公开(公告)号：US06875328B2

公开(公告)日：2005-04-05

申请号：US09946499

申请日：2001-09-06

申请人： Koji Tominaga ,  Tsuyoshi Nakanishi ,  Hiroki Tanabe ,  Mitsuru Honjo

发明人： Koji Tominaga ,  Tsuyoshi Nakanishi ,  Hiroki Tanabe ,  Mitsuru Honjo

IPC分类号： G01N27/30 ,  G01N27/36 ,  G01N27/40 ,  G01N27/403 ,  G01N27/414 ,  G01N27/416 ,  G01N27/404

CPC分类号： G01N27/414 ,  G01N27/40

摘要： An inexpensive, high-performance pH sensor measure the surface of a solid substance in a simple manner, comprising an ion sensing part 2 which responds to pH, a reference electrode 3, a gel-form ion permeable substance 10, which has a predetermined pH value and covers the ion sensing part 2 and reference electrode 3, and a cover member 9, which houses the ion permeable substance 10 and has an opening 9a formed at a position near the abovementioned ion sensing part 2.

摘要翻译： 廉价的高性能pH传感器以简单的方式测量固体物质的表面，包括响应于pH的离子感测部分2，具有预定pH的参比电极3，凝胶形离子可渗透物质10 并且覆盖离子感测部2和参考电极3以及容纳离子可渗透物质10并且具有形成在靠近上述离子感测部2的位置的开口9a的盖构件9。

公开(公告)号：US20050236675A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US11114195

申请日：2005-04-26

申请人： Toshihide Nabatame ,  Akira Toriumi ,  Tsuyoshi Horikawa ,  Kunihiko Iwamoto ,  Koji Tominaga

发明人： Toshihide Nabatame ,  Akira Toriumi ,  Tsuyoshi Horikawa ,  Kunihiko Iwamoto ,  Koji Tominaga

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/51 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7833

摘要： To provide a semiconductor device that enables to suppress a defect density of a gate insulating film of an MISFET, gain a sufficient electric characteristic thereof, and make an Equivalent Oxide Thickness (EOT) of the gate insulating film 1.0 nm or less. The MISFETs are formed to have the gate insulating film formed on a main surface of a silicon substrate, and a gate electrode formed on the gate insulating film, wherein the gate insulating film includes a metal silicate layer formed by a metal oxide layer and a silicon oxide layer and the metal silicate layer is formed so as to have concentration gradients of metal and silicon from a silicon substrate side toward a gate electrode side.

摘要翻译： 为了提供能够抑制MISFET的栅极绝缘膜的缺陷密度的半导体器件，获得足够的电特性，并使栅极绝缘膜的等效氧化物厚度（EOT）为1.0nm以下。 MISFET形成为具有形成在硅衬底的主表面上的栅极绝缘膜和形成在栅极绝缘膜上的栅电极，其中栅极绝缘膜包括由金属氧化物层形成的金属硅酸盐层和硅 氧化物层和金属硅酸盐层形成为具有从硅衬底侧到栅电极侧的金属和硅的浓度梯度。

公开(公告)号：US06930053B2

公开(公告)日：2005-08-16

申请号：US10394033

申请日：2003-03-24

申请人： Kazushi Mori ,  Mitsuaki Matsumoto ,  Koji Tominaga ,  Atsushi Tajiri ,  Koutarou Furusawa

发明人： Kazushi Mori ,  Mitsuaki Matsumoto ,  Koji Tominaga ,  Atsushi Tajiri ,  Koutarou Furusawa

IPC分类号： G02B5/18 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： G02B5/1809 ,  G02B5/1857

摘要： A method of manufacturing an element having a microstructure of an excellent grating groove pattern or the like is obtained. This method of manufacturing an element having a microstructure comprises steps of forming a metal layer on a substrate, forming a dot column of concave portions on the surface of the metal layer and anodically oxidizing the surface of the metal layer formed with the dot column of concave portions while opposing this surface to a cathode surface thereby forming a metal oxide film having a grating groove pattern. When the interval between the concave portions of the dot column is reduced, therefore, a linear grating groove pattern having a large depth with a uniform groove width along the depth direction is easily formed in a self-organized manner.

摘要翻译： 可以得到具有优良的光栅槽图案等的微结构的元件的制造方法。 这种制造具有微结构的元件的方法包括以下步骤：在衬底上形成金属层，在金属层的表面上形成凹点的点列，并且阳极氧化形成有凹点的点列的金属层的表面 同时将该表面与阴极表面相对，从而形成具有格栅槽图案的金属氧化物膜。 当点列的凹部之间的间隔减小时，容易以自组织的方式形成具有沿深度方向具有均匀凹槽宽度的大深度的线性格栅槽图案。

公开(公告)号：US07910507B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12520374

申请日：2007-12-20

申请人： Kazuhiro Nishikawa ,  Koji Tominaga

发明人： Kazuhiro Nishikawa ,  Koji Tominaga

IPC分类号： C03C8/22 ,  C03C4/04

CPC分类号： H01J11/34 ,  C03C8/22 ,  C03C8/24 ,  H01J5/04

摘要： There is provided a glass ceramic material for plasma display, in which glass fine grains (A) having a softening point of 570-640° C. are in 40-70 wt %, and glass fine grains (B) having a softening point of 480-540° C. are in 30-60 wt %, the glass ceramic material for plasma display being characterized in that the glass fine grains (A) comprise 2-12 wt % of SiO2, 50-58 wt % of B2O3, 10-20 wt % of Al2O3, 0-6 wt % of ZnO, 0-2.8 wt % of Li2O, and 10-22 wt % of at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO and that refractive index of the glass fine grains (A) is 1.53-1.56.

摘要翻译： 提供了一种用于等离子显示器的玻璃陶瓷材料，其中软化点为570-640℃的玻璃细晶粒（A）为40-70重量％，玻璃细晶粒（B）的软化点为 480-540℃为30-60重量％，用于等离子体显示的玻璃陶瓷材料的特征在于，玻璃细晶粒（A）包含2-12重量％的SiO 2，50-58重量％的B 2 O 3，10 -20重量％的Al 2 O 3，0-6重量％的ZnO，0-2.8重量％的Li 2 O和10-22重量％的选自MgO，CaO，SrO和BaO中的至少一种，并且玻璃的折射率精细 颗粒（A）为1.53-1.56。

公开(公告)号：US20110015053A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12921701

申请日：2009-03-04

申请人： Jun Hamada ,  Koji Tominaga ,  Naoya Hayakawa

发明人： Jun Hamada ,  Koji Tominaga ,  Naoya Hayakawa

IPC分类号： C03C3/064 ,  C03C3/066 ,  C03C14/00

CPC分类号： H01J29/86 ,  C03C3/064 ,  C03C3/066 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/16 ,  C03C17/04 ,  H01J11/10 ,  H01J11/34 ,  H01J29/863

摘要： A lead-free low-melting-point glass having an acid resistance, being substantially free of PbO and including 12 to 35 mass % of SiO2, 3 to 20 mass % of B2O3, 35 to 75 mass % of Bi2O3, and 0 to 8 mass % of at least one material selected from the group consisting of Li2O, Na2O and K2O is provided. A lead-free low-melting-point glass composition including a powder of the glass and a filler made of a ceramic powder is also provided.

摘要翻译： 具有耐酸性的无铅低熔点玻璃，其基本上不含PbO，包含12〜35质量％的SiO 2，3〜20质量％的B 2 O 3，35〜75质量％的Bi 2 O 3，0〜8 提供了选自由Li 2 O，Na 2 O和K 2 O组成的组中的至少一种材料的质量％。 还提供了包含玻璃粉末和由陶瓷粉末制成的填料的无铅低熔点玻璃组合物。

公开(公告)号：US07772678B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US12333577

申请日：2008-12-12

申请人： Kunihiko Iwamoto ,  Koji Tominaga ,  Toshihide Nabatame ,  Tomoaki Nishimura

发明人： Kunihiko Iwamoto ,  Koji Tominaga ,  Toshihide Nabatame ,  Tomoaki Nishimura

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： After the surface of the substrate is cleaned, an interface layer or an antidiffusion film is formed. A metal oxide film is built upon the antidiffusion film Annealing is done in an NH3 atmosphere so as to diffuse nitrogen in the metal oxide film. Building of the metal oxide film and diffusion of nitrogen are repeated several times, whereupon annealing is done in an O2 atmosphere. By annealing the film in an O2 atmosphere at a temperature higher than 650° C., the leak current in the metal oxide film is controlled.

摘要翻译： 在清洁基板的表面之后，形成界面层或反扩散膜。 在抗扩散膜上构建金属氧化物膜。在NH 3气氛中进行退火，以便在金属氧化物膜中扩散氮。 金属氧化物膜的构建和氮的扩散重复几次，随后在O 2气氛中进行退火。 通过在高于650℃的温度下在O 2气氛中退火该膜，可以控制金属氧化物膜中的漏电流。

公开(公告)号：US20080026148A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US10585267

申请日：2004-12-22

申请人： Koji Tominaga ,  Tetsuji Yasuda ,  Toshihide Nabatame ,  Kunihiko Iwamoto

发明人： Koji Tominaga ,  Tetsuji Yasuda ,  Toshihide Nabatame ,  Kunihiko Iwamoto

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45544

摘要： A throughput during a process of forming a thin film is improved and a thin film of high quality is produced at low cost.For this purpose, a film forming system comprises a chamber 8, a precursory gas supplying line 2 to supply the chamber 8 with precursory gas, a reactive gas supplying line 1 to supply the chamber 8 with reactive gas, and a purge gas supplying line 3 to supply purge gas that purges the precursory gas and the reactive gas, and forms a thin film on a substrate 82 in the chamber 8 by supplying the precursory gas or the reactive gas and purging alternately, and further comprises a middle line 22 having a certain volume that is arranged on a part or all of the precursor supplying line 2 and into which the precursory gas can be filled at a time when the precursory gas is not supplied, and/or a middle line 12 having a certain volume that is arranged on a part or all of the reactive gas supplying line 1 and into which the reactive gas can be filled at a time when the reactive gas is not supplied.

摘要翻译： 在形成薄膜的过程中的生产量得到改善，并且以低成本生产高质量的薄膜。 为此，成膜系统包括：腔室8，为腔室8提供前兆气体的前体气体供应管线2;向反应气体供应腔室8的反应气体供应管线1;以及吹扫气体供应管线3 以提供吹扫前体气体和反应性气体的吹扫气体，并且通过供应前体气体或反应性气体并交替进行吹扫而在室8中的基板82上形成薄膜，并且还包括具有一定的中间线22的中间线22 配置在前体供给管线2的一部分或全部的体积，并且在不供给前体气体的时候可以填充前体气体的体积，和/或具有一定体积的中间线12 反应气体供应管线1的一部分或全部，并且在不供应反应气体的时候可以填充反应气体。

公开(公告)号：US07129183B2

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：US11155480

申请日：2005-06-20

申请人： Kazushi Mori ,  Mitsuaki Matsumoto ,  Koji Tominaga ,  Atsushi Tajiri ,  Koutarou Furusawa

发明人： Kazushi Mori ,  Mitsuaki Matsumoto ,  Koji Tominaga ,  Atsushi Tajiri ,  Koutarou Furusawa

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： G02B5/1809 ,  G02B5/1857

摘要： A method of manufacturing an element having a microstructure of an excellent grating groove pattern or the like is obtained. This method of manufacturing an element having a microstructure comprises steps of forming a metal layer on a substrate, forming a dot column of concave portions on the surface of the metal layer and anodically oxidizing the surface of the metal layer formed with the dot column of concave portions while opposing this surface to a cathode surface thereby forming a metal oxide film having a grating groove pattern. When the interval between the concave portions of the dot column is reduced, therefore, a linear grating groove pattern having a large depth with a uniform groove width along the depth direction is easily formed in a self-organized manner.

摘要翻译： 可以得到具有优良的光栅槽图案等的微结构的元件的制造方法。 这种制造具有微结构的元件的方法包括以下步骤：在衬底上形成金属层，在金属层的表面上形成凹点的点列，并且阳极氧化形成有凹点的点列的金属层的表面 同时将该表面与阴极表面相对，从而形成具有格栅槽图案的金属氧化物膜。 当点列的凹部之间的间隔减小时，容易以自组织的方式形成具有沿深度方向具有均匀凹槽宽度的大深度的线性格栅槽图案。

公开(公告)号：US06734503B2

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：US10211340

申请日：2002-08-05

申请人： Masayuki Hata ,  Nobuhiko Hayashi ,  Koji Tominaga ,  Yasuhiko Nomura ,  Tatsuya Kunisato ,  Hiroki Ohbo

发明人： Masayuki Hata ,  Nobuhiko Hayashi ,  Koji Tominaga ,  Yasuhiko Nomura ,  Tatsuya Kunisato ,  Hiroki Ohbo

IPC分类号： H01L2701

CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01S5/3203 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： A nitride-based semiconductor element capable of effectively preventing a nitride-based semiconductor layer of a first area from cracking and reducing the degree of warpage of a substrate is obtained. This nitride-based semiconductor element comprises a first region formed on a prescribed region of a substrate and provided with an element including a first nitride-based semiconductor layer having a prescribed thickness and a second region formed on a region of the substrate other than the first region and provided with the first nitride-based semiconductor layer with a thickness smaller than the thickness in the first region. Thus, strain easily concentrates to the second region provided with the first nitride-based semiconductor layer with the smaller thickness, whereby strain of the first region provided with the element is relaxed.

摘要翻译： 可以获得能够有效地防止第一区域的氮化物系半导体层破裂并降低基板的翘曲程度的氮化物系半导体元件。 这种氮化物基半导体元件包括形成在基板的规定区域上的第一区域，并且设置有包括具有规定厚度的第一氮化物基半导体层和形成在基板以外的第一区域的第一区域 并且设置有厚度小于第一区域中的厚度的第一氮化物基半导体层。 因此，应变容易地集中到具有较小厚度的设置有第一氮化物基半导体层的第二区域，由此放置元件的第一区域的应变松弛。

公开(公告)号：US20080166867A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US12001381

申请日：2007-12-11

申请人： Kunihiko Iwamoto ,  Toshihide Nabatame ,  Koji Tominaga ,  Tetsuji Yasuda

发明人： Kunihiko Iwamoto ,  Toshihide Nabatame ,  Koji Tominaga ,  Tetsuji Yasuda

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method of manufacturing a metal compound thin film is disclosed. The method may include forming a first metal compound layer on a substrate by atomic layer deposition, performing annealing on the first metal compound layer in an atmosphere containing a nitrogen compound gas, thereby diffusing nitrogen into the first metal compound layer, and forming a second metal compound layer on the first metal compound layer by atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了一种制造金属化合物薄膜的方法。 该方法可以包括通过原子层沉积在衬底上形成第一金属化合物层，在含有氮化合物气体的气氛中对第一金属化合物层进行退火，从而将氮扩散到第一金属化合物层中，并形成第二金属 通过原子层沉积在第一金属化合物层上的化合物层。