公开(公告)号：US20120086075A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13327992

申请日：2011-12-16

申请人： Kuo Bin HUANG ,  Ssu-Yi LI ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chi-Ming YANG ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Kuo Bin HUANG ,  Ssu-Yi LI ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chi-Ming YANG ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A semiconductor structure with a metal gate structure includes a first type field-effect transistor having a first gate including: a high k dielectric material on a substrate, a first metal layer on the high k dielectric material layer and having a first work function, and a first aluminum layer on the first metal layer. The first aluminum layer includes an interfacial layer including aluminum, nitrogen and oxygen. The device also includes a second type field-effect transistor having a second gate including: the high k dielectric material on the substrate, a second metal layer on the high k dielectric material layer and having a second work function different from the first work function, and a second aluminum layer on the second metal layer.

摘要翻译： 具有金属栅极结构的半导体结构包括具有第一栅极的第一型场效应晶体管，包括：基板上的高k电介质材料，高k电介质材料层上的第一金属层，具有第一功函数，以及 在第一金属层上的第一铝层。 第一铝层包括包含铝，氮和氧的界面层。 该器件还包括具有第二栅极的第二类场效应晶体管，其包括：衬底上的高k电介质材料，高k电介质材料层上的第二金属层，具有不同于第一功函数的第二功函数， 和在第二金属层上的第二铝层。

公开(公告)号：US20110086504A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12879371

申请日：2010-09-10

申请人： Kuo Bin HUANG ,  Hsin-Chien LU ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chi-Ming YANG ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Kuo Bin HUANG ,  Hsin-Chien LU ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chi-Ming YANG ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/28238 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857

摘要： A method for forming an integrated circuit is provided. The method includes forming a gate dielectric structure over a substrate. A titanium-containing sacrificial layer is formed, contacting the gate dielectric structure. The whole titanium-containing sacrificial layer is substantially removed.

摘要翻译： 提供一种用于形成集成电路的方法。 该方法包括在衬底上形成栅极电介质结构。 形成与该栅电介质结构接触的含钛牺牲层。 基本上除去了整个含钛牺牲层。

公开(公告)号：US20130099323A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13277642

申请日：2011-10-20

申请人： Ming ZHU ,  Hui-Wen LIN ,  Harry-Hak-Lay CHUANG ,  Bao-Ru YOUNG ,  Yuan-Sheng HUANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chao-Cheng CHEN

发明人： Ming ZHU ,  Hui-Wen LIN ,  Harry-Hak-Lay CHUANG ,  Bao-Ru YOUNG ,  Yuan-Sheng HUANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chao-Cheng CHEN

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966

摘要： The invention relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to a metal gate structure. An exemplary structure for a CMOS semiconductor device comprises a substrate comprising an isolation region surrounding and separating a P-active region and an N-active region; a P-metal gate electrode over the P-active region and extending over the isolation region, wherein the P-metal gate electrode comprises a P-work function metal and an oxygen-containing TiN layer between the P-work function metal and substrate; and an N-metal gate electrode over the N-active region and extending over the isolation region, wherein the N-metal gate electrode comprises an N-work function metal and a nitrogen-rich TiN layer between the N-work function metal and substrate, wherein the nitrogen-rich TiN layer connects to the oxygen-containing TiN layer over the isolation region.

摘要翻译： 本发明涉及集成电路制造，更具体地涉及一种金属栅极结构。 CMOS半导体器件的示例性结构包括：衬底，包括围绕并分离P活性区域和N-有源区域的隔离区域; 在P-活性区域上的P金属栅电极，并且在隔离区域上延伸，其中P金属栅电极包括P功函数金属和P功函数金属与衬底之间的含氧TiN层; 以及N型金属栅电极，其在N-有源区上方并在隔离区上方延伸，其中N型金属栅电极包括N功函数金属和N功函数金属与衬底之间的富氮TiN层 其中富氮TiN层在隔离区域上连接到含氧TiN层。

公开(公告)号：US20130146993A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13314462

申请日：2011-12-08

申请人： Che-Cheng CHANG ,  Po-chi WU ,  Buh-Kuan FANG ,  Jr-Jung LIN ,  Ryan Chia-Jen CHEN

发明人： Che-Cheng CHANG ,  Po-chi WU ,  Buh-Kuan FANG ,  Jr-Jung LIN ,  Ryan Chia-Jen CHEN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32135 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843

摘要： The present application discloses a method of forming a semiconductor structure. In at least one embodiment, the method includes forming a polysilicon layer over a substrate. A mask layer is formed over the polysilicon layer. The mask layer is patterned to form a patterned mask layer. A polysilicon structure is formed by etching the polysilicon layer using the patterned mask layer as a mask. The polysilicon structure has an upper surface and a lower surface, and the etching of the polysilicon layer is arranged to cause a width of the upper surface of the polysilicon structure greater than that of the lower surface of the polysilicon structure.

摘要翻译： 本申请公开了一种形成半导体结构的方法。 在至少一个实施例中，该方法包括在衬底上形成多晶硅层。 在多晶硅层上形成掩模层。 图案化掩模层以形成图案化掩模层。 通过使用图案化掩模层作为掩模蚀刻多晶硅层来形成多晶硅结构。 多晶硅结构具有上表面和下表面，并且多晶硅层的蚀刻被布置成使得多晶硅结构的上表面的宽度大于多晶硅结构的下表面的宽度。

公开(公告)号：US20130221443A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13407507

申请日：2012-02-28

申请人： Yu Chao LIN ,  Chih-Tang PENG ,  Shun-Hui YANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chao-Cheng CHEN

发明人： Yu Chao LIN ,  Chih-Tang PENG ,  Shun-Hui YANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chao-Cheng CHEN

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924

摘要： The disclosure relates to a fin field effect transistor (FinFET). An exemplary structure for a FinFET comprises a substrate comprising a major surface; a plurality of first trenches having a first width and extending downward from the substrate major surface to a first height, wherein a first space between adjacent first trenches defines a first fin; and a plurality of second trenches having a second width less than first width and extending downward from the substrate major surface to a second height greater than the first height, wherein a second space between adjacent second trenches defines a second fin.

摘要翻译： 本发明涉及鳍状场效应晶体管（FinFET）。 FinFET的示例性结构包括：包括主表面的衬底; 多个第一沟槽，具有第一宽度并从所述衬底主表面向下延伸到第一高度，其中相邻第一沟槽之间的第一空间限定第一鳍片; 以及多个第二沟槽，其具有小于第一宽度的第二宽度并且从所述衬底主表面向下延伸到大于所述第一高度的第二高度，其中相邻第二沟槽之间的第二空间限定第二鳍片。

公开(公告)号：US20130105915A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13286605

申请日：2011-11-01

申请人： Po-Chi WU ,  Ryan Chia-Jen CHEN

发明人： Po-Chi WU ,  Ryan Chia-Jen CHEN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02186 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A metal-oxide-semiconductor (MOS) device having a selectable threshold voltage determined by the composition of an etching solution contacting a metal layer. The MOS device can be either a p-type or n-type MOS and the threshold voltage is selectable for both types of MOS devices. The etching solution is either an oxygen-containing solution or a fluoride-containing solution. The threshold voltage is selected by adjusting the flow rate of inert gases into an etching chamber to control the concentration of oxygen gas or nitrogen trifluoride.

摘要翻译： 具有通过接触金属层的蚀刻溶液的组成确定的可选择阈值电压的金属氧化物半导体（MOS）器件。 MOS器件可以是p型或n型MOS，并且对于两种类型的MOS器件都可以选择阈值电压。 蚀刻溶液是含氧溶液或含氟化物溶液。 通过调节惰性气体进入蚀刻室的流量来控制阈值电压，以控制氧气或三氟化氮的浓度。

公开(公告)号：US20130252425A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13428923

申请日：2012-03-23

申请人： Chih-Han LIN ,  Ming-Ching CHANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Yih-Ann LIN ,  Jr-Jung LIN

发明人： Chih-Han LIN ,  Ming-Ching CHANG ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Yih-Ann LIN ,  Jr-Jung LIN

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method includes providing a first mask pattern over a substrate, forming first spacers adjoining sidewalls of the first mask pattern, removing the first mask pattern, forming second spacers adjoining sidewalls of the first spacers, forming a filling layer over the substrate and between the second spacers, and forming a second mask pattern over the substrate.

摘要翻译： 一种方法包括在衬底上提供第一掩模图案，形成与第一掩模图案的侧壁相邻的第一间隔物，去除第一掩模图案，形成邻接第一间隔物的侧壁的第二间隔物，在衬底上形成填充层， 并且在衬底上形成第二掩模图案。

公开(公告)号：US20110031562A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12757241

申请日：2010-04-09

申请人： Yu Chao LIN ,  Jr Jung LIN ,  Yih-Ann LIN ,  Jih-Jse LIN ,  Chao-Cheng CHEN ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Weng CHANG

发明人： Yu Chao LIN ,  Jr Jung LIN ,  Yih-Ann LIN ,  Jih-Jse LIN ,  Chao-Cheng CHEN ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Weng CHANG

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L29/6656

摘要： An exemplary structure for a gate structure of a field effect transistor comprises a gate electrode; a gate insulator under the gate electrode having footing regions on opposing sides of the gate electrode; and a sealing layer on sidewalls of the gate structure, wherein a thickness of lower portion of the sealing layer overlying the footing regions is less than a thickness of upper portion of the sealing layer on sidewalls of the gate electrode, whereby the field effect transistor made has almost no recess in the substrate surface.

摘要翻译： 场效应晶体管的栅极结构的示例性结构包括栅电极; 栅电极下方的栅极绝缘体，在栅电极的相对侧具有基极区域; 以及在所述栅极结构的侧壁上的密封层，其中覆盖所述基底区域的所述密封层的下部的厚度小于所述栅电极的侧壁上的所述密封层的上部的厚度，由此所述场效应晶体管 在基板表面几乎没有凹陷。