利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

34 条记录 (耗时 0.019 秒)

    Capacitive pressure sensor in an overmolded package
    2.
    发明授权
    Capacitive pressure sensor in an overmolded package 有权
    包覆成型包装中的电容式压力传感器

    公开(公告)号：US09146170B2

    公开(公告)日：2015-09-29

    申请号：US13562853

    申请日：2012-07-31

    申请人： Jian Wen ,  William G. McDonald

    发明人： Jian Wen ,  William G. McDonald

    IPC分类号： G01L7/00 ,  G01L7/08 ,  G01L9/00 ,  G01L19/14

    CPC分类号： G01L19/14 ,  G01L19/0038 ,  G01L19/0654 ,  G01L19/141 ,  G01L19/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

    摘要： An overmolded pressure sensor package is provided. The pressure sensor die (Pcell) is capped so that the Pcell has enhanced rigidity to withstand stress effects produced by the molding encapsulant. The Pcell cap includes a hole located away from the Pcell diaphragm, so that external gas pressure can be experienced by the Pcell, while at the same time directing moisture away from the diaphragm. Gel does not need to be used, and instead a soft film can be deposited on the Pcell to protect the Pcell diaphragm from excess moisture, if needed. The Pcell cap can take the form of, for example, a dummy silicon wafer or a functional ASIC.

    摘要翻译： 提供了包覆成型的压力传感器封装。 压力传感器模具（Pcell）被封盖，使得Pcell具有增强的刚度以承受由模制密封剂产生的应力效应。 Pcell帽包括一个远离Pcell隔膜的孔，使得Pcell能够承受外部气体压力，同时将水分从隔膜引导出来。 凝胶不需要使用，相反，如果需要，可以在Pcell上沉积软膜以保护Pcell隔膜免受过多的水分。 Pcell帽可以采取例如虚拟硅晶片或功能ASIC的形式。

    Substrate contact for a capped MEMS and method of making the substrate contact at the wafer level
    4.
    发明授权
    Substrate contact for a capped MEMS and method of making the substrate contact at the wafer level 有权
    用于封装的MEMS的衬底接触和在晶片级使衬底接触的方法

    公开(公告)号：US07316965B2

    公开(公告)日：2008-01-08

    申请号：US11158793

    申请日：2005-06-21

    申请人： Stephen R. Hooper ,  Hemant D. Desai ,  William G. McDonald ,  Arvind S. Salian

    发明人： Stephen R. Hooper ,  Hemant D. Desai ,  William G. McDonald ,  Arvind S. Salian

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

    摘要： A MEMS device (100) is provided that includes a handle layer (108) having a sidewall (138), a cap (132) overlying said handle layer (108), said cap (132) having a sidewall (138), and a conductive material (136) disposed on at least a portion of said sidewall of said cap (138) and said sidewall of said handle layer (138) to thereby electrically couple said handle layer (108) to said cap (132). A wafer-level method for manufacturing the MEMS device from a substrate (300) comprising a handle layer (108) and a cap (132) overlying the handle layer (108) is also provided. The method includes making a first cut through the cap (132) and at least a portion of the substrate (300) to form a first sidewall (138), and depositing a conductive material (136) onto the first sidewall (138) to electrically couple the cap (132) to the substrate (300).

    摘要翻译： 提供了一种MEMS器件（100），其包括具有侧壁（138）的手柄层（108），覆盖所述手柄层（108）的盖（132），所述盖（132）具有侧壁（138） 导电材料（136），设置在所述盖子（138）的所述侧壁和所述手柄层（138）的所述侧壁的至少一部分上，从而将所述手柄层（108）电耦合到所述盖子（132）。 还提供了用于从包括手柄层（108）和覆盖在手柄层（108）上的盖子（132）的衬底（300）制造MEMS器件的晶片级方法。 该方法包括通过帽（132）和基底（300）的至少一部分进行第一次切割以形成第一侧壁（138），以及将导电材料（136）沉积到第一侧壁（138）上以电 将盖（132）耦合到基板（300）。

    Methods and apparatus having wafer level chip scale package for sensing elements
    5.
    发明授权
    Methods and apparatus having wafer level chip scale package for sensing elements 有权
    具有用于感测元件的晶片级芯片级封装的方法和装置

    公开(公告)号：US07109055B2

    公开(公告)日：2006-09-19

    申请号：US11039688

    申请日：2005-01-20

    申请人： William G. McDonald ,  Stephen R. Hooper ,  Arvind S. Salian

    发明人： William G. McDonald ,  Stephen R. Hooper ,  Arvind S. Salian

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： B81C1/00309 ,  B81C2201/053

    摘要： Methods are provided for manufacturing a sensor. The method comprises depositing a sacrificial material at a first predetermined thickness onto a wafer having at least one sense element mounted thereon, the sacrificial material deposited at least partially onto the at least one sense element, forming an encapsulating layer at a second predetermined thickness less than the first predetermined thickness over the wafer and around the deposited sacrificial material, and removing the sacrificial material. Apparatus for a sensor manufactured by the aforementioned method are also provided.

    摘要翻译： 提供了制造传感器的方法。 该方法包括将第一预定厚度的牺牲材料沉积到具有安装在其上的至少一个感测元件的晶片上，所述牺牲材料至少部分地沉积在所述至少一个感测元件上，形成第二预定厚度的封装层， 在晶片上方并围绕沉积的牺牲材料的第一预定厚度，以及去除牺牲材料。 还提供了通过上述方法制造的传感器的装置。

    Method and structure for fabricating sensors with a sacrificial gel dome
    6.
    发明授权
    Method and structure for fabricating sensors with a sacrificial gel dome 失效
    制造具有牺牲凝胶圆顶的传感器的方法和结构

    公开(公告)号：US07014888B2

    公开(公告)日：2006-03-21

    申请号：US10326675

    申请日：2002-12-23

    申请人： William G. McDonald ,  Stephen Ryan Hooper

    发明人： William G. McDonald ,  Stephen Ryan Hooper

    IPC分类号： B05D1/32 ,  B05D3/06 ,  B05D7/20

    CPC分类号： G01L19/141 ,  G01L19/0069 ,  G01L19/147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

    摘要： A method and structure that protects interior electrical components of a pressure sensor (4) from corrosive particles using a sacrificial gel dome (30) to form a vent (34) in a protective gel (32) that covers electrical components that can be corroded such as wires (16), bond pads (18), and electrical leads (14). Sacrificial gel dome (30) is dispensed over a diaphragm (28) of pressure sensor (4) to form vent (34) enabling diaphragm (28) to sense pressure variations without the influence of protective gel (32). Sacrificial gel dome (30) is removed through a water rinsing process (42) to expose vent (34).

    摘要翻译： 一种方法和结构，其使用牺牲凝胶圆顶（30）来保护压力传感器（4）的内部电气部件免受腐蚀性颗粒的影响，以在保护性凝胶（32）中形成通风口（34），所述保护性凝胶覆盖可被腐蚀的电气部件 作为电线（16），接合焊盘（18）和电引线（14）。 牺牲凝胶圆顶（30）被分配在压力传感器（4）的隔膜（28）上以形成通气孔（34），使得隔膜（28）能够感测压力变化而不受保护凝胶（32）的影响。 牺牲凝胶圆顶（30）通过水冲洗过程（42）去除以暴露通气孔（34）。

    Dual port pressure sensor
    8.
    发明授权
    Dual port pressure sensor 有权
    双口压力传感器

    公开(公告)号：US08307714B1

    公开(公告)日：2012-11-13

    申请号：US13151404

    申请日：2011-06-02

    申请人： Stephen R. Hooper ,  William G. McDonald

    发明人： Stephen R. Hooper ,  William G. McDonald

    IPC分类号： G01L7/00

    CPC分类号： G01L19/141 ,  G01L13/025 ,  G01L19/0038

    摘要： A dual port pressure sensor has a lead frame having a flag having a first opening and a second opening. The lead frame has a flag having a first opening and a second opening. An encapsulant holds the lead frame. The encapsulant is over a top of the flag and a bottom of the flag is uncovered by the encapsulant. A first opening in the encapsulant is aligned with and larger than the first opening in the flag, and a second opening in the encapsulant is aligned with the second opening in the flag. A pressure sensor transducer is attached to the bottom of the flag and covers the first opening in the flag and provides an electrically detectable correlation to a pressure differential based on a first pressure received on its top side and a second pressure received on its bottom side. An integrated circuit is attached to the bottom of the flag and is electrically coupled to the pressure sensor. A lid forming an enclosure with the bottom of the flag. The pressure sensor transducer receives the first pressure through the first opening in the encapsulant and the first opening in the flag and the second pressure through the second opening in the encapsulant, the second opening in the flag, and the enclosure.

    摘要翻译： 双端口压力传感器具有带有具有第一开口和第二开口的标志的引线框架。 引线框架具有具有第一开口和第二开口的标志。 密封剂保持引线框架。 密封剂在标志的顶部之上，标志的底部被封装剂覆盖。 密封剂中的第一开口与标志中的第一开口对准并且大于标志中的第一开口，并且密封剂中的第二开口与标记中的第二开口对齐。 压力传感器传感器连接到标志的底部并覆盖标志中的第一开口，并且基于在其顶侧接收的第一压力和在其底侧上接收的第二压力而提供与压力差的电可检测的相关性。 集成电路连接到标志的底部并且电耦合到压力传感器。 盖子形成与旗子底部的封闭物。 压力传感器传感器通过密封剂中的第一开口和标志中的第一开口接收第一压力，并且通过密封剂中的第二开口，标志中的第二开口和外壳接收通过第二压力的第一压力。