公开(公告)号：US20070032013A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11462405

申请日：2006-08-04

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Young-Geun Park ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Young-Sun Kim

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Young-Geun Park ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/02189 ,  C23C16/405 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides methods of forming a metal oxide layer and methods of forming a capacitor including the same. The methods of forming the metal oxide include forming a thin layer including a metal oxide, such as zirconium oxide, on a substrate and performing a post-treatment on the thin layer at a temperature at which oxygen present in the metal oxide is hindered from being diffused in the thin layer. Consequently, reduced amounts of byproducts are present on the boundary surface of the thin layer and the substrate thereby improving electrical characteristics of the thin layer.

摘要翻译： 本发明提供了形成金属氧化物层的方法和形成包括该金属氧化物层的电容器的方法。 形成金属氧化物的方法包括在衬底上形成包含氧化锆等金属氧化物的薄层，并在金属氧化物中存在的氧被阻碍的温度下在薄层上进行后处理 扩散在薄层。 因此，在薄层和基板的边界表面上存在减少量的副产物，从而改善薄层的电特性。

公开(公告)号：US07485585B2

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：US11372117

申请日：2006-03-10

申请人： Young-Geun Park ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Vin Im ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Young-Geun Park ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Vin Im ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In a method of forming a thin film and methods of manufacturing a gate structure and a capacitor, a hafnium precursor including one alkoxy group and three amino groups, and an oxidizing agent are provided on a substrate. The hafnium precursor is reacted with the oxidizing agent to form the thin film including hafnium oxide on the substrate. The hafnium precursor may be employed for forming a gate insulation layer of a transistor or a dielectric layer of a capacitor.

摘要翻译： 在形成薄膜的方法和制造栅极结构和电容器的方法中，在基板上设置有包含一个烷氧基和三个氨基的铪前体和氧化剂。 铪前体与氧化剂反应形成包含氧化铪的薄膜。 铪前体可以用于形成电容器的晶体管或电介质层的栅极绝缘层。

公开(公告)号：US20060205198A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11372117

申请日：2006-03-10

申请人： Young-Geun Park ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Vin Im ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Young-Geun Park ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Vin Im ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In a method of forming a thin film and methods of manufacturing a gate structure and a capacitor, a hafnium precursor including one alkoxy group and three amino groups, and an oxidizing agent are provided on a substrate. The hafnium precursor is reacted with the oxidizing agent to form the thin film including hafnium oxide on the substrate. The hafnium precursor may be employed for forming a gate insulation layer of a transistor or a dielectric layer of a capacitor.

公开(公告)号：US20060166476A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11339416

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/586 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a first dielectric layer is formed on a substrate by using a metal oxide doped with silicon, the substrate is placed on a susceptor of a chamber. By treating the first dielectric layer with a plasma in controlling a voltage difference between the susceptor and a ground, a second dielectric layer is formed on the first dielectric layer. The second dielectric layer including a metal oxynitride doped with silicon having enough content of nitrogen is formed on the first dielectric layer. Therefore, dielectric properties of the dielectric structure comprising the first and the second dielectric layers can be improved and a leakage current can be greatly decreased. By adapting the dielectric structure to a gate insulation layer and/or to a dielectric layer of a capacitor or of a non-volatile semiconductor memory device, capacitances and electrical properties can be improved.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在通过使用掺杂有硅的金属氧化物在基板上形成第一介电层之后，将基板放置在室的基座上。 通过在控制基座和接地之间的电压差的同时用等离子体处理第一电介质层，在第一电介质层上形成第二电介质层。 在第一电介质层上形成包括掺杂有足够的氮含量的硅的金属氮氧化物的第二电介质层。 因此，可以提高包括第一和第二电介质层的电介质结构的介电性能，并且可以大大降低泄漏电流。 通过使电介质结构适应于栅极绝缘层和/或电容器或非易失性半导体存储器件的电介质层，可以提高电容和电性能。

公开(公告)号：US07442981B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11316487

申请日：2005-12-21

申请人： Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Jong-Cheol Lee ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo

发明人： Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Jong-Cheol Lee ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： Provided is a capacitor of a semiconductor device and a method of fabricating the same. In one embodiment, the capacitor includes a lower electrode formed on a semiconductor substrate; a dielectric layer formed on the lower electrode; and an upper electrode that is formed on the dielectric layer. The upper electrode includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer stacked sequentially. The first conductive layer comprises a metal layer, a conductive metal oxide layer, a conductive metal nitride layer, or a conductive metal oxynitride layer. The second conductive layer comprises a doped polysilicon germanium layer. The third conductive layer comprises a material having a lower resistance than that of the second conductive layer.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的电容器及其制造方法。 在一个实施例中，电容器包括形成在半导体衬底上的下电极; 形成在下电极上的电介质层; 以及形成在电介质层上的上电极。 上电极包括依次堆叠的第一导电层，第二导电层和第三导电层。 第一导电层包括金属层，导电金属氧化物层，导电金属氮化物层或导电金属氮氧化物层。 第二导电层包括掺杂多晶硅锗层。 第三导电层包括具有比第二导电层的电阻低的电阻的材料。

公开(公告)号：US20060186452A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11316487

申请日：2005-12-21

申请人： Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Jong-Cheol Lee ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo

发明人： Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Jong-Cheol Lee ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： Provided is a capacitor of a semiconductor device and a method of fabricating the same. In one embodiment, the capacitor includes a lower electrode formed on a semiconductor substrate; a dielectric layer formed on the lower electrode; and an upper electrode that is formed on the dielectric layer. The upper electrode includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer stacked sequentially. The first conductive layer comprises a metal layer, a conductive metal oxide layer, a conductive metal nitride layer, or a conductive metal oxynitride layer. The second conductive layer comprises a doped polysilicon germanium layer. The third conductive layer comprises a material having a lower resistance than that of the second conductive layer.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的电容器及其制造方法。 在一个实施例中，电容器包括形成在半导体衬底上的下电极; 形成在下电极上的电介质层; 以及形成在电介质层上的上电极。 上电极包括依次堆叠的第一导电层，第二导电层和第三导电层。 第一导电层包括金属层，导电金属氧化物层，导电金属氮化物层或导电金属氮氧化物层。 第二导电层包括掺杂多晶硅锗层。 第三导电层包括具有比第二导电层的电阻低的电阻的材料。

公开(公告)号：US07482677B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11339086

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11521

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a tunnel oxide layer pattern is formed on a substrate, a floating gate is formed on the tunnel oxide layer. After a first dielectric layer pattern including a metal silicon oxide and a second dielectric layer pattern including a metal silicon oxynitride are formed, a control gate is formed on the dielectric structure. Since the dielectric structure includes at least one metal silicon oxide layer and at least one metal silicon oxynitride layer, the dielectric structure may have a high dielectric constant and a good thermal resistance. A non-volatile semiconductor memory device including the dielectric structure may have good electrical characteristics such as a large capacitance and a low leakage current.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在衬底上形成隧道氧化物层图案之后，在隧道氧化物层上形成浮栅。 在形成包括金属氧化硅和包括金属氮氧化硅的第二电介质层图案的第一电介质层图案之后，在电介质结构上形成控制栅极。 由于介电结构包括至少一个金属氧化硅层和至少一个金属氮氧化硅层，所以介电结构可以具有高介电常数和良好的耐热性。 包括电介质结构的非易失性半导体存储器件可能具有良好的电特性，例如大电容和低漏电流。

公开(公告)号：US20060244147A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11339086

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11521

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a tunnel oxide layer pattern is formed on a substrate, a floating gate is formed on the tunnel oxide layer. After a first dielectric layer pattern including a metal silicon oxide and a second dielectric layer pattern including a metal silicon oxynitride are formed, a control gate is formed on the dielectric structure. Since the dielectric structure includes at least one metal silicon oxide layer and at least one metal silicon oxynitride layer, the dielectric structure may have a high dielectric constant and a good thermal resistance. A non-volatile semiconductor memory device including the dielectric structure may have good electrical characteristics such as a large capacitance and a low leakage current.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在衬底上形成隧道氧化物层图案之后，在隧道氧化物层上形成浮栅。 在形成包括金属氧化硅和包括金属氮氧化硅的第二电介质层图案的第一电介质层图案之后，在电介质结构上形成控制栅极。 由于介电结构包括至少一个金属氧化硅层和至少一个金属氮氧化硅层，所以介电结构可以具有高介电常数和良好的耐热性。 包括电介质结构的非易失性半导体存储器件可能具有良好的电特性，例如大电容和低漏电流。

公开(公告)号：US07648874B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11339416

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/586 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a first dielectric layer is formed on a substrate by using a metal oxide doped with silicon, the substrate is placed on a susceptor of a chamber. By treating the first dielectric layer with a plasma in controlling a voltage difference between the susceptor and a ground, a second dielectric layer is formed on the first dielectric layer. The second dielectric layer including a metal oxynitride doped with silicon having enough content of nitrogen is formed on the first dielectric layer. Therefore, dielectric properties of the dielectric structure comprising the first and the second dielectric layers can be improved and a leakage current can be greatly decreased. By adapting the dielectric structure to a gate insulation layer and/or to a dielectric layer of a capacitor or of a non-volatile semiconductor memory device, capacitances and electrical properties can be improved.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在通过使用掺杂有硅的金属氧化物在基板上形成第一介电层之后，将基板放置在室的基座上。 通过在控制基座和接地之间的电压差的同时用等离子体处理第一电介质层，在第一电介质层上形成第二电介质层。 在第一电介质层上形成包括掺杂有足够的氮含量的硅的金属氮氧化物的第二电介质层。 因此，可以提高包括第一和第二电介质层的电介质结构的介电性能，并且可以大大降低泄漏电流。 通过使电介质结构适应于栅极绝缘层和/或电容器或非易失性半导体存储器件的电介质层，可以提高电容和电性能。

公开(公告)号：US20140327062A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14073354

申请日：2013-11-06

申请人： Ki-Yeon PARK ,  Hyun-Jun Kim ,  Se-Hyoung Ahn ,  Young-Geun Park ,  Ki-Vin Im

发明人： Ki-Yeon PARK ,  Hyun-Jun Kim ,  Se-Hyoung Ahn ,  Young-Geun Park ,  Ki-Vin Im

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： An electronic device may include a substrate, an oxide dielectric layer on the substrate, an interface layer on the oxide dielectric layer, and an electrode on the interface layer. The oxide dielectric layer may include an aluminum oxide layer between first and second zirconium oxide layers. The interface layer may have a first formation enthalpy, and the oxide dielectric layer may be between the substrate and the interface layer. The electrode may have a second formation enthalpy higher than the first formation enthalpy, and the interface layer may be between the oxide dielectric layer and the electrode.

摘要翻译： 电子器件可以包括衬底，衬底上的氧化物介电层，氧化物介电层上的界面层和界面层上的电极。 氧化物介电层可以包括在第一和第二氧化锆层之间的氧化铝层。 界面层可以具有第一形成焓，并且氧化物介电层可以在衬底和界面层之间。 电极可具有比第一形成焓高的第二形成焓，并且界面层可以在氧化物介电层和电极之间。