo L. Linehan ,  Kathleen H. Martinek ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  Y10S430/115

摘要： Several mid UV photo acid generators (PAGs), a chemically amplified photo resist (CAMP), and method for improving nested to isolated line bias are provided. Similarly, photo speed may also be improved. Unlike conventional mid UV PAGs, the present invention's PAG compounds, resist composition, and method do not require a mid UV sensitizer. Specifically, PAGs are provided that bear a chromophore capable of receiving mid UV radiation, particularly I-line, and that are suitable for use in a chemically amplified photo resist having a photo speed of 500 mJ/cm.sup.2 or less, but preferrably 200 mJ/cm.sup.2 or less. For example, the PAGs can be a sulfonium or iodonium salt, such as anthryl, butyl, methyl sulfonium triflate and bis(4-t-butylphenyl)iodonium 9,10-dimethoxyanthracene sulfonate. The chromophore forming a part of the PAGs can be selected from polyaromatic hydrocarbons, for example, chrysenes, pyrenes, fluoranthenes, anthrones, benzophenones, thioxanthones, anthracenes, and phenanthrenes, but preferably anthracenes.

摘要翻译： 提供了几个中等紫外光酸产生剂（PAG），化学放大光抗蚀剂（CAMP）和改进嵌套到隔离线偏压的方法。 类似地，也可以提高照相速度。 与传统的中等紫外线PAG不同，本发明的PAG化合物，抗蚀剂组合物和方法不需要中等紫外线敏化剂。 具体地说，提供了能够承受中等紫外线辐射，特别是I线的发色团的PAG，并且适合用于光速为500mJ / cm 2以下但优选为200mJ / cm 2的化学放大型光致抗蚀剂的PAG， cm2以下。 例如，PAG可以是锍或碘鎓盐，例如蒽基，丁基，甲基锍三氟甲磺酸酯和双（4-叔丁基苯基）碘9,10-二甲氧基蒽磺酸盐。 形成PAG的一部分的发色团可以选自多芳族烃，例如氯仿，芘，荧蒽，蒽，二苯甲酮，噻吨酮，蒽和菲，但优选为蒽。

公开(公告)号：US6136498A

公开(公告)日：2000-10-24

申请号：US672804

申请日：1996-06-28

申请人： Premlatha Jagannathan ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

发明人： Premlatha Jagannathan ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/116 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/127 ,  Y10S430/128

摘要： A photoresist composition for use in lithographic processes in the fabrication of semiconductor devices such as integrated circuit structures is disclosed. The photoresist composition includes a monomeric sensitizer bounding to a base-soluble long chain polymer.

公开(公告)号：US5554485A

公开(公告)日：1996-09-10

申请号：US315271

申请日：1994-09-29

申请人： Robert R. Dichiara ,  James T. Fahey ,  Pamela E. Jones ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

发明人： Robert R. Dichiara ,  James T. Fahey ,  Pamela E. Jones ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  Y10S522/904

摘要： An antireflective coating composition for use with chemically amplified photoresist compositions comprising a polymer composition which is highly absorbent to mid and deep UV radiation, which is substantially inert to contact reactions with a chemically amplified photoresist composition, and which is insoluble in the developer for the chemically amplified photoresist composition.

公开(公告)号：US5401614A

公开(公告)日：1995-03-28

申请号：US17938

申请日：1993-02-16

申请人： Robert R. Dichiara ,  James T. Fahey ,  Pamela E. Jones ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

发明人： Robert R. Dichiara ,  James T. Fahey ,  Pamela E. Jones ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  Y10S522/904

摘要： An antireflective coating composition for use with chemically amplified photoresist compositions comprising a polymer composition which is highly absorbent to mid and deep UV radiation, which is substantially inert to contact reactions with a chemically amplified photoresist composition, and which is insoluble in the developer for the chemically amplified photoresist composition.

摘要翻译： 一种用于化学放大光致抗蚀剂组合物的抗反射涂料组合物，其包含对中和深紫外线辐射具有高度吸收性的聚合物组合物，其对于与化学放大的光致抗蚀剂组合物的接触反应基本上是惰性的，并且其不溶于用于化学 放大的光致抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US5362599A

公开(公告)日：1994-11-08

申请号：US792115

申请日：1991-11-14

申请人： Christopher J. Knors ,  Steve S. Miura ,  Melvin W. Montgomery ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

发明人： Christopher J. Knors ,  Steve S. Miura ,  Melvin W. Montgomery ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

IPC分类号： G03F7/022 ,  H01L21/027 ,  G03F7/023 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/022

摘要： Positive photoresist compositions and methods using the photoresist compositions for making submicron patterns in the production of semiconductor devices are disclosed. The photoresists contain sensitizers that are mixed naphthoquinonediazide 4- and 5- sulfonic acid esters of bis and tris(mono, di and trihydroxyphenyl) alkanes.

摘要翻译： 公开了正性光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物在制造半导体器件中制造亚微米图案的方法。 光致抗蚀剂含有混合萘醌二叠氮化物双和三（一，二和三羟基苯基）烷烃的4-和5-磺酸酯的敏化剂。

公开(公告)号：US20080227030A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US10597904

申请日：2004-02-11

申请人： Wayne M. Moreau ,  Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  David R. Medeiros ,  Karen E. Petrillo

发明人： Wayne M. Moreau ,  Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  David R. Medeiros ,  Karen E. Petrillo

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/34

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F1/78 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/143

摘要： Resist compositions having good footing properties even on difficult substrates are obtained by using a combination of base additives including a room temperature solid base, and a liquid low vapor pressure base. The compositions are especially useful on metal substrates such as chromium-containing layers commonly used in mask-making.

摘要翻译： 通过使用包括室温固体碱和液体低蒸气压基料的基础添加剂的组合，可获得即使在困难的基材上也具有良好基础性能的抗蚀剂组合物。 该组合物在通常用于掩模制造的金属基材如含铬层上特别有用。

公开(公告)号：US06927393B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10320835

申请日：2002-12-16

申请人： John M. Cotte ,  Kenneth J. McCullough ,  Wayne M. Moreau ,  Keith R. Pope ,  Robert J. Purtell ,  John P. Simons ,  Charles J. Taft

发明人： John M. Cotte ,  Kenneth J. McCullough ,  Wayne M. Moreau ,  Keith R. Pope ,  Robert J. Purtell ,  John P. Simons ,  Charles J. Taft

IPC分类号： G01N21/35 ,  G01J5/02

CPC分类号： G01N21/359 ,  G01N21/3504

摘要： A method and apparatus are provided for in situ monitoring and analyzing of process parameters for semiconductor fabrication processes including cleaning semiconductor wafers utilizing a supercritical fluid or a high pressure liquid such as CO2. The method and apparatus utilize a spectrometer having a reflective mirror proximate the vessel holding the high pressure fluid. NIR radiation transmitted into the vessel through a window and out of the vessel through an opposed window is reflected and detected and measured and the composition of the fluid in the pressure vessel is determined allowing the user to control process parameters based on the measured composition.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体制造工艺的工艺参数的原位监测和分析的方法和装置，包括利用超临界流体或诸如CO 2的高压液体清洗半导体晶片。 该方法和装置利用具有靠近保持高压流体的容器的反射镜的光谱仪。 通过窗口传输到容器中并通过相对的窗口传出容器的NIR辐射被反射和检测和测量，并且确定压力容器中的流体的组成，允许用户基于测量的组成来控制工艺参数。